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公开(公告)号：CN108227394A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710984884.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种叠对监测及控制方法，包括通过一图案化机台以图案化一基板、从基板上的多个场域收集多个叠对误差、通过应用第一过滤操作及不同于第一过滤操作的第二过滤操作从多个叠对误差识别噪声。上述方法进一步包括将未被识别为噪声的多个叠对误差分类为一过滤后的叠对误差集合。基于过滤后的叠对误差集合计算一叠对补偿，并且根据此叠对补偿执行一补偿程序到图案化机台。本公开提供一种叠对监测及控制方法可达到全映射(full mapping)及场域内高阶程序校正，而不需减少光刻曝光制程的生产率，亦提供动态前馈的控制以减少叠对误差，提升晶圆与晶圆以及批次与批次间的叠对品质。
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公开(公告)号：CN100587934C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710166248.5
申请日：2007-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光学式关键尺寸量测准确度的改善系统及其方法。该方法包含：找出一工艺参数；找出该薄膜的折射率以及消光系数分别为该工艺参数的函数；在回归模拟时，利用该工艺参数经由所述函数调整该薄膜的折射率以及消光系数；借着取得该工艺参数的一最佳值完成该光学式关键尺寸量测，其中该最佳值极小化了实验光谱与其理论预测之间的差异。该系统包含：用以找出上述工艺参数的找出手段；用以找出所述函数的找出手段；利用该工艺参数经由所述函数调整该薄膜的折射率以及消光系数的调整手段；以及完成该光学式关键尺寸量测的完成手段。藉由工艺参数以在回归模拟时调整晶圆基板上薄膜的折射率/消光系数(n/k)值，以降低关键尺寸量测的误差。
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公开(公告)号：CN100538516C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510135407.6
申请日：2005-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027 , G05D23/00
CPC classification number: G05D23/24 , G05D23/1934
Abstract: 本发明提供一种制程控制方法及半导体制造方法，具体涉及一种利用具有加热区域的加热装置的制程控制方法。首先，指定一标的关键尺寸图。取得对应被在一基线设定下的加热装置进行处理的一基材的一基线关键尺寸图。取得对应被在一原始设定下的加热装置进行处理的一基材的一原始关键尺寸图。对于每一加热区域，取得对应被在一偏移的情况下的加热装置进行处理的一基材的一偏移关键尺寸图。加热装置的温度分布可以依据由基线关键尺寸图与标的关键尺寸图所定义的误差关键尺寸图、由原始关键尺寸图与偏移关键尺寸图所定义的基本函数、以及利用基本函数展开误差关键尺寸图的展开系数来进行调整。本发明改善了关键尺寸的一致性。
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公开(公告)号：CN100485530C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610066510.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70625
Abstract: 本发明提供一种改善微影制程的良率以及产能的方法，主要包括下列步骤：在第一制程晶圆上形成第一光阻层。接着加热制程根据第一温度曲线，于第一光阻层上形成第一光阻图案，其中加热制程包括复数个可控制的温度加热区。然后产生并且收集来自第一光阻图案的散射光线。随后处理散射光线，以获得第一光阻图案特征尺寸的3D资讯。接着决定执行加热制程所需要的第二温度曲线，以取得第二光阻图案特征尺寸，其中第二光阻图案特征尺寸包括第二制程晶圆上的第二光阻图案。最后加热制程根据第二温度曲线形成第二光阻图案。
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公开(公告)号：CN101174581A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710111439.1
申请日：2007-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种最佳化一集成电路的临界尺寸的方法与光罩。该方法包括：提供一使用于该集成电路中的第一光罩，其中该集成电路至少包括一元件区域；提供一第二光罩，该光罩由该第一光罩复制而成，该光罩至少包括该第一光罩的图案；以及使用该第一光罩及该第二光罩对该集成电路执行至少一次微影制程，其中使用该第二光罩最佳化该集成电路的临界尺寸。本发明不被光栅尺寸或元件范围的位置所限制，用于最佳化曝光区域内临界尺寸均匀度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108345177A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710060271.X
