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公开(公告)号：CN118159120A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410293882.9
申请日：2024-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于自旋电流反射的零场自旋轨道矩器件，本发明通过在面外磁性薄膜层上生长自旋电流反射层以达到实现自旋轨道矩器件零外加磁场翻转的目的。该自旋轨道矩器件结构如下：具有强自旋轨道耦合作用的重金属层、面外磁性薄膜层、自旋电流反射层和覆盖保护层。其中由于自旋电流反射层能够反射来自重金属层的自旋流，经过反射的自旋流自旋极化方向具有面外分量，使得垂直磁性薄膜层在无需外磁场的辅助下便能实现由自旋轨道矩诱导的磁矩定向翻转。在垂直磁性薄膜结构上添加一层自旋电流反射层，能够有效减少所需的外部辅助磁场，提高了自旋轨道磁阻效应(SOT)的效率，同时保持了样品的垂直磁性。
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公开(公告)号：CN117747023A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311684306.9
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种适用于超高频信号传输的镍磷薄膜电阻结构设计方法，所述方法包括以下步骤：由NiP薄膜电阻器的结构模型，通过磁控溅射方法在Si(1mm)衬底上沉积了Ag(200nm)/NiP(200nm)/Cr(5nm)的能够降低NiP薄膜电阻输入回波损耗的结构。根据制作的NiP薄膜电阻获取参数，结合有限积分法仿真软件CST进行输入回波损耗曲线的求解。铬有着良好的导电性和导热性，在高频通信电路中有着巨大的应用潜力。较传统的在Si(1mm)衬底上沉积Ag(200nm)/NiP(200nm)的NiP薄膜电阻器，本结构更适用于50GHz以上的频段，特别是80‑100GHz，输入回波损耗显著降低，能够很好的满足高频信号传输的要求。
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公开(公告)号：CN117637266A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311684305.4
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01C7/00 , H01C17/075 , H01C17/12
Abstract: 本发明涉及一种双层膜结构的埋嵌电阻薄膜材料，所述材料包括衬底、铝‑镍铬双层薄膜，其中双层膜结构插入层薄膜为铝薄膜，顶层薄膜为镍铬薄膜，所述双层膜结构埋嵌式薄膜电阻材料沉积于衬底上，通过电子界面散射效应，实现了器件方阻的调控，调控范围从24至478Ω/sq，可重复性高，在‑20～200℃升降温循环测试过程中同一温度下方阻变化不超过±0.2％，相较于同等条件下的单层NiCr埋阻其电阻温度系数最多可降低50％。
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公开(公告)号：CN116678303A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310707021.6
申请日：2023-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了交流驱动型背光源在表征薄膜样品表面形貌中的应用。还公开了一种薄膜表面形貌的表征系统，包括输入区组件、测试区组件和输出区组件，以及相应的薄膜表面形貌的表征方法。本发明可以实现在无探针接触、无电流注入的情况下对薄膜样品的表面形貌进行表征测试的功能，并且可以通过探针的横纵扫描实现构建薄膜上表面三维图像的功能。利用本发明的装置可以进行高效测量，并且交变电场驱动纳米LED阵列可以达到样品表面零损伤的效果。
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公开(公告)号：CN115231616B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210847399.1
申请日：2022-07-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种无掩膜制备二硫化钼微孔图案的方法，其步骤包括：(1)、将二硫化钼膜转移到衬底上，所述衬底上已经制备好待转移的周期性图案；(2)、常压、空气氛围中升温，达到指定温度后，通入惰性气体保温一段时间，得到上有与衬底图案相对应的周期性图案的二硫化钼膜。本发明方法操作简单，设备要求低，而且能减小多余杂质引入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115323332A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210162233.6
