公开(