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公开(公告)号：CN101925996A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103199.8
申请日：2009-01-23
申请人： 布鲁尔科技公司
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
摘要： 提供新的临时粘合的方法和由该方法形成的制品。该方法包括将器件晶片与载体晶片或基片仅在它们的外周粘合，以帮助在随后的工艺过程和处理期间保护器件晶片及其器件位置。由该方法形成的边缘粘合具有耐化学性和耐热性，但也可以软化、溶解或机械破坏以使晶片在制造工艺中的合适阶段在室温或接近室温的温度下能用很小的力易于分离。
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公开(公告)号：CN101802082A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880106364.0
申请日：2008-08-29
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： C08L25/04 , C09D125/04
CPC分类号： H01L21/0271 , B81C1/00801 , C08L63/04 , C09D125/12 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , C08L2666/14
摘要： 本发明提供一种新的保护涂层，其用于制造半导体和MEMS装置的湿蚀刻工序。涂层包括底涂层、第一保护层和可选择的第二保护层。优选底涂层包含在溶剂体系中的有机硅烷化合物。第一保护层包括由苯乙烯、丙烯腈和相容化合物制得的热塑性共聚物，该相容化合物可例举为包含环氧基的单体、寡聚物和聚合物；聚(苯乙烯-共-烯丙醇)共聚物；及其混合物。第二保护层包含高度卤化的聚合物，例如氯化聚合物，其经过加热可发生交联或不发生交联。
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公开(公告)号：CN1756606B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200480005919.4
申请日：2004-01-16
申请人： 布鲁尔科技公司
发明人： T·D·弗莱 , 王玉宝 , R-M·L·梅尔卡多
CPC分类号： C08G79/00 , C08K5/0091 , C08K5/56 , C08L85/00 , Y10T428/25 , C08L2666/02
摘要： 提供新颖的组合物及使用这些组合物形成金属氧化物薄膜或涂层的方法。组合物包含分散或溶解在有机体系中的有机金属低聚物和有机聚合物。组合物具有长储存寿命，可通过方便和可靠的制备方法制得。固化所述组合物，使组合物转化为分散有机聚合物或低聚物的金属氧化物薄膜。固化后的薄膜具有高折射率，高光学透明度，在膜厚度大于约1微米时具有良好的机械稳定性。
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公开(公告)号：CN101142499A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200580032322.3
申请日：2005-09-26
申请人： 布鲁尔科技公司
CPC分类号： C08G59/245 , C08F283/10 , C08G59/226 , C08G59/38 , C08G65/18 , C08L63/00 , C08L63/04 , H01L51/5262 , Y10T428/31511
摘要： 提供了一种新颖的组合物以及使用这些组合物形成高折射率涂层的方法。所述组合物优选包含活性溶剂和高折射率化合物。优选的活性溶剂包括用一种或多种活性基团(例如环氧化物、乙烯基醚、氧杂环丁烷)官能化的芳族树脂，优选的高折射率化合物包括芳族环氧化物、乙烯基醚、氧杂环丁烷、酚和硫醇。优选还包含酸或交联催化剂。本发明的组合物在环境条件下是稳定的，可以施涂到基片上形成一层，并通过施加光照和/或热量固化。所述固化的层具有高折射率和高透光性。
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公开(公告)号：CN103155100B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180047933.0
申请日：2011-08-05
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B38/0008 , B32B38/10 , B32B43/006 , H01L21/2007 , H01L21/6836 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , Y10T156/11 , Y10T156/1126 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , Y10T428/31511 , Y10T428/31551 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725 , Y10T428/31935 , Y10T428/31938 , H01L2924/00
摘要： 提供一种临时地结合半导体衬底的多粘合层方案。在该创新性粘合方案中，多个层中的至少一个层直接与半导体衬底接触并且该方案中的至少两个层直接彼此接触。本发明提供若干加工选择，因为多层结构中的不同层执行具体功能。更重要地，通过提供更高的温度稳定性、与粗糙背侧加工步骤更大的兼容性、通过封装对晶片前侧凸起的保护、在脱粘步骤中更低的应力和前侧更少的缺陷来提高薄晶片处理方案的性能。
