公开(公告)号：CN107546110B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710811339.3

申请日：2017-09-11

申请人： 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)

发明人： 张康 ,  李婷 ,  孙铭泽

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/538

CPC分类号： B08B3/08 ,  H01L21/02 ,  H01L23/538

摘要： 本发明提供了一种钨化学机械平坦化的后清洗方法及晶圆，本发明钨化学机械平坦化的后清洗方法工艺简单，采用特定分步清洗、刷洗、冲洗和甩干操作，清洗效果好，能够有效降低CMP后清洗工艺过程中对于Wplug的氧化及电化学腐蚀，避免造成更严重的钨塞的碟形凹陷(W recess)缺陷，还能够优化晶圆表面Zeta电势,降低晶圆在CMP后被再次沾污的风险。

公开(公告)号：CN108183106A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711293693.8

申请日：2017-12-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 片荣范 ,  朴基喆 ,  金仁权 ,  张气薰 ,  权炳昊 ,  金相均 ,  尹普彦

IPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L27/11578

CPC分类号： H01L27/11286 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/538 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

摘要： 一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外围结构在外围电路区域上。下绝缘层覆盖外围电路区域和单元阵列区域，并且具有从平坦部分凸出的凸出部分。堆叠在下绝缘层和单元阵列区域上，并且包括交替地且重复地堆叠的上导电图案和绝缘图案。

公开(公告)号：CN108074912A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201710569111.8

申请日：2017-07-13

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 郑然丞 ,  朴津佑 ,  洪周妧

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/538 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15311

摘要： 包括互连器的半导体封装。可提供一种半导体封装和/或制造半导体封装的方法。该半导体封装可包括封装基板。该半导体封装可包括通过第一互连器联接至封装基板的第一半导体晶片。该半导体封装可包括通过第二互连器联接至第一半导体晶片的第二半导体晶片。第二半导体晶片可联接至封装基板。

公开(公告)号：CN107750394A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201680036851.9

申请日：2016-05-17

申请人： 英特尔公司

发明人： B.卡拉夫

IPC分类号： H01L25/18

CPC分类号： H01L25/18 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0629 ,  G06F3/0673 ,  H01L23/538 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225

摘要： 用于SIP控制对另一已封装设备的非易失性存储器的访问的技术和机构。在实施例中，SIP包括接口处理器、本地存储器和向处理器提供对本地存储器的访问的存储器控制器。SIP还包括接口硬件以将SIP耦合到已封装设备，其中，SIP的处理器经由SIP的存储器控制器来访问已封装设备的非易失性存储器。在另一实施例中，SIP的接口硬件包括要耦合到已封装设备的第一多个触点，以及第二多个触点。接口标准描述了接口触点的布置，其中在第一触点的第一布置和第二触点的第二布置中，仅第二布置符合所描述的接口触点的布置。

公开(公告)号：CN102044449B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201010514945.7

申请日：2010-10-18

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 栗田洋一郎 ,  川野连也

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/538 ,  H01L23/60 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及半导体封装和制造半导体封装的方法。制造半导体封装的方法包括：在晶圆上形成静电放电保护元件；在晶圆的主表面上形成凸块形状的第一内部电极组使其不电气地连接到静电放电保护元件组；在晶圆的主表面上形成绝缘树脂层使其覆盖第一内部电极组；在形成绝缘树脂层之后执行晶圆的划片，以产生具有第一内部电极组的第一芯片；以及将第一内部电极组电气地连接到第二芯片的第二内部电极组。在连接中，第一内部电极组穿透绝缘树脂层，使得第一和第二内部电极组相互连接。

公开(公告)号：CN106935556A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201611144425.5

申请日：2016-12-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 权容焕 ,  柳承官

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/83 ,  H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

摘要： 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：堆叠结构；成型层，设置在堆叠结构的至少一个侧壁上；再分布线，电连接到堆叠结构；以及外部端子，电连接到再分布线。堆叠结构包括半导体芯片，半导体芯片具有有源表面和与有源表面相对的非有源表面。虚设基底设置在半导体芯片的非有源表面上。粘合层设置在虚设基底和半导体芯片之间。成型层包括与再分布线相邻的顶表面和与顶表面相对的底表面。通过成型层的底表面暴露虚设基底。

公开(公告)号：CN106898603A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201611020249.4

申请日：2016-11-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金炅洙 ,  姜善远

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L25/16 ,  H01L23/538

摘要： 提供了一种高速半导体模块，所述半导体模块包括：模块基底，具有电连接元件；至少一个半导体封装件，设置在模块基底上，所述至少一个半导体封装件包括多个半导体芯片；连接区域，将半导体封装件电连接到模块基底，其中，连接区域包括：第一区域，在半导体封装件的半导体芯片的第一芯片的数据信号端子与模块基底之间电连接；第二区域，在半导体封装件的半导体芯片的第二芯片的数据信号端子与模块基底之间电连接；第三区域，在半导体封装件的第一芯片和第二芯片两者的指令/地址信号端子与模块基底之间电连接，其中，与第三区域相比，第一区域更接近于模块基底的电连接元件。

公开(公告)号：CN106601702A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201710059050.0

申请日：2017-01-23

申请人： 合肥雷诚微电子有限责任公司

发明人： 王宏杰 ,  马雷 ,  彭小滔

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/367 ,  H01L23/538 ,  H01L25/072

摘要： 本发明公开了一种无基板高散热性的多芯片线性功率放大器结构及其制作方法，其特征是将不同元件按功能要求组合成若干个功率放大模块物理架构，集成在一块共同的可拆卸大载片上，通过把功率放大模块中的各元件先整体塑封，塑封后载片需要拆掉，将元件输入输出电极露出并且在塑封体表面形成多层互连金属电路以及外引脚焊盘和焊球形成模块外引脚，从而构成若干个完整的线性功率放大模块，最后切割分离成单个完整功能的功率放大模块。本发明不仅有利于减少互连部分与射频通路的耦合，减少接地电极互连的电感，而且更高的布线密度可以大大减少互连电路层数，从而能够缩短接地电极散热的路径，达到优化模块性能和高散热性的目的。

公开(公告)号：CN106252304A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610795594.9

申请日：2016-08-31

申请人： 华天科技(西安)有限公司

发明人： 谢建友 ,  王奎 ,  陈文钊

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/00

摘要： 本发明公开了一种采用硅通孔及裸芯塑封的超薄指纹识别系统级封装件，包括有传感芯片、锡球、填充胶、基板、塑封体，所述传感芯片上贯穿有硅通孔，传感芯片通过锡球和基板连接，填充胶填充锡球间区域，塑封体包裹传感芯片、填充胶和基板的大部分。

公开(公告)号：CN105895599A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610089028.6

申请日：2016-02-17

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： M·J·李

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/563 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/92 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03312 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16

摘要： 本发明涉及一种集成电路封装件，其可以包括附接到第二集成电路管芯的前表面的第一集成电路管芯。由成型复合物制成的中间层被形成为以“扇出”布置围绕第二集成电路管芯，同时留下第二集成电路管芯的表面暴露出来。因此，然后在中间层中形成一组通孔，并且该组通孔被填充有导电材料。这种配置形成双侧堆叠结构。该堆叠结构还可以适用于层叠封装的封装件和扇出晶片级芯片尺寸的封装件，其中该堆叠结构在两个异构或同构集成电路封装件之间形成。