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公开(公告)号：CN109904087A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910029734.5
申请日：2019-01-14
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置，在半导体晶圆上刻录定位框；确定颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量；基于所述增加量判断颗粒数是否符合预设条件，不需要晶圆颗粒度检测专用设备，也不需要在专门的实验室，即可实现半导体晶圆表面颗粒度的检测，不受检测条件的影响，应用广泛；本发明采用显微镜确定每个定位框中的颗粒数，由于显微镜成本比晶圆颗粒度检测专用设备低，降低了检测成本，简化了检测过程；相比整个半导体晶圆全部检测，采用定位框可节省时间、提高效率，且刻有定位框的半导体晶圆清洗后可用于下一次检测，避免浪费。
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公开(公告)号：CN109212399A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810906443.5
申请日：2018-08-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种半导体器件高温电特性测试装置及方法，该装置包括：脉冲电源、恒温加热设备、电特性测试设备，在第一预设时间内，脉冲电源向待测器件提供电流脉冲，恒温加热设备对待测器件进行加热；在第一预设时间后，脉冲电源与待测器件的连接断开，恒温加热设备对待测器件进行调温，使待测器件的结温达到并保持目标温度；电特性测试设备对待测器件进行高温电特性测试。通过实施本发明，使待测器件在自身损耗和恒温加热装置的共同作用下加热，升温速度快；电特性测试设备在器件升温过程中不与器件接触，避免受高温影响；脉冲电源与电特性测试设备在测试期间断开，避免两个设备相互影响，使得测试过程更加安全，且可以连续的长时间快速大批量测试。
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公开(公告)号：CN110231501B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201910048374.3
申请日：2019-01-18
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R1/073
摘要： 本发明提供一种探针卡、包括探针卡的测试设备、测试方法，探针卡包括PCB板、空心针和探针；空心针和所述探针分别与所述PCB板连接，且所述空心针和所述探针相邻设置；空心针用于释放阻燃气体。用于测试时空心针的针尖处会喷射阻燃气体，形成阻燃气体保护氛围，可有效减少测试时半导体芯片打火现象的发生。测试设备包括探针卡、管路和高压测试装置，探针卡的压力腔与管路连接，且探针卡通过接口插入高压测试装置，该测试设备避免半导体芯片测试过程中出现打火现象，保证半导体芯片的安全性，且大大提高了测试精度。
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公开(公告)号：CN113495080A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010257508.5
申请日：2020-04-03
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01N23/2204 , G01N23/2206
摘要： 本发明涉及一种扫描电子显微镜能谱仪用测试夹具，所述测试夹具包括多个夹口，所述各夹口的两边包括不同金属，所述扫描电子显微镜能谱仪包括扫描电子显微镜和能谱分析仪，所述扫描电子显微镜包括扫描电子显微镜舱室，所述夹具设置于所述扫描电子显微镜舱室内，所述能谱分析仪用于：对待测样品截面元素分布进行测试，本发明夹具上的各夹口两边采用不同的金属制造，用来避免夹具与测试样品中含有同一种金属所造成的测试结果干扰，以及测量元素分布不准确的技术问题。
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公开(公告)号：CN109212399B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201810906443.5
申请日：2018-08-10
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种半导体器件高温电特性测试装置及方法，该装置包括：脉冲电源、恒温加热设备、电特性测试设备，在第一预设时间内，脉冲电源向待测器件提供电流脉冲，恒温加热设备对待测器件进行加热；在第一预设时间后，脉冲电源与待测器件的连接断开，恒温加热设备对待测器件进行调温，使待测器件的结温达到并保持目标温度；电特性测试设备对待测器件进行高温电特性测试。通过实施本发明，使待测器件在自身损耗和恒温加热装置的共同作用下加热，升温速度快；电特性测试设备在器件升温过程中不与器件接触，避免受高温影响；脉冲电源与电特性测试设备在测试期间断开，避免两个设备相互影响，使得测试过程更加安全，且可以连续的长时间快速大批量测试。
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公开(公告)号：CN110808284A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911076369.X
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/335 , H01L27/02 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的正面形成MOS结构，在衬底的背面形成场终止层；在场终止层上注入第一导电类型离子，对第一导电类型离子进行激光退火，形成第一导电类型集电极层；在第一导电类型集电极层中注入第二导电类型离子，注入的第二导电类型离子的浓度大于第一导电类型离子的浓度，对第二导电类型离子进行图形化激光退火，形成包含第一导电类型集电区和第二导电类型集电区的集电极层。本发明实施例提供的逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，相比现有技术中采用光刻工艺形成集电极层，简化了RC-IGBT的制备工艺，减少了新结构开发周期，降低了产品开发成本，工艺易实现，可行性强。
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公开(公告)号：CN110808238A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911076548.3
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110808238B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911076548.3
申请日：2019-11-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110828365A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911145344.0
申请日：2019-11-19
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/04 , H01L21/324
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种退火组件及退火方法。其中，所述组件包括：承载面，用于放置所述待退火件；其中，所述承载面在所述待退火件上的投影面积与待退火件的面积相同；至少一个支架，用于固定所述承载面。该组件可以增强退火的均匀性，并且只需一次退火便可，避免了复杂的退火流程，从而提升了工艺效率，同时也避免了传统托盘由于温差导致的碎裂现象。
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公开(公告)号：CN210742302U
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201921623978.8
申请日：2019-09-26
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01Q60/38
摘要： 本实用新型公开了一种形貌信息检测系统，该形貌信息检测系统，包括：受测样品载体，用于放置受测样品；形貌信息检测装置，包括微型力敏感元件，用于检测所述受测样品的形貌信息；除静电装置，用于消除所述微型力敏感元件与所述受测样品之间的静电；控制器，分别与所述形貌信息检测装置、所述除静电装置连接，与所述形貌信息检测装置、所述除静电装置连接，用于控制所述除静电装置和所述形貌信息检测装置分别进行除静电和形貌信息检测操作。通过设置除静电装置，对形貌检测装置与受测样品之间的静电进行消除，避免了形貌信息检测装置与受测样品之间的静电对形貌检测结果的影响，提高了形貌检测结果的准确性以及形貌检测效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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