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公开(公告)号：CN100489666C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610161883.X
申请日：2006-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式(Immersion)微影系统。其至少包括：一晶圆吸附器，用以容纳并以浸润式微影来处理位于其上的一晶圆；至少一密封环，用以密封该晶圆于该晶圆吸附器上；一密封环承载器，用以装载该密封环至该晶圆吸附器，或自该晶圆吸附器卸下该密封环；以及一真空模组，用以吸附该密封环至该晶圆和该晶圆吸附器。借由此些密封环的排列结构，浸润式微影系统可提供较佳的密封效果，以处理位于晶圆吸附器(Wafer Chuck)上的晶圆。
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公开(公告)号：CN101241517A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710129409.3
申请日：2007-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G06F17/5068 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70466
Abstract: 本发明是有关于一种划分图案布局的方法，包括：提供图案布局，其中此图案布局具有多个特征；检查图案布局以判定需划分的特征；以第一颜色与第二颜色对需划分的特征进行着色步骤；藉由分解具有图案冲突的特征以及将此分解特征涂上第一颜色与第二颜色，来解决多个着色冲突；以及以涂上第一颜色的特征来形成第一光罩以及以涂上第二颜色的特征来形成第二光罩。本发明可以有效且高效率地划分全晶片图案布局，可以使独立的布局达到近似的图案密度，还可以将现行曝光机台扩展来印刷下一世代设计图案，更可藉由将这些图案划分成独立的布局来增加每一独立布局的间距。
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公开(公告)号：CN100377304C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410080593.3
申请日：2004-10-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F1/00 , G03F7/00 , G06F17/50
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/70441 , G06T7/0004 , G06T2207/30148
Abstract: 一种在半导体与掩模制造中改善晶圆上的图案化特征结构的临界尺寸均匀性的方法。在一实施例中，提供一种评估装置以评估形成于晶圆上的若干个电路布置的临界尺寸分布，该若干个电路布置由一掩模定义。在该若干个电路布置上执行一逻辑操作，以撷取图案化特征结构。将图案化特征结构和设计规则做比较，假如图案化特征结构与设计规则之有偏差或差距，则此差距可经由调整光刻的可调式参数(例如掩模制造)来做补偿。
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公开(公告)号：CN1328760C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200310124402.4
申请日：2003-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/82 , H01L21/66 , G03F7/00 , G03F1/00
Abstract: 本发明提供在集成电路制造上辨别不良图形节距以增进微影制程的方法。在一定的照明条件下，可根据聚焦深度或关键尺寸一致性在一图形节距范围的变化决定不良而应受禁止的图形节距。进一步可在设计规则中限制不能使用禁止图形节距(forbidden pitches)，则不必使用下一代的曝光工具微影制程即能有足够共同制程空间(process window)以含盖处理关键尺寸越来越小的下一代组件。因此，能增进光学制程空间而使图案化制程的效果和芯片制造的合格率提升。
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公开(公告)号：CN1987656A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610112280.0
申请日：2006-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林本坚
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明是有关于一种多重光罩曝光系统及其曝光方法。该多重光罩曝光系统包括一光罩载台模块，用以支承一第一光罩及一第二光罩，其中第一光罩经一第一光束照射后形成具有一第一图案的第一转换光束，第二光罩经一第二光束照射后形成一具有一第二图案的第二转换光束。此曝光系统亦包括一光束结合器，用以结合第一转换光束及第二转换光束，以形成一结合图案光束，此结合图案光束被投射于具有一光阻层之基板。本发明多重光罩曝光系统及其曝光方法具有达到降低制造成本、提高生产率及消除对准问题的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1963675A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510115212.5
申请日：2005-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明是有关于一种浸没式微影设备及制程。适用于半导体制造程序之中的浸没式微影系统，其提供了一对着晶圆表面移动的镜头组件，并包括了一与镜头组件组装在一起，顺着镜头组件移动的喷嘴及排水组件。喷嘴与排水组件可被环绕配置于镜头周围，并且彼此相对，或者可提供一包括复数个交替配置的可选择性喷嘴及排水设备的环圈，环绕于镜头周围，其中喷嘴及排水组件是可围绕着镜头作转动的。正在进行图刻程序的晶圆至少会有一部份被沉浸于喷嘴组件所提供的液体中，而液流方向可经由操作喷嘴与排水组件来加以控制。可将液流方向指向外侧，如此有助于减轻微粒子污染现象。
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公开(公告)号：CN1892433A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610095876.4
申请日：2006-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种湿浸式光刻的方法、湿浸式光刻系统、及装置，包括：湿浸液体座架，用于包含湿浸液体；夹片台，用于将涂布有光致刻蚀剂的半导体晶片放置在该湿浸液体座架内；以及镜头，紧邻该湿浸液体座架并且可被放置用于通过该湿浸液体而将影像投影在该涂布有光致刻蚀剂的半导体晶片上。本发明所述的湿浸式光刻的方法和装置可以使湿浸镜头反应室免于遭受缺陷附着。另外，本发明可以减少镜头、光致刻蚀剂、传感器、晶片夹片台和湿浸液体座架间的交互污染。另外，本发明还可以减少装置维修频率和复杂度。另外，本发明可以致使光致刻蚀剂表面免于遭受缺陷和水渍污染，或降低缺陷和水渍污染。
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公开(公告)号：CN1245668C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN02145826.X
申请日：2002-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林本坚
Abstract: 本发明涉及一种曝光系统及其曝光方法，利用在欲曝光的品片与镜头之间提供一液体，以提高曝光路径的折射率。此曝光系统至少包括：一液体槽，用以承载液体；一晶片支撑装置，设置于液体槽内部，用以支撑晶片，使得晶片表面与液体接触；以及一曝光装置，具有一镜头，设置于液体槽内部的晶片上方，使镜头表面与液体接触。
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公开(公告)号：CN1206574C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02128690.6
申请日：2002-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林本坚
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种曝光装置及曝光方法。为提供一种降低制程成本、提高光罩上透明板光学性质、适用于短波长光源的半导体制造设备及方法，提出本发明，其曝光方法包括提供光罩，并将保护盖固定于光罩表面；将覆盖保护盖的光罩移入曝光准备室内部；于曝光准备室内部拆除保护盖；于曝光准备室内，将透明板覆盖于已拆除保护盖的光罩表面，以形成光罩组合；将光罩组合移入曝光室内，并设置于曝光室内的镜头与光源之间，令光源透过光罩组合及镜头进行曝光程序；曝光装置包括曝光准备室及曝光室；曝光准备室内设有用以覆盖于光罩表面形成光罩组合的透明板；曝光室内设有光源及设置于光源下方并形成容置光罩组合间距的镜头。
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公开(公告)号：CN1475862A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02128690.6
申请日：2002-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林本坚
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种曝光装置及曝光方法。为提供一种降低制程成本、提高光罩上透明板光学性质、适用于短波长光源的半导体制造设备及方法，提出本发明，其曝光方法包括提供光罩，并将保护盖固定于光罩表面；将覆盖保护盖的光罩移入曝光准备室内部；于曝光准备室内部拆除保护盖；于曝光准备室内，将透明板覆盖于已拆除保护盖的光罩表面，以形成光罩组合；将光罩组合移入曝光室内，并设置于曝光室内的镜头与光源之间，令光源透过光罩组合及镜头进行曝光程序；曝光装置包括曝光准备室及曝光室；曝光准备室内设有用以覆盖于光罩表面形成光罩组合的透明板；曝光室内设有光源及设置于光源下方并形成容置光罩组合间距的镜头。
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