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公开(公告)号：CN106356378B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201610849162.1
申请日：2016-09-26
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/417 , H01L21/84 , H01L21/28 , H01L21/44 , H10K19/10 , H10K10/82 , H10K10/46
摘要： 本申请涉及一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括薄膜晶体管，且至少具有第一区域和第二区域，所述第一区域中的薄膜晶体管的有源层厚度大于所述第二区域中的薄膜晶体管的有源层厚度，且所述第一区域中的薄膜晶体管的源极或漏极与有源层之间的重叠面积大于所述第二区域中的薄膜晶体管的源极或漏极与有源层之间的重叠面积，使得薄膜晶体管的源极或漏极与有源层之间的重叠面积与有源层厚度的比率在所述第一区域和第二区域上保持均一。
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公开(公告)号：CN108615694B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810031884.5
申请日：2018-01-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请提供湿刻设备，包括：喷头，用于向基板喷淋刻蚀液；支撑面，用于承载基板；电极，设置在喷头的远离支撑面的一侧，包括第一电极和第二电极，其中，第一电极对应基板的边缘区域，第二电极对应基板的非边缘区域；输入单元，分别与第一电极和第二电极电连接，用于向第一电极输入第一电压，向第二电极输入第二电压。根据本申请的实施例，可以使得刻蚀液对基板边缘区域的金属刻蚀的速率大于对非边缘区域的金属刻蚀的速率，从而保证对基板边缘区域的刻蚀程度大于对基板非边缘区域的刻蚀程度，也即在完成对基板非边缘区域的刻蚀时，可以保证在基板的边缘区域不存在残留金属，保证对基板刻蚀程度的均一性，进而保证基板对应显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN108210307B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201810003162.9
申请日：2018-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种冲洗设备及冲洗方法，包括：支架、冲洗喷头、分别连接支架和冲洗喷头的调节部件、识别模块和控制模块；识别模块，与控制模块连接，用于识别用户方位信息，所述方位信息至少包括用户高度和位置；控制模块，用于根据所述用户方位信息，控制所述调节部件调节冲洗喷头的位置和/或方向，以使所述冲洗喷头朝向所述用户的待冲洗区域，从而解决了现有冲洗设备使用起来非常的困难和不便的问题。
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公开(公告)号：CN108054103A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711325127.0
申请日：2017-12-13
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/417
摘要： 本发明公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和半导体层；在形成有半导体层的衬底基板上形成导电材质层；对导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层，其中，导电材质层上与半导体层接触的部位通过干法刻蚀工艺刻蚀。本发明有助于避免刻蚀过程对半导体层的电学特性的影响。本发明用于显示基板制造。
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公开(公告)号：CN108039420A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711274870.8
申请日：2017-12-06
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件，该衬底包括：金属箔，所述金属箔所采用的金属材料可进行阳极氧化，所述金属箔表面形成有多个凹陷陷光微结构，该衬底可以减小由于衬底的全反射导致的衬底模态损失，提高采用该衬底的发光器件的出光效率，提高光利用率。
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公开(公告)号：CN107478320A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710729633.X
申请日：2017-08-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G01H11/06
摘要： 本发明提供一种晶体管声传感元件及其制备方法、声传感器和便携设备。该晶体管声传感元件包括设置在基底上的栅极、栅绝缘层、第一极、有源层和第二极，有源层为纳米细线三维网孔结构，有源层能在声音信号的作用下产生振动，以使晶体管声传感元件的输出电流发生相应变化。该晶体管声传感元件通过采用纳米细线三维网孔结构的有源层，能实现对声音信号的检测，由于该结构的有源层能够灵敏感测声波的微弱振动，所以该结构的有源层能提高该晶体管声传感元件感测声音信号的灵敏度，从而提高其对声音的感测性能。
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公开(公告)号：CN107275195A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710585224.7
申请日：2017-07-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L27/12 , H01L21/77
摘要： 一种膜层图案化方法、阵列基板及其制作方法。该膜层图案化方法，包括：在待图案化的膜层上涂敷光刻胶；对光刻胶进行曝光以及显影，光刻胶经过曝光以及显影后被完全去除的部分对应的区域为第一区域；对光刻胶进行后烘，光刻胶发生高温融塌以使被完全去除的部分对应的区域变化为第二区域，经过后烘的光刻胶形成掩膜图案；以及以掩膜图案为掩模对膜层进行图案化。该膜层图案化方法利用热融性光刻胶在显影和后烘后发生高温融塌的特点，为待图案化的膜层形成曝光机精度以下的小尺寸图案提供可能，并且该方法工艺简单、成本低。
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公开(公告)号：CN106298643A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610757034.4
申请日：2016-08-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/77 , H01L23/538 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/768 , H01L21/77 , H01L23/538 , H01L27/12
摘要： 本发明公开一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法，涉及显示技术领域，解决了因过孔的坡度角较大而导致显示基板的良率较低的问题。所述过孔的制作方法包括：在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶；对光刻胶进行n次曝光，形成曝光区，曝光区与过孔对应，其中，各次对光刻胶进行曝光，光刻胶的曝光厚度之和等于光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i-1次曝光时采用的光的波长，n≥2，2≤i≤n；对薄膜中与曝光区对应的区域进行刻蚀，形成过孔。本发明提供的过孔的制作方法用于制作过孔。
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公开(公告)号：CN107845687B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201711021725.9
申请日：2017-10-27
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/16
摘要： 本发明涉及薄膜晶体管及其制备方法、电子设备，该薄膜晶体管包括衬底及设置在衬底上的有源层，所述有源层由至少两层类石墨烯二维半导体材料制作而成。根据本发明的实施例的薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，该TFT具有良好的电学性能。
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公开(公告)号：CN108896717B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201810825234.8
申请日：2018-07-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G01N33/00
摘要： 本发明实施例提供一种化学传感单元及化学传感器、化学传感装置，涉及电子传感技术领域，能够将化学物质浓度通过可视化的亮度进行提现，以实现可视化的化学物质浓度的检测；该化学传感单元包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的发光二极管；薄膜晶体管包括半导体有源层、源极、漏极；其中，半导体有源层主要采用化学敏感性半导体材料构成；该化学传感单元在对应源极和漏极之间的区域设置有过孔，以使得半导体有源层在对应过孔位置处裸露；发光二极管包括层叠设置的第一电极、发光功能层、第二电极，第一电极与漏极连接。
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