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公开(公告)号：CN101677145A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810222333.3
申请日：2008-09-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于微带-波导转换的阶梯型脊波导结构，该阶梯型脊波导结构包括：一阶梯型脊波导转换部分，该阶梯型脊波导转换部分制作于波导腔内且与波导腔内壁成为一体；一微带线，从一端延伸入波导腔，连接于阶梯型脊波导转换部分；一波导，与波导腔的另一端连接。该阶梯型脊波导结构用于实现信号在波导和微带两种结构中的转换，信号从一端的微带线或波导结构输入，经过阶梯型脊波导转换部分的转换，由另一端输出。本发明提供的这种应用于微带-波导转换的阶梯型脊波导结构，可以有效的完成微带线到波导的转换，损耗低、驻波好、加工简单且装配方便。
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公开(公告)号：CN101471467A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710303892.2
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明一种多个子腔体的微带型微波开关，涉及微波开关技术，其含有的多个子单元电路的子腔体结构，提高了微波开关电路的隔离度，可用于任何基于PIN二极管的微带型微波开关电路。本发明有效提高微波开关的隔离度，解决了微带型开关应用在微波频段中难以突破隔离度性能的瓶颈，同时开关电路的插入损耗以及驻波等特性均比较好。
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公开(公告)号：CN101442148A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810239889.3
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种微带－波导转换探针与阻抗匹配的方法，属于电磁场和微波电路技术领域。所述方法包括：根据背靠背微带—波导转换探针结构，设计得到转换探针尺寸；在背靠背微带-波导转换探针结构的中间放置一段微带线；变换微带线的宽度进行计算机仿真，得到转换探针的输入阻抗；利用1/4波长阻抗变换线将输入阻抗匹配到50欧姆。本发明将转换探针本身尺寸的设计与阻抗计算结合起来，即在设计微带-波导转换探针的同时，完成了阻抗匹配设计，极为方便的得到了转换探针的输入阻抗，进而实现匹配电路设计；这种方法操作简单，过程简便，并且简化了匹配电路，提到了阻抗匹配的精确度。
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公开(公告)号：CN114792081B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202110109527.8
申请日：2021-01-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 西安电子科技大学
IPC: G06F30/373
Abstract: 本发明涉及一种适用于划片后分立器件的提参建模方法，包括：将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘通过金丝键合方式连接成GSG在片测试结构；测量得到由左、右侧焊盘引起的左、右两侧补偿网络的容性补偿参数；基于左、右侧焊盘分别与待测器件之间的直通距离分别确定由金丝键合的金丝线引起的左、右两侧补偿网络的感性补偿参数；根据左、右两侧补偿网络的感性补偿参数和容性补偿参数确定左、右两侧补偿网络的S参数；将左、右两侧补偿网络的S参数分别添加至矢量网络分析仪的测试校准补偿数据的输入和输出端，以去除GSG在片测试结构布线影响。本发明可以快速有效的获得精确的大信号模型，规避了器件工艺的片间不均匀所带来的模型变动。
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公开(公告)号：CN112883676A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110280691.5
申请日：2021-03-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法；模型中的非线性沟道电阻Rch、肖特基结和导通电阻Rs为串联连接结构；非线性电容CFP与串联的肖特基结和非线性沟道电阻Rch成并联连接结构；本发明提供模型能够综合提取出器件的寄生和本征参数建立小信号等效电路，可以方便地模拟器件的直流特性和高频特性，模型仿真结果与实际测试结果有较好地一致性；本发明的场板型肖特基二极管器件模型的参数提取方法，能够准确地提取器件场板在不同频率，不同偏置点下的电容，能够准确地提取器件的本征参数，提高模型参数提取的效率和模型的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112599589A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011496951.4
申请日：2020-12-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及制备方法，包括：衬底、外延层、势垒层、钝化层、源电极、漏电极、栅电极、跨栅场板和空气层；所述衬底、所述外延层、所述势垒层自底向上依次设置；所述源电极、所述漏电极和所述栅电极位于所述势垒层上，所述钝化层覆盖所述势垒层上所述源电极、所述漏电极和所述栅电极之间的区域；所述跨栅场板没入所述钝化层且横跨所述栅电极，以提高所述半导体器件的击穿电压。本发明公开的半导体器件，在提高器件击穿电压的同时可以保证较小的寄生电容。
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公开(公告)号：CN102623336B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110030283.0
申请日：2011-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/镍合金的方法制作掩膜，使用ICP工艺进行深背孔刻蚀，采用减薄工艺制备出了厚度超薄、抛光面形貌优良的衬底，并配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构；采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，之后电镀金形成背面金属，降低背面接地电阻，同时大大改善了电路的散热问题。
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公开(公告)号：CN103928525A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410169651.3
申请日：2014-04-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , G01N27/414
CPC classification number: H01L29/778 , G01N27/414 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管液体传感器，该传感器为单栅指场效应晶体管结构，包括：衬底；衬底上的异质结，所述异质结为由GaN和AlGaN材料形成；所述异质结上的源电极、漏电极以及栅电极，栅电极为肖特基电极，源电极、漏电极为欧姆接触电极。本发明采用由GaN和AlGaN材料形成的异质结，可以形成高浓度、高迁移率的二维电子气，由此形成的传感器具有高化学稳定性和高电子迁移率，并易于集成。
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公开(公告)号：CN102543665B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010577694.7
申请日：2010-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓衬底改进的快速减薄方法。该方法基于在砷化镓衬底通过化学试剂进行砷化镓外延晶片的粘附，同时采用真空加压方法进行固定，再使用多层叠加结构来缓冲减薄时带来的损伤和减小尺寸失真，采用独特材质的软陶瓷研磨盘来实现高速精确的背面减薄，再配合使用混合氧化铝研磨浆液，达到小于60µm的厚度。在研磨结束以后，使用纳米抛光溶液进行CMP（化学机械抛光）工艺，达到衬底厚度小于50µm，公差小于±1µm，粗糙度Ra小于1nm的高镜面效果。抛光完后的衬底不龟裂，不卷曲，无划伤等效果。
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公开(公告)号：CN102565650B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010575278.3
申请日：2010-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种GaNHEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法，属于集成电路技术领域。所述测量系统包括第一直流电源、第二直流电源、交流信号提供装置、电容、电感、电阻、第一电压表和第二电压表；漏极和电阻相连，电阻和第一直流电源相连，第一电压表和电阻相并联；栅极和第二电压表相并联，电容连接在栅极和交流信号提供装置之间，电感连接在栅极和第二直流电源之间。通过本发明测量系统测得的频散特性可以推断器件表面态和陷阱的多少，进而判断材料和器件的优劣；同时包含频散特性的跨导曲线可以准确表征器件的直流特性，与模型中频率散射参数的提取相关，对器件模型的建立也很有意义。
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