公开(公告)号：CN109769352B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201910193901.X

申请日：2019-03-14

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 聂庆燕 ,  周宗明 ,  李金晶 ,  张丽 ,  俞畅

IPC分类号： H05K3/34

摘要： 本发明公开了一种80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：清洗；放大器芯片的共晶焊接；高频电路的装配；元器件和绝缘子的烧结；共晶组件的烧结；引线键合；封盖。本发明这种80W功率放大器模块的制作方法，可方便高效的进行生产制造，满足生产需求，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN107731695B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201711076799.2

申请日：2017-11-06

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 汪宁 ,  费文军 ,  陈兴盛 ,  李金晶 ,  孟庆贤 ,  聂庆燕 ,  汪伦源 ,  张丽

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/324

摘要： 本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法，所述烧结方法包括：初步安装：在工件的腔体内涂覆助焊剂，之后将多个焊料片放置在腔体内，在每个焊料片表面涂覆助焊剂，将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面，形成预装组件；烧结处理：将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理；解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长，合金焊料易氧化，最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。

公开(公告)号：CN109769352A

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201910193901.X

申请日：2019-03-14

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 聂庆燕 ,  周宗明 ,  李金晶 ,  张丽 ,  俞畅

IPC分类号： H05K3/34

摘要： 本发明公开了一种80W功率放大器模块的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：清洗；放大器芯片的共晶焊接；高频电路的装配；元器件和绝缘子的烧结；共晶组件的烧结；引线键合；封盖。本发明这种80W功率放大器模块的制作方法，可方便高效的进行生产制造，满足生产需求，具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN109618502A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811510358.3

申请日：2018-12-11

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 汪宁 ,  李金晶 ,  刘光亮 ,  汪伦源 ,  方航 ,  张庆燕 ,  张丽 ,  蔡庆刚

IPC分类号： H05K3/34 ,  H05K3/26

摘要： 本发明提供一种高增益放大器模块制作加工方法，包括如下步骤：S1元器件焊接、S2清洗、S3电装焊接、S4调试、S5刷三防漆、打标、封盖。本发明通过此工艺进行放大器模块的制作使得产品合格率提高，同时制作工艺流程简单，更适合大批量生产。

公开(公告)号：CN109451677A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811509578.4

申请日：2018-12-11

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 汪伦源 ,  费文军 ,  陈兴盛 ,  李金晶 ,  朱良凡 ,  蔡庆刚 ,  俞畅 ,  周二凤 ,  陈富丽

IPC分类号： H05K3/34

摘要： 本发明提供了一种卫通领域35W功率放大模块的加工方法，包括微波电路板和放大器模块，包括以下步骤：S1：将微波电路板烧结到焊片上；S2：将功放芯片U1共晶到相应的钼铜载体上，形成功放共晶组件G1；S3：将功放共晶组件G1和电容烧结到微波电路板上；S4：利用气相清洗机清洗烧结后的微波电路板；S5：对功放芯片U1和电容进行金丝键合；S6：对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。本发明借助微电子组封装工艺技术，实现了卫通领域35瓦功率放大模块的制作，该卫通领域35瓦功率放大模块具有体积小、安装灵活、可靠性高的特点,适合小批量生产。

公开(公告)号：CN109037881A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811079261.1

申请日：2018-09-13

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 汪伦源 ,  费文军 ,  陈兴盛 ,  李金晶 ,  朱良凡 ,  蔡庆刚 ,  俞畅 ,  周二风

IPC分类号： H01P11/00

CPC分类号： H01P11/00

摘要： 本发明适用于数控衰减器模块制备技术领域，提供了一种卫星通讯领域6位数控衰减模块的制作方法，方法包括如下步骤：S1、将高频电路板烧结到腔体底部；S2、在高频电路板上烧结元器件；S3、将腔体顶部朝下进行清洗；S4、装配射频接头及腔体盖板。该制作方法借助微电子组封装工艺技术，实现了一种卫星通信领域6位数控衰减器模块制作，制备的卫星通信领域6位数控衰减器模块具有体积小、安装灵活、可靠性高、稳定性高、衰减精度高等的特点，且适合大批量生产。

