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公开(公告)号：CN108768304A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810613494.9
申请日：2018-06-14
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
摘要： 本发明揭示了一种S波段50瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：步骤1、将放大器芯片共晶在钼铜载体上；步骤2、将元器件烧结到电路板上；步骤3、将烧结好元器件的电路板、共晶后的组件和绝缘子烧结到腔体上；步骤4、金丝键合；步骤5、对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标,经过此工艺生产的S波段50瓦脉冲功率放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求。生产此放大器的工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，降低了生产成本、提高了生产效率值得推广。
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公开(公告)号：CN111934077A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010786785.5
申请日：2020-08-07
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
摘要： 本发明提供一种Ka波段波导接收模块制作工艺，包括以下步骤：S1：射频绝缘子与套筒用217℃焊膏焊接，得到射频绝缘子组件；S2：绝缘子、微波电路板与腔体钎焊，得到组件A；S3：在组件A和电源电路板上焊接元器件，分别得到组件B和电源电路板组件；S4：将组件B和电源电路板组件进行汽相清洗；S5：电源电路板组件、连接器安装以及手工焊接导线，得到组件C；S6：将各裸芯片进行共晶焊接，制作共晶组件；S7：将共晶组件粘接到组件C上；S8：用25μm金丝对共晶组件进行锲形键合；S9：封盖；本发明产品制作工艺流程科学合理，有很强的实操性，适用小批量生产，通过本发明方法制作的产品，经过筛选环境试验产品指标无恶化，可靠性高。
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公开(公告)号：CN107731695B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711076799.2
申请日：2017-11-06
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法，所述烧结方法包括：初步安装：在工件的腔体内涂覆助焊剂，之后将多个焊料片放置在腔体内，在每个焊料片表面涂覆助焊剂，将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面，形成预装组件；烧结处理：将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理；解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长，合金焊料易氧化，最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。
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公开(公告)号：CN110256096A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910509157.X
申请日：2019-06-13
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC分类号： C04B37/00
摘要： 本发明公开了一种多个陶瓷基板与壳体回流焊接的工艺方法，包括：步骤1、涂覆助焊剂；步骤2、裁剪焊片；步骤3、通过焊接工装将陶瓷基板固定至壳体上；步骤4、设置好回流炉工艺参数并将组件放置在传送带上，进行回流焊接；步骤5、对焊接后的成品进行验证。该工艺方法加热面积大、人为误差小，能够实现多个陶瓷基板一次焊接成型，极大地提高了焊接效率，同时降低了人力和物料成本。
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公开(公告)号：CN110213909A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910565428.3
申请日：2019-06-27
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
摘要： 本发明提供一种Ku波段双通道检波模块的制作方法，包括以下步骤：步骤1、将检波电路板烧结到腔体内；步骤2、将器件烧结到腔体内；步骤3、使用汽相清洗机将烧结元器件的Ku波段双通道检波模块腔体进行清洗；步骤4、封盖，完成模块盖板装配。本发明设计合理，方法流程科学，借助微电子组封装工艺技术，进行Ku波段双通道检波模块制作，制作出来的Ku波段双通道检波模块具有体积小、安装灵活、可靠性高、稳定性高、检波范围大的特点，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN111565518A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010419753.1
申请日：2020-05-18
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
摘要： 本发明公开了一种X波段80瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：采用罗杰斯5880射频电路板烧结、80W功率放大器芯片共晶、阻容器件胶结、金丝键合以及将盖板装入电测试合格的80W功率放大器模块主腔体完成封盖；该X波段80瓦功率放大器的制作工艺设计合理，借助微电子组封装工艺技术，可高效制作出稳定可靠的X波段80瓦功率放大器，制作的放大器具有散热好、指标优异、稳定性高、体积小、可靠性高等的特点。
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公开(公告)号：CN110856373A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911151816.3
申请日：2019-11-22
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC分类号： H05K3/34
摘要： 本发明公开了一种激励信号模块加工方法，其特征在于：制作过程主要包括：步骤1)多个绝缘子以及射频电路板与腔体钎焊；步骤2)元器件烧结；步骤3)第一次清洗；步骤4)电装焊接；步骤5)第二次清洗，6)封盖、刷三防漆。本发明这种激励信号模块加工方法，产品制作工艺更加科学实用，产品合格率提高，为批量化生产提供了有力保障，制作工艺流程简单，适用大批量生产，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107910273B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711077020.9
申请日：2017-11-06
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , B23K31/02 , B23K101/40
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板烧结的方法，所述方法包括：将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件，之后对预装组件进行预热；其中，焊片的熔点为M，预热的条件包括：预热设为N个递增的温度梯度，分别为C1、C2…Cn，C1为45‑55℃，相邻的两个温度梯度的差值为45‑55℃，且Cn＜M，n为正整数；对预装组件进行烧结，烧结的温度为205‑215℃。解决了在工艺操作过程中，LTCC基板烧结在腔体上时，LTCC基板会出现裂纹，影响产品质量以及可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN107346747B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710415792.2
申请日：2017-06-05
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种芯片焊接方法，步骤a、垫块正面镀金，背面镀银；步骤b、垫块第一接触面预覆锡，形成第一焊料层；步骤c、将步骤b中的垫块预加热，将芯片放置在第一焊料层上，进行摩擦焊接；步骤d、将步骤c中垫块第二接触面预覆锡，形成第二焊料层；步骤e、在壳体上待安装垫块的焊接区域上预覆锡，形成第三焊料层；步骤f、将步骤e中壳体预加热，待第三焊料层熔化后，将步骤d中垫块放置在第三焊料层上，进行摩擦焊接，使第二焊料层与第三焊料层充分接触，通过第二焊料层和第三焊料层将垫块与壳体连接。本发明尤其适用小批量、多品种研制类产品的应用实现，能够在确保焊接高质量的同时有效降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN110190372A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910509161.6
申请日：2019-06-13
申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开一种宽频带一分六等功率分配器，上层一分六微带线结构附于中间介质基板上表面，底层金属覆铜地板附于中间介质基板下表面；中间介质基板上表面一端设置信号输入端，信号输入端直接连接主路一分二等分功分电路，其两支路的末端均连接一分二不等分功分电路，按2:1功率分成两个支路，将功率小的作为第二信号输出端，功率大的连接一个支路一分二等分功分电路，从而形成第三和第四信号输出端；上层一分六微带线结构关于X轴对称，以依次形成多个信号输出端；每个一分二功分器分成的支路之间均设置有隔离电阻，六个信号输出端均连接一个3dBπ型衰减电路。其结构简单，损耗低，功率分配一致性好，相位一致性好，有效地提高功分器的隔离度性能。
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