申请日：2017-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供层迭误差测量装置及方法。装置包括光源、光学系统、物镜及检测器。光源用于产生测量光。光学系统用于将测量光导引至物镜中。物镜用于将测量光导引至一层迭标记上，同时将从层迭标记绕射的正主极绕射光与负主极绕射光收集至物镜的光瞳面上。检测器设置于物镜的光瞳面上，用于检测前述正、负主极绕射光的光强度分布，并利用正、负主极绕射光的所述光强度分布相减而得到层迭标记的一层迭误差信号。其中，光学系统包括一光圈，其具有至少一透光区域，其位置、尺寸及/或形状根据层迭误差信号中的噪声的位置为可调变的。本公开提供的层迭误差测量装置能够改善层迭误差信号的品质，并可提高层迭误差检测的准确度。
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公开(公告)号：CN105988307A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610135755.1
申请日：2016-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F7/70483 , G03F7/70558 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , G03F9/7026 , G03F7/7085
Abstract: 半导体制造中的结构至少包括第一周期性的非对称的部件和第二周期性的非对称的部件。第一部件包含多个周期性分布的第一元件。第一部件具有第一非对称的轮廓，使得当第一部件旋转180度时，第一部件不再具有相同的第一非对称的轮廓。第二部件包含多个周期性分布的第二元件。第二部件具有第二非对称的轮廓，使得当第二部件旋转180度时，第二部件不再具有相同的第二非对称的轮廓。第二非对称的轮廓不同于第一非对称的轮廓。本发明的实施例还涉及用于预估曝光工艺的焦点和剂量的方法和装置。
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公开(公告)号：CN102087488B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201010249719.0
申请日：2010-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70283 , G03F7/70633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种具有一对准标记的装置以及用于制作半导体组件的方法。该对准标记包括一第一部分，该第一部分具有多个第一特征部。每一第一特征部具有一第一尺寸和一第二尺寸，第一尺寸是第一方向上所测得，第二尺寸是第二方向上所测得，第二方向大体上垂直于第一方向。第二尺寸大于第一尺寸。对准标记也包括一第二部分，该第二部分具有多个第二特征部。每一第二特征部具有一第三尺寸和一第四尺寸，第三尺寸是第一方向上所测得，第四尺寸是第四方向上所测得。第四尺寸小于第三尺寸。在第一方向和第二方向上，至少一第二特征部被多个第一特征部部分地包围着。
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公开(公告)号：CN102087488A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010249719.0
申请日：2010-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70283 , G03F7/70633 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种具有一对准标记的装置以及用于制作半导体组件的方法。该对准标记包括一第一部分，该第一部分具有多个第一特征部。每一第一特征部具有一第一尺寸和一第二尺寸，第一尺寸是第一方向上所测得，第二尺寸是第二方向上所测得，第二方向大体上垂直于第一方向。第二尺寸大于第一尺寸。对准标记也包括一第二部分，该第二部分具有多个第二特征部。每一第二特征部具有一第三尺寸和一第四尺寸，第三尺寸是第一方向上所测得，第四尺寸是第四方向上所测得。第四尺寸小于第三尺寸。在第一方向和第二方向上，至少一第二特征部被多个第一特征部部分地包围着。
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公开(公告)号：CN101271268A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810009312.3
申请日：2008-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/7075 , G03F1/44 , G03F7/705 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70641 , G03F7/70675
Abstract: 本发明是关于一种微影对焦以及/或能量的最佳化方法及其系统，该方法和系统使用特别设计的光学关键尺寸图案。在接收一包含复数个光罩的晶圆后，可使用整合式量测系统测量光罩的关键尺寸、线路末端缩短以及复数个光罩的侧壁角度，在模拟光谱数据库中执行光谱分析以形成分析数据；该分析数据储存在光学关键尺寸数据库的复数个查询表格中，执行查询该些查询表格以决定晶圆的对焦或能量；本发明提供了一种可提供在线量测方法与系统，对焦或能量的量测可在临场进行量测；本发明可提供在光学关键尺寸数据库中较好的数据品质以及解析度，并且可根据分析的数据，提供早期错误警报，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。
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