申请日：2022-02-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种适用于EUV光刻的Mo/Si多层膜反射镜制备方法，采取直流磁控溅射方法在凸面镜上生长Mo/Si周期性多层膜，凸面镜在直流磁控溅射生长腔中做溅射处理以清洁表面吸附气体和使得样品表面平整，从而得到高质量的样品，溅射清洗功率为5‑10W，溅射清洗时间为5‑10分钟；Mo，Si均由高能Ar+轰击进行溅射，通过分别控制直流溅射功率来控制两种元素的沉积速率；通过磁控溅射腔体中，Mo和Si源顶端的挡板连续切换控制实现Mo/Si周期性交替生长，最后一层生长1.5nm的Si层进行覆盖防止氧化。磁控溅射腔体中需要有石英晶体振荡器作为原位的沉积速率定标手段。该方法膜厚控制精确、简单易行、可重复性高。
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公开(公告)号：CN114442441A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210166835.9
申请日：2022-02-23
Applicant: 南京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种激光等离子体极紫外光源靶材优化方法，通过电子束蒸发的方式在产生激光等离子体的靶材衬底上生长锡薄膜，形成有限质量的固体薄膜靶，通过控制锡层的厚度来控制激光单次作用所消耗的锡量；当高能量脉冲激光与靶材作用产生等离子体时，通过控制薄膜靶的锡量进而优化极紫外光产生的效率和碎屑的产生。通过控制薄膜厚度调整靶材表面生长的锡燃料的量，使其在单次激光脉冲下，光斑作用下的锡可以充分利用，进而可以有效提高激光转化效率和靶材工作物质利用率，并减少碎屑对光学系统的污染。
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公开(公告)号：CN114221203A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111160845.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种输出长时间稳定的极紫外脉冲光源装置，包括高功率飞秒激光器、差分气体作用装置和激光阻断装置；其中，高功率飞秒激光器发出飞秒级别的超短脉冲激光，经过平面反射镜和激光聚焦镜，聚焦于差分气体作用装置内；反应气体经过压力控制后连续注入到长度可调的气体盒子内并与激光相互作用产生高次谐波，辐射出EUV光；气体盒子被安装在差分腔室中，与外真空腔形成差分，有效维持了真空腔内的真空度；反应产生的EUV光和未转换的入射激光进入激光阻断装置，入射激光被衰减阻断，得到纯净的EUV光。
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公开(公告)号：CN119788270A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411962955.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Micro‑LED的高保密性密钥系统，包括：密钥生成系统；Micro‑LED显示阵列；环境检测模块；微小图形检测模块；其中密钥生成系统对数据进行加密计算后，输出控制Micro‑LED显示阵列发光的密钥图形数据；微小图形检测模块采用光电探测器检测Micro‑LED显示阵列的发光信号，并对密钥图案进行解码处理并验证；环境检测模块用于检测Micro‑LED显示阵列与微小图形检测模块的对准情况和距离，并决定是否启动微小图形检测模块。本发明的基于Micro‑LED的高保密性密钥系统，利用Micro‑LED技术的优势，确保生成的密钥在任何情况下都能保持高度保密性。通过将密钥转化为高分辨率的图案，并在Micro‑LED屏幕上显示，只有在非常近距离下才能辨认图案，从而保护了密钥的安全性。
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公开(公告)号：CN119277863A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411354665.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 南京大学
IPC: H10H20/813 , H10H20/812
Abstract: 本发明公开了一种非直流驱动的LED外延片结构，包括由多个PN结单元堆叠的周期性结构，每一个PN结单元包括P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层，两个相邻的PN结单元之间还设有一多量子阱层。本发明的LED外延片采用了多重串联的结构方式，包括多个多重串联的PN结，构成多个发光区域。在交流电驱动的条件下，每一个PN结交替正向导通发光和反向击穿，从而在施加正向电压和反向电压时均可以导通，提高发光效率，延长LED的使用寿命。本发明用于解决现有技术中采用交流驱动时发光效率过低，在反向击穿过程中不发光使得功率损耗较大的问题，同时设置了多个量子阱的发光区域，可以设置不同的发光波长，使得LED的发光波长具有更多选择。
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