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公开(公告)号：CN117995736A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410405139.8
申请日：2024-04-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , B08B5/02 , B08B7/00
Abstract: 本申请公开了一种晶圆供应设备，包括上料装置、预处理装置和传输装置，处理装置包括反应腔，反应腔上设有第一进出口和第二进出口，传输装置能够依次穿过第二进出口和第一进出口、取得上料装置中的晶圆，预处理装置设于传输装置取料、送料的必经路径上，相当于将晶圆的上料工位和预处理工位结合在一起，既省去了预处理装置独立布局所需的空间、又简化了传输装置取料送料路径，有利于优化空间、提高工作效率；预处理装还包括载台、温控机构、盖板、升降驱动机构和抱具，反应腔的内壁上设有一圈台阶，通过盖板的活动设计，将反应腔分隔为能够在预处理作业阶段互不干扰的传输腔和工作腔，以便于设备适应多样化的传输、处理需要。
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公开(公告)号：CN117497461A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311846883.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种晶圆镀膜前处理装置，包括干燥腔、加热腔和加热装置，加热装置能够加热加热腔和干燥腔；还包括气循环装置、第一吹气装置和第二吹气装置，加热装置还能够加热气循环装置输送的气体，加热过的气体能够通过第一吹气装置吹向晶圆的正面、并能够通过第二吹气装置吹向晶圆的背面；晶圆进入干燥腔后处于高温环境下，热气从两侧吹向晶圆，能够很好地吹扫晶圆、促进晶圆干燥，并能够吹除晶圆表面的杂质、确保晶圆的洁净，晶圆内部的杂气被烘出后，热气还能够吹散杂气、避免杂气重新附着到晶圆上；本申请提供的晶圆镀膜前处理装置集合了高温烘干和热气吹扫，晶圆通过前处理装置实现了高效的干燥和清洁，有利于晶圆后续镀膜。
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公开(公告)号：CN119243101A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411319248.4
申请日：2024-09-22
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了提高等离子体均匀性的磁控溅射装置及方法，包括：工作腔，背板，设于所述工作腔内的一侧；载台，设于所述工作腔内的另一侧；至少一组线圈组件，任一组所述线圈组件包括：第一线圈组件；第二线圈组件，所述第二线圈组件和所述第一线圈组件沿任一方向间隔、且平行设置、投影重合，所述第一线圈组件与所述第二线圈组件之间形成磁场轨道；所述背板和/或所述载台设于所述磁场轨道中。本发明实施例能够在靶材和晶圆之间形成的等离子体趋向于均匀分布，既能够提升靶材溅射均匀性，提升靶材利用率，在填孔或槽时，使得晶圆圆心附近和边缘处的微孔或沟槽的台阶覆盖率越趋于一致，提升晶圆的生产良率和可靠性，结构简单，降低成本。
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公开(公告)号：CN118957526A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411422142.7
申请日：2024-10-12
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/32 , H01J37/34 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种完全非对称式PVD磁控器及镀膜试验方法，完全非对称式PVD磁控器包括上安装盘，经所述上安装盘直径的其中两条直线分别配置为第一直线和第二直线，所述第一直线与所述第二直线互相垂直；下安装盘，位于第一直线的一侧、相对于第二直线镜像对称；若干磁铁，分别布置在所述下安装盘靠近上安装盘的侧面上；配重块，位于第一直线的另一侧、与所述上安装盘相连接，所述配重块相对于第二直线镜像对称；移动件，用于驱动所述下安装盘沿所述第二直线移动，以使得所述磁控组件靠近或远离所述回转中心；镀膜试验方法使用完全非对称式PVD磁控器来实现，利用下安装盘、磁铁、配重块和移动块的配合解决侧壁台阶镀膜偏边问题。
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公开(公告)号：CN118431119B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410759715.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种多功能晶圆处理装置，包括反应腔、收容腔、载台、线圈和靶材，靶材具有第一工作位置时和第二工作位置；使得靶材处于收容腔内，进行晶圆刻蚀时，靶材远离反应区域、不会被污染物附着；使得靶材处于反应腔内，进行晶圆镀膜时，靶材可实现反应气体的电离和金属原子的供给；本申请提供的多功能晶圆处理装置通过在反应腔内布置线圈和靶材，根据需要选择性地进行通电，即可实现晶圆的镀膜或者刻蚀，一腔两用，既有利于减小设备占地，又能够提高设备的实用性、以便于适应多种生产线的工艺需求，还能够降低使用成本；通过设置靶材具有两个不同的工作位置，刻蚀过程中转移靶材能够避免靶材沾附污染物，从而确保两种工艺的可靠进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118841310A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411323816.8
