-
公开(公告)号：CN103507320A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310232829.X
申请日：2013-06-13
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H05K9/0088 , B32B9/04 , B32B37/18 , B32B2457/00 , B82Y30/00 , H05K9/0081 , Y10T156/10
摘要： 本发明涉及用于屏蔽电磁辐射的基于石墨烯的结构和方法。将物体从频率大于1兆赫兹的电磁辐射屏蔽的电磁干扰屏蔽结构和方法一般而言包括在将被屏蔽的物体附近设置高度掺杂的石墨烯片。所述高度掺杂的石墨烯片可具有能有效地反射电磁辐射的大于>1e1013cm-2的掺杂浓度或能有效地吸收电磁辐射的1e1013cm-2>n>0cm-2的掺杂浓度。
-
公开(公告)号：CN103459137A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280013918.9
申请日：2012-03-08
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L29/518 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78684
摘要： 一种半导体结构，其包括：衬底；所述衬底上的石墨烯层；所述石墨烯层上的源电极和漏电极，所述源电极与所述漏电极分开预定尺寸；所述石墨烯层上的氮化物层，其位于所述源电极与所述漏电极之间；以及所述氮化物层上的栅电极，其中所述氮化物层为用于所述栅电极的栅极电介质。
-
公开(公告)号：CN102986014A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180033207.3
申请日：2011-06-01
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/60 , B82Y40/00 , H01L21/58 , H01L23/498 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L21/768 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/50 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L23/4827 , H01L2221/1094 , H01L2221/68359 , H01L2224/83894 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046
摘要： 提供用于制造基于碳纳米管的器件的技术。在一个方面中，提供用于制造基于碳纳米管的集成电路的方法。该方法包含以下步骤。提供包含碳纳米管的第一晶片。提供包含一个或多个器件元件的第二晶片。通过将第一晶片与第二晶片接合在一起，使碳纳米管中的一个或多个与器件元件中的一个或多个连接。还提供基于碳纳米管的集成电路。
-
公开(公告)号：CN1484865A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN01821708.7
申请日：2001-12-21
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L51/0545 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , G11C2213/18 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , Y10S977/742 , Y10S977/845 , Y10S977/847 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/896 , Y10S977/938
摘要： 一种方法被提供来形成一器件。该方法提供一绝缘衬底，其包含一源极电极，一漏极电极，及一栅极电极。该方法提供包含金属之碳纳米管束及半导电组分纳米管与该衬底接触。该方法施加一电压至该栅极电极，以耗尽该半导电组分纳米管之载流子，施加一电流经由该纳米管，由一源极电极至一漏极电极，及破裂至少一个金属组分纳米管，以形成一场效应晶体管。该碳纳米管束可以为一多层壁纳米管或一单层壁纳米管索。
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.025 秒)
