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公开(公告)号：CN112864137A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011320455.3
申请日：2020-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种封装器件。实施例包含第一封装组件，第一封装组件包含第一集成电路管芯和至少部分地包围第一集成电路管芯的第一密封体。器件还包含位于第一密封体上且耦合到第一集成电路管芯的重布线结构。器件还包含耦合到第一集成电路管芯的第一热模块。器件还包含接合到第一封装组件的第二封装组件，第二封装组件包含附接到第一封装组件的电源模块，电源模块包含有源器件。器件还包含耦合到电源模块的第二热模块。器件还包含从第二热模块的顶部表面延伸到第一热模块的底部表面的机械支架，机械支架物理接触第一热模块和第二热模块。
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公开(公告)号：CN112436001A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010868186.8
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种封装件包括：封装衬底；中介层，位于封装衬底上方并且接合至封装衬底；第一晶圆，位于中介层上方并且接合至中介层；以及第二晶圆，位于第一晶圆上方并且接合至第一晶圆。第一晶圆中具有独立的无源器件管芯。第二晶圆中具有有源器件管芯。本发明的实施例还涉及封装件的形成方法。
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公开(公告)号：CN106653744B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201610624175.9
申请日：2016-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/24
Abstract: 一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107492532B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201611253338.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/50 , G06K9/00
Abstract: 一种封装件包括传感器管芯和将传感器管芯密封在其中的密封材料。密封材料的顶面与传感器管芯的顶面大致共面或高于传感器管芯的顶面。多个感测电极高于传感器管芯和密封材料。多个感测电极被布置为多个行和列，并且多个感测电极电连接至传感器管芯。介电层覆盖多个感测电极。本发明的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN111799227A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010242219.8
申请日：2020-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31
Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，该封装的半导体器件包括附接至再分布结构的第一管芯、附接至第一管芯的第二管芯以及围绕第一管芯和第二管芯的模塑料。在实施例中，方法包括在第一再分布结构上方形成电耦接至第一再分布结构的第一导电柱；将第一管芯附接至第一再分布结构，第一管芯包括第二导电柱；在邻近第二导电柱的位置将第二管芯附接至第一管芯；用密封剂密封第一导电柱、第一管芯和第二管芯；在密封剂、第一导电柱、第一管芯和第二管芯上方形成第二再分布结构；并且将第三管芯接合至第一再分布结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026154B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201611219635.6
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一个实施例，半导体结构包括多芯片封装件系统(MCPS)。MCPS包括一个或多个管芯、沿着一个或多个管芯的侧壁延伸的模塑料、以及位于一个或多个管芯和模塑料上方的再分布层(RDL)。半导体结构还包括连接至RDL的至少一个传感器，RDL插入在至少一个传感器和一个或多个管芯之间。半导体结构还包括具有在衬底的第一侧上的导电部件的衬底。导电部件连接至RDL。衬底具有从衬底的第一侧延伸至衬底的与第一侧相对的第二侧的空腔，并且至少一个传感器设置在空腔中。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN107068627B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710073702.6
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 本揭露实施例涉及一种装置封装件以及一种用于形成装置封装件的方法，其中，该装置封装件包含传感器裸片；一或多个额外裸片，其相邻于所述传感器裸片；以及模塑料，其圈住所述传感器裸片及所述一或多个额外裸片。所述装置封装件进一步包含重布层，所述重布层在所述传感器裸片、所述一或多个额外裸片、及所述模塑料上方。所述重布层包含第一导电构件，所述第一导电构件在第一介电层中。所述第一导电构件电连接所述传感器裸片到所述一或多个额外裸片。所述重布层进一步包含电极阵列，所述电极阵列在第二介电层中且电连接到所述传感器裸片，所述第二介电层是在所述第一介电层上方。
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公开(公告)号：CN110957229A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910912553.7
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：传感器管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，传感器管芯在第一表面处具有输入/输出区域和第一感测区域；密封剂，至少横向地密封传感器管芯；导电通孔，延伸穿过密封剂；以及前侧再分布结构，位于传感器管芯的第一表面上，前侧再分布结构连接至导电通孔和传感器管芯，前侧再分布结构覆盖传感器管芯的输入/输出区域，前侧再分布结构具有暴露传感器管芯的第一感测区域的第一开口。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110880457A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910831648.6
申请日：2019-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/485 , H01L23/498
Abstract: 一种方法包括在载体上方形成复合材料层，该复合材料层包括结合到基底材料中的填充材料的颗粒，在复合材料层的第一侧上方形成一组通孔，将管芯附接在复合材料层的第一侧上方，管芯与该组通孔间隔开，在复合材料层的第一侧上方形成模制材料，模制材料最少横向密封管芯和该组通孔的通孔，在管芯和模制材料上方形成再分布结构，再分布结构电连接到通孔，在与第一侧相对的复合材料层的第二侧中形成开口，以及在开口中形成导电连接件，导电连接件电连接到通孔。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110660753A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910454554.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：第一再分布结构，包括第一介电层；管芯，粘附至第一再分布结构的第一侧；密封剂，横向密封管芯，密封剂通过第一共价键与第一介电层接合；穿过密封剂的通孔；第一导电连接器，电连接至第一再分布结构的第二侧，第一导电连接器的子集与密封剂和管芯的界面重叠。本发明实施例涉及半导体封装件和方法。
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