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公开(公告)号：CN101802082B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200880106364.0
申请日：2008-08-29
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： C08L25/04 , C09D125/04
CPC分类号： H01L21/0271 , B81C1/00801 , C08L63/04 , C09D125/12 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , C08L2666/14
摘要： 本发明提供一种新的保护涂层，其用于制造半导体和MEMS装置的湿蚀刻工序。涂层包括底涂层、第一保护层和可选择的第二保护层。优选底涂层包含在溶剂体系中的有机硅烷化合物。第一保护层包括由苯乙烯、丙烯腈和相容化合物制得的热塑性共聚物，该相容化合物可例举为包含环氧基的单体、寡聚物和聚合物；聚(苯乙烯-共-烯丙醇)共聚物；及其混合物。第二保护层包含高度卤化的聚合物，例如氯化聚合物，其经过加热可发生交联或不发生交联。
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公开(公告)号：CN101971102B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200980108881.6
申请日：2009-01-29
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/312
摘要： 本发明提供了一种使用多次曝光-显影工艺在可溶于显影剂的硬掩模层上形成通孔或凹槽结构的方法。在对成像层进行显影的同时对硬掩模层图案化。在使用有机溶剂剥除成像层之后，可以使用随后的曝光-显影工艺对同一硬掩模进行进一步的图案化。最终，可以使用蚀刻工艺将图案转移到基片上。
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公开(公告)号：CN102203917A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980142330.1
申请日：2009-10-22
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/187 , C08G2261/332 , C08G2261/418 , C08L65/00 , C09J123/0823 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10T156/10 , Y10T156/1153 , Y10T428/24355 , Y10T428/24802
摘要： 提供了新颖的组合物以及使用这些组合物作为粘合组合物的方法。所述组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，可以用来将活性晶片粘合到载体晶片或基片上，以便在后续加工和处理过程中帮助保护所述活性晶片及其活性位点。所述组合物形成耐化学和耐热的粘合层，但也可以被软化或溶解以允许所述晶片在制造过程的合适步骤中滑动或拉动分离。
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公开(公告)号：CN100566852C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200580002565.2
申请日：2005-01-07
申请人： 布鲁尔科技公司
CPC分类号： B81C1/00539 , C03C15/00 , C03C2218/355 , C09D125/12 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , Y10T428/265 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31612 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , Y10T428/31935
摘要： 提供在半导体和MEMS器件制造中用于湿法蚀刻工艺的新的保护涂层。该涂层包括底涂层、第一保护层和可任选的第二保护层。底涂层较佳地包括在溶剂体系中的芳族硅烷。第一保护层包括由苯乙烯、丙烯腈和(甲基)丙烯酸酯单体、乙烯基苄基氯和马来酸或富马酸的二酯等可任选的其它可加成聚合的单体制备的热塑性共聚物。第二保护层含有加热时会或者不会交联的诸如氯代聚合物之类的高度卤代的聚合物。
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公开(公告)号：CN1909977A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002565.2
申请日：2005-01-07
申请人： 布鲁尔科技公司
CPC分类号： B81C1/00539 , C03C15/00 , C03C2218/355 , C09D125/12 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , Y10T428/265 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31612 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , Y10T428/31935
摘要： 提供在半导体和MEMS器件制造中用于湿法蚀刻工艺的新的保护涂层。该涂层包括底涂层、第一保护层和可任选的第二保护层。底涂层较佳地包括在溶剂体系中的芳族硅烷。第一保护层包括由苯乙烯、丙烯腈和(甲基)丙烯酸酯单体、乙烯基苄基氯和马来酸或富马酸的二酯等可任选的其它可加成聚合的单体制备的热塑性共聚物。第二保护层含有加热时会或者不会交联的诸如氯代聚合物之类的高度卤代的聚合物。
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