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公开(公告)号：CN107808870B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710534227.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 实施例封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂以及将第一导电通孔电连接到第二导电通孔的导线。该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有沿第一方向延伸的第一长度方向尺寸的第一段，以及具有沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸的第二段。第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的边界上方延伸。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN106548996B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201610609240.0
申请日：2016-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及一种结构，包括：金属焊盘、具有覆盖金属焊盘的边缘部分的部分的钝化层和在钝化层上方的伪金属板。伪金属板中具有多个贯穿开口。伪金属板具有锯齿形边缘。介电层具有在伪金属板上面的第一部分、填充多个第一贯穿开口的第二部分和接触第一锯齿形边缘的第三部分。本发明的实施例还涉及具有锯齿形边缘的伪金属。
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公开(公告)号：CN108987380A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201711338372.5
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/522
Abstract: 一种实施例封装件包括密封在第一密封剂中的第一集成电路管芯；延伸穿过第一密封剂的第一贯通孔；以及设置在位于第一贯通孔和第一密封剂上方的介电层中的导电焊盘。导电焊盘包括第一区域，其中，在顶视图中，第一区域电连接至第一贯通孔并且具有环绕第一贯通孔的外边界的外边界。封装件还包括延伸穿过导电焊盘的第一区域的第一介电区。在顶视图中，第一区域的材料环绕第一介电区。本发明的实施例还涉及半导体封装件中的导电通孔及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107342277A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710213919.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 实施例器件包括集成电路管芯和位于集成电路管芯上方的第一金属化图案。第一金属化图案包括具有延伸穿过第一导电区的第一孔的第一伪图案。该器件还包括位于第一金属化图案上方的第二金属化图案。第二金属化图案包括具有延伸穿过第二导电区的第二孔的第二伪图案。第二孔以凸出的方式布置为与第一孔的部分和第一导电区的部分重叠。本发明还提供了封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119694903A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411318308.0
申请日：2024-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/50 , H10B80/00 , H01L25/18 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/52
Abstract: 提供了一种半导体器件和制造方法，其中半导体器件连接在半导体衬底上方。半导体器件内的密封环延伸至包括接合层内的第一接合金属，以及接合至半导体衬底上方的第二接合金属。这样的密封环提供了更完整的保护，防止裂纹和分层。
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公开(公告)号：CN118712144A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410720447.X
申请日：2024-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56 , H01L21/50
Abstract: 在实施例中，封装件包括集成电路管芯和中介层，集成电路管芯包括第一绝缘接合层和第一半导体衬底，中介层包括第二绝缘接合层和第二半导体衬底。第二绝缘接合层利用电介质对电介质接合直接接合至第一绝缘接合层。该封装件还包括位于中介层上方并且围绕集成电路管芯的密封剂。密封剂还沿着垂直于第一半导体衬底的主表面的线设置在第一绝缘接合层和第二绝缘接合层之间。本公开的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN118412292A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410403283.8
申请日：2024-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/56
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括在再分布结构上接合复合管芯。复合管芯包括器件管芯，器件管芯包括半导体衬底，和穿过半导体衬底的贯穿半导体通孔，复合管芯还包括位于器件管芯的表面的金属通孔，以及连接至器件管芯的牺牲载体。复合管芯密封在密封剂中。在复合管芯和密封剂上实施平坦化工艺，并且去除牺牲载体以暴露出金属通孔。导电部件形成为电连接至金属通孔。
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公开(公告)号：CN112563229A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011007355.5
申请日：2020-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装包括半导体管芯、重布线结构及连接端子。重布线结构设置在半导体管芯上且包括设置在一对介电层之间的第一金属化层级。第一金属化层级包括电连接到半导体管芯的路由导电迹线以及与半导体管芯电绝缘的屏蔽板片。连接端子包括虚设连接端子及有效连接端子。虚设连接端子设置在重布线结构上且电连接到屏蔽板片。有效连接端子设置在重布线结构上且电连接到路由导电迹线。虚设连接端子的垂直投影落在屏蔽板片上。
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公开(公告)号：CN107342277B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710213919.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 实施例器件包括集成电路管芯和位于集成电路管芯上方的第一金属化图案。第一金属化图案包括具有延伸穿过第一导电区的第一孔的第一伪图案。该器件还包括位于第一金属化图案上方的第二金属化图案。第二金属化图案包括具有延伸穿过第二导电区的第二孔的第二伪图案。第二孔以凸出的方式布置为与第一孔的部分和第一导电区的部分重叠。本发明还提供了封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107546183A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610932928.2
申请日：2016-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/492 , H01L23/50
Abstract: 本发明提供一种包括集成电路、保护层及导通孔的半导体装置。所述集成电路包括至少一个导通垫。所述保护层覆盖所述集成电路。所述保护层包括接触开口，且所述导通垫被所述保护层的所述接触开口暴露出。所述导通孔嵌置在所述保护层的所述接触开口中，且所述导通孔通过所述接触开口电连接至所述导通垫。
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