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种交替式静电吸附刻蚀装置及刻蚀方法，刻蚀装置包括：刻蚀腔、清洁腔、第一静电吸盘、第二静电吸盘、交替驱动组件和清洁机构，清洁腔连通刻蚀腔，交替驱动组件能够驱使第一静电吸盘和第二静电吸盘在刻蚀腔和清洁腔之间交替运动；在刻蚀腔内，静电吸盘能够吸附刻蚀产生的杂质颗粒，从而保证刻蚀环境的清洁、提高晶圆的刻蚀效果；在清洁腔内，清洁机构能够清理静电吸盘上的杂质颗粒，以便于静电吸盘再次使用；通过设置两组静电吸盘、并使得两组静电吸盘能够交换工位，有利于不停机连续工作、从而提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118431119A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410759715.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种多功能晶圆处理装置，包括反应腔、收容腔、载台、线圈和靶材，靶材具有第一工作位置时和第二工作位置；使得靶材处于收容腔内，进行晶圆刻蚀时，靶材远离反应区域、不会被污染物附着；使得靶材处于反应腔内，进行晶圆镀膜时，靶材可实现反应气体的电离和金属原子的供给；本申请提供的多功能晶圆处理装置通过在反应腔内布置线圈和靶材，根据需要选择性地进行通电，即可实现晶圆的镀膜或者刻蚀，一腔两用，既有利于减小设备占地，又能够提高设备的实用性、以便于适应多种生产线的工艺需求，还能够降低使用成本；通过设置靶材具有两个不同的工作位置，刻蚀过程中转移靶材能够避免靶材沾附污染物，从而确保两种工艺的可靠进行。
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公开(公告)号：CN118028754A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410426325.X
申请日：2024-04-10
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种磁控溅射晶圆处理装置，包括反应内腔、载台、加热机构、第一升降机构、靶材、下遮件和上遮件，反应内腔包括上腔体、下腔体和第二升降机构，上腔体中设有第一冷却通道，载台中设有第二冷却通道；通过上遮件和下遮件配合，能够全面地阻止金属原子向下沉积，保证腔内清洁；配合可活动的上腔体和下腔体，即使出现腔壁沉积金属原子的情况，也只需要对上腔体进行处理，方便便捷；进一步配合第一冷却通道和第二冷却通道，能够针对性地对易接触金属原子、易升温的部位进行降温，从而对晶圆进行可靠的温控，确保晶圆维持在目标设定温度，进而保证成膜质量、沉积速率和方块电阻均匀性。
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公开(公告)号：CN118841310B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411323816.8
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种交替式静电吸附刻蚀装置及刻蚀方法，刻蚀装置包括：刻蚀腔、清洁腔、第一静电吸盘、第二静电吸盘、交替驱动组件和清洁机构，清洁腔连通刻蚀腔，交替驱动组件能够驱使第一静电吸盘和第二静电吸盘在刻蚀腔和清洁腔之间交替运动；在刻蚀腔内，静电吸盘能够吸附刻蚀产生的杂质颗粒，从而保证刻蚀环境的清洁、提高晶圆的刻蚀效果；在清洁腔内，清洁机构能够清理静电吸盘上的杂质颗粒，以便于静电吸盘再次使用；通过设置两组静电吸盘、并使得两组静电吸盘能够交换工位，有利于不停机连续工作、从而提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118441258B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410870818.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/35 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种联动式快接晶圆镀膜装置，包括外筒、内筒、载台、第一盖板、第一驱动件、顶针、顶板和旋转驱动件，旋转驱动件用于驱使载台自转，载台上设有活动孔，顶针受限于活动孔中；第一驱动件能够同时驱使第一盖板和顶板上升，以便于第一进出口开放、顶针接取晶圆；第一驱动件又能够同时驱使第一盖板和顶板下降，以便于第一进出口封闭、晶圆落到载台上；顶板与顶针通过接触而非连接的方式实现联动，载台的旋转与顶板的升降不会相互干扰，采用一个升降驱动件即可实现顶板对顶针的顶升以及第一盖板对第一进出口的封闭，从而实现快速的载台接料和反应区域封闭、进而提高镀膜效率。
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