公开(公告)号：CN116825716A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310696395.2

申请日：2023-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾建富 ,  吴伟诚 ,  袁玉洁 ,  叶德强 ,  张宏宾 ,  谢正贤 ,  许立翰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535

Abstract: 本发明提供一种通过结构以及其形成方法获得制造灵活性和效率，其中可以形成RDL接触特征并与硅通孔(TSV)对齐，而不管用于形成TSV的制造过程和形成接触特征的制造过程之间的相应关键尺寸(CD)存在任何潜在不匹配。提供了用于底层TSV的自对准曝光的各种工艺，而不需要额外的微影步骤。

公开(公告)号：CN105261609B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510397288.5

申请日：2015-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  叶德强 ,  吴伟诚 ,  曾建富

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/78 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/06 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 本发明公开了半导体器件封装件、封装方法以及封装的半导体器件。在一些实施例中，用于半导体器件的封装件包括集成电路管芯安装区域和集成电路管芯安装区域周围的模塑料。互连结构位于模塑料和集成电路管芯安装区域上方。保护图案位于互连结构周围的封装件的周边区域中。保护图案包括：第一导电部件，在第二导电部件附近垂直地位于封装件内。第一导电部件具有第一宽度，并且第二导电部件具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。本发明还涉及半导体器件封装件、封装方法和封装的半导体器件。

公开(公告)号：CN118412292A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410403283.8

申请日：2024-04-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾建富 ,  叶德强 ,  张宏宾 ,  谢正贤 ,  许立翰 ,  李孟灿 ,  吴伟诚 ,  王景德

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括在再分布结构上接合复合管芯。复合管芯包括器件管芯，器件管芯包括半导体衬底，和穿过半导体衬底的贯穿半导体通孔，复合管芯还包括位于器件管芯的表面的金属通孔，以及连接至器件管芯的牺牲载体。复合管芯密封在密封剂中。在复合管芯和密封剂上实施平坦化工艺，并且去除牺牲载体以暴露出金属通孔。导电部件形成为电连接至金属通孔。

公开(公告)号：CN105261609A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510397288.5

申请日：2015-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  叶德强 ,  吴伟诚 ,  曾建富

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/78 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/06 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 本发明公开了半导体器件封装件、封装方法以及封装的半导体器件。在一些实施例中，用于半导体器件的封装件包括集成电路管芯安装区域和集成电路管芯安装区域周围的模塑料。互连结构位于模塑料和集成电路管芯安装区域上方。保护图案位于互连结构周围的封装件的周边区域中。保护图案包括：第一导电部件，在第二导电部件附近垂直地位于封装件内。第一导电部件具有第一宽度，并且第二导电部件具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。本发明还涉及半导体器件封装件、封装方法和封装的半导体器件。