-
公开(公告)号:CN103855132B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201310067840.5
申请日:2013-03-04
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/58
CPC分类号: H01L21/50 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L2224/16
摘要: 本发明公开了用于三维集成电路的装置和方法,其中,一种结构包括:衬底,包括位于衬底上的多条线;多个连接件,形成在半导体管芯的顶面上,半导体管芯形成在衬底上并通过多个连接件和形成在衬底顶面的角部处的伪金属结构连接至衬底,伪金属结构具有两个不连续部分。
-
公开(公告)号:CN104051327A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310334939.7
申请日:2013-08-02
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/528
CPC分类号: H01L23/48 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/13101 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83051 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/351 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要: 提供了用于半导体封装的表面处理方法和装置。在一个实施例中,对导电层的表面进行处理以生成粗化表面。在一个实例中,在导电层的表面上形成纳米线。在铜导电层的情况中,纳米线可以包含CuO层。在另一个实例中,在导电层的表面上形成络合物。可以使用例如硫醇和亚磷酸三甲酯形成该络合物。
-
公开(公告)号:CN103151324A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201210076862.3
申请日:2012-03-21
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488
CPC分类号: H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05016 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/13014 , H01L2224/13015 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16225 , H01L2224/81191 , H01L2224/81385 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2224/81805
摘要: 本发明涉及的器件包括第一和第二封装部件。金属迹线设置在第一封装部件的表面上。该金属迹线具有长度方向。该金属迹线包括具有边的部分,其中,该边不平行于金属迹线的长度方向。第二封装部件包括金属柱,其中,第二封装部件设置在第一封装部件上方。焊料区域将金属柱与金属迹线相接合,其中,焊料区域与金属迹线部分的顶面和边相接触。本发明还提供了一种接合结构的接合区域设计。
-
公开(公告)号:CN107958891B
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN201710632038.4
申请日:2017-07-28
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498
摘要: 本公开实施例提供芯片封装结构及其形成方法。芯片封装包括具导电特征的半导体管芯,及保护层包围半导体管芯。芯片封装亦包括介电层,位于半导体管芯及保护层之上,并部分覆盖导电特征。导电特征从保护层及介电层露出。芯片封装还包括导电层,穿透介电层并与半导体管芯的导电特征电性连接。导电特征具有被介电层覆盖的第一部分及从介电层中露出的第二部分,且第二部分的表面粗糙度大于第一部分。
-
公开(公告)号:CN102903689B
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201210020460.1
申请日:2012-01-29
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488
CPC分类号: H01L24/16 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/10145 , H01L2224/13012 , H01L2224/13015 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , Y10T428/12493 , Y10T428/24479 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 凸块和凸块导线直连(BOT)结构的实施例提供了凸块,该凸块具有用于填充回流焊料的凹进区域。凹进区域位于回流焊料最可能突出的凸块区域中。凹进区域降低凸块与迹线短路的风险。因此,可以提高成品率。本发明还提供了一种新凸块结构。
-
公开(公告)号:CN103456697A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201310125458.5
申请日:2013-04-11
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L23/3121 , H01L21/304 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L21/82 , H01L23/293 , H01L23/3135 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/564 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供了一种器件,包括第一封装部件和在第一封装部件下面的并与其接合的第二封装部件。模制材料设置在第一封装部件下方并且模制为与第一封装部件和第二封装部件接触,其中,模制材料和第一封装部件形成界面。隔离区包括第一边缘,其中,隔离区的第一边缘与第一封装部件的第一边缘和模制材料的第一边缘接触。隔离区域的底部低于界面。本发明还提供了用于封装件的隔离环及其形成方法。
-
公开(公告)号:CN110660753B
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN201910454554.1
申请日:2019-05-29
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要: 在实施例中,一种器件包括:第一再分布结构,包括第一介电层;管芯,粘附至第一再分布结构的第一侧;密封剂,横向密封管芯,密封剂通过第一共价键与第一介电层接合;穿过密封剂的通孔;第一导电连接器,电连接至第一再分布结构的第二侧,第一导电连接器的子集与密封剂和管芯的界面重叠。本发明实施例涉及半导体封装件和方法。
-
公开(公告)号:CN104051378A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201310311846.2
申请日:2013-07-23
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/56 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/11823 , H01L2224/11824 , H01L2224/11831 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81801 , H01L2224/92125 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0541 , H01L2924/15311 , H01L2924/20103 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及用于封装的铜表面处理。管芯具有顶面,及具有在管芯顶面上方突出的一部分的金属柱。金属柱的侧壁具有纳米线。管芯与封装衬底相接合。底部填充填充至管芯和封装衬底之间的间隔内。
-
公开(公告)号:CN103915354A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201310118009.8
申请日:2013-04-07
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H05K3/3452 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H05K3/28 , H05K2201/10674 , H05K2203/0594 , Y10T428/24802 , H01L24/14 , H01L24/11 , H01L2224/118
摘要: 提供了一种器件。该器件可以包括集成电路封装件。该集成电路封装件可以包括第一层和焊料掩模。第一层可以包括顶面,其中焊料掩模设置在第一层的顶面上。焊料掩模可以包括纵向边缘。纵向边缘可以在第一层的顶面和纵向边缘之间形成不小于90度的角。该角可以不小于120度或不小于150度。本发明公开了用于BOT层压封装件的改进的焊料掩模形状。
-
公开(公告)号:CN102903689A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201210020460.1
申请日:2012-01-29
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488
CPC分类号: H01L24/16 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05599 , H01L2224/10145 , H01L2224/13012 , H01L2224/13015 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16238 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , Y10T428/12493 , Y10T428/24479 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 凸块和凸块导线直连(BOT)结构的实施例提供了凸块,该凸块具有用于填充回流焊料的凹进区域。凹进区域位于回流焊料最可能突出的凸块区域中。凹进区域降低凸块与迹线短路的风险。因此,可以提高成品率。本发明还提供了一种新凸块结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-