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公开(公告)号：CN102203917B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN200980142330.1
申请日：2009-10-22
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/187 , C08G2261/332 , C08G2261/418 , C08L65/00 , C09J123/0823 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10T156/10 , Y10T156/1153 , Y10T428/24355 , Y10T428/24802
摘要： 提供了新颖的组合物以及使用这些组合物作为粘合组合物的方法。所述组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，可以用来将活性晶片粘合到载体晶片或基片上，以便在后续加工和处理过程中帮助保护所述活性晶片及其活性位点。所述组合物形成耐化学和耐热的粘合层，但也可以被软化或溶解以允许所述晶片在制造过程的合适步骤中滑动或拉动分离。
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公开(公告)号：CN102804347B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201080026458.4
申请日：2010-03-19
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： H01L21/312
CPC分类号： B81C1/00801 , B81C2201/053 , C08G61/08 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , G03F7/033 , G03F7/094 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , Y10T428/31645 , Y10T428/31667 , Y10T428/31692 , Y10T428/31855 , Y10T428/31909
摘要： 本发明提供了新组合物以及在半导体和MEMS设备生产过程中使用这些组合物作为保护层的方法。所述组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，可用于形成在酸蚀刻或其它加工和操作过程中保护基片的层。保护层可以是光敏或非光敏的，可与保护层下方的底漆层一起使用，或者不存在底漆层。优选的底漆层包含在溶剂体系中的碱性聚合物。
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公开(公告)号：CN102576680B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080041868.6
申请日：2010-09-15
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： H01L21/48 , C08J5/18 , C09D125/12
CPC分类号： H01L21/561 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要： 用于在提供背侧处理时保护微电机械装置和半导体装置的前侧的耐划涂层，以及使用该耐划涂层的方法。所述涂层为非光敏性、可去除的涂层，能耐受高处理温度。这些涂层还使得在装置设计中可以取消独立的蚀刻停止层。所述涂层由包含溶解或分散在溶剂体系中的组分的组合物形成。该组分选自苯乙烯-丙烯腈共聚物和芳族砜聚合物。
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公开(公告)号：CN102804347A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080026458.4
申请日：2010-03-19
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： H01L21/312
CPC分类号： B81C1/00801 , B81C2201/053 , C08G61/08 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , G03F7/033 , G03F7/094 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , Y10T428/31645 , Y10T428/31667 , Y10T428/31692 , Y10T428/31855 , Y10T428/31909
摘要： 本发明提供了新组合物以及在半导体和MEMS设备生产过程中使用这些组合物作为保护层的方法。所述组合物包含分散或溶解在溶剂体系中的环烯烃共聚物，可用于形成在酸蚀刻或其它加工和操作过程中保护基片的层。保护层可以是光敏或非光敏的，可与保护层下方的底漆层一起使用，或者不存在底漆层。优选的底漆层包含在溶剂体系中的碱性聚合物。
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公开(公告)号：CN101657758B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN200880012312.7
申请日：2008-02-25
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0751 , Y10S430/108 , Y10S430/115
摘要： 提供用于制造半导体和MEMS器件的新光刻胶。所述底涂层优选包括溶解或分散在溶液体系中的硅烷。光刻胶层包括由苯乙烯和丙烯酸制备的第一聚合物和包括含环氧单体(优选含苯酚的单体)的第二聚合物。所述光刻胶层包括光酸产生剂，且优选是负性的。
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公开(公告)号：CN101925996B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200980103199.8
申请日：2009-01-23
申请人： 布鲁尔科技公司
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
摘要： 提供新的临时粘合的方法和由该方法形成的制品。该方法包括将器件晶片与载体晶片或基片仅在它们的外周粘合，以帮助在随后的工艺过程和处理期间保护器件晶片及其器件位置。由该方法形成的边缘粘合具有耐化学性和耐热性，但也可以软化、溶解或机械破坏以使晶片在制造工艺中的合适阶段在室温或接近室温的温度下能用很小的力易于分离。
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公开(公告)号：CN102576680A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080041868.6
申请日：2010-09-15
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： H01L21/48 , C08J5/18 , C09D125/12
CPC分类号： H01L21/561 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要： 用于在提供背侧处理时保护微电机械装置和半导体装置的前侧的耐划涂层，以及使用该耐划涂层的方法。所述涂层为非光敏性、可去除的涂层，能耐受高处理温度。这些涂层还使得在装置设计中可以取消独立的蚀刻停止层。所述涂层由包含溶解或分散在溶剂体系中的组分的组合物形成。该组分选自苯乙烯-丙烯腈共聚物和芳族砜聚合物。
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公开(公告)号：CN101971102A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108881.6
申请日：2009-01-29
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/312
摘要： 本发明提供了一种使用多次曝光-显影工艺在可溶于显影剂的硬掩模层上形成通孔或凹槽结构的方法。在对成像层进行显影的同时对硬掩模层图案化。在使用有机溶剂剥除成像层之后，可以使用随后的曝光-显影工艺对同一硬掩模进行进一步的图案化。最终，可以使用蚀刻工艺将图案转移到基片上。
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公开(公告)号：CN101657758A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880012312.7
申请日：2008-02-25
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0751 , Y10S430/108 , Y10S430/115
摘要： 一种用于三维印刷机的可移动构建盒包括构建盒托盘，该托盘限定了用于零件装配的构建室和用于将粉末材料供应给构建室的材料进料室。构建室和进料室具有较低的活塞止杆。构建室活塞与构建室配合，并且在最低位置与构建室活塞止杆配合。进料室活塞与进料室配合，并且在最低位置与进料室活塞止杆配合。快速连接联接器在构建室活塞与构建室z轴致动器之间，该致动器用于在与构建室活塞连接时移动该构建室活塞。快速连接联接器在进料室活塞和进料室z轴致动器之间，该致动器用于在与进料室活塞连接时移动该进料室活塞。构建盒托盘容易从该三维印刷机上拆除。
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公开(公告)号：CN103155100A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047933.0
申请日：2011-08-05
申请人： 布鲁尔科技公司
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B38/0008 , B32B38/10 , B32B43/006 , H01L21/2007 , H01L21/6836 , H01L24/83 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , Y10T156/11 , Y10T156/1126 , Y10T428/24942 , Y10T428/26 , Y10T428/31511 , Y10T428/31551 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725 , Y10T428/31935 , Y10T428/31938 , H01L2924/00
摘要： 提供一种临时地结合半导体衬底的多粘合层方案。在该创新性粘合方案中，多个层中的至少一个层直接与半导体衬底接触并且该方案中的至少两个层直接彼此接触。本发明提供若干加工选择，因为多层结构中的不同层执行具体功能。更重要地，通过提供更高的温度稳定性、与粗糙背侧加工步骤更大的兼容性、通过封装对晶片前侧凸起的保护、在脱粘步骤中更低的应力和前侧更少的缺陷来提高薄晶片处理方案的性能。
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