公开(公告)号：CN109714009A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811560615.4

申请日：2018-12-20

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 奚凤鸣 ,  周宗明 ,  李金晶 ,  汪宁 ,  聂庆燕 ,  俞畅

IPC分类号： H03F1/26 ,  H03F3/213

摘要： 本发明公开了一种P波段低噪声放大器的制作工艺，包括以下步骤：1、将元器件烧结到电路板上；2、将绝缘子和已表贴元器件的电路板烧结到壳体上；3、将滤波器烧结到壳体上；4、胶接芯片；5、在相应位置金丝键合；6、调试、测试、封盖、打标。采用上述技术方案，所述的P波段低噪声放大器输出功率高、增益高、低噪声、宽频带、高性能；经过本发明制造生产的P波段低噪声放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试，各项性能指标完全达到整机要求；该制造工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较高，适合批量生产。

公开(公告)号：CN109347450A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811069325.X

申请日：2018-09-13

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 汪伦源 ,  费文军 ,  陈兴盛 ,  李金晶 ,  朱良凡 ,  蔡庆刚 ,  俞畅 ,  周二风

IPC分类号： H03F3/213 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  B23K20/12

摘要： 本发明适用于功率放大器制备技术领域，提供了一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，包括如下步骤：将微波电路板烧结到主腔体的底部；将功率放大芯片、芯片电容与铜片载体进行共晶，将获得的共晶功率放大组件片烧结到微波电路板的对应位置；在微波电路板上胶结电阻及电容；将共晶功率放组件与胶结有电阻及电容的微波电路板间采用金带键合；将盖板固定到主腔体的顶部。借助微电子组封装工艺技术，实现基于微波单片集成电路放大器芯片设计的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，获得的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器具有散热好、稳定性高、安装灵活、体积小、可靠性高且适用于批量生产。

公开(公告)号：CN108768304A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810613494.9

申请日：2018-06-14

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 汪伦源 ,  费文军 ,  刘劲松 ,  陈兴盛 ,  李金晶 ,  蔡庆刚 ,  周二风 ,  朱良凡 ,  陈富丽

IPC分类号： H03F1/00 ,  H03F3/213 ,  H05K3/34

CPC分类号： H03F1/00 ,  H03F3/213 ,  H05K3/34

摘要： 本发明揭示了一种S波段50瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：步骤1、将放大器芯片共晶在钼铜载体上；步骤2、将元器件烧结到电路板上；步骤3、将烧结好元器件的电路板、共晶后的组件和绝缘子烧结到腔体上；步骤4、金丝键合；步骤5、对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标,经过此工艺生产的S波段50瓦脉冲功率放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求。生产此放大器的工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，降低了生产成本、提高了生产效率值得推广。

公开(公告)号：CN107910273B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201711077020.9

申请日：2017-11-06

申请人： 安徽华东光电技术研究所有限公司

发明人： 汪宁 ,  费文军 ,  陈兴盛 ,  李金晶 ,  孟庆贤 ,  俞昌忠 ,  方航 ,  聂庆燕 ,  汪伦源 ,  张丽

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  B23K31/02 ,  B23K101/40

摘要： 本发明公开了一种LTCC基板烧结的方法，所述方法包括：将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件，之后对预装组件进行预热；其中，焊片的熔点为M，预热的条件包括：预热设为N个递增的温度梯度，分别为C1、C2…Cn，C1为45‑55℃，相邻的两个温度梯度的差值为45‑55℃，且Cn＜M，n为正整数；对预装组件进行烧结，烧结的温度为205‑215℃。解决了在工艺操作过程中，LTCC基板烧结在腔体上时，LTCC基板会出现裂纹，影响产品质量以及可靠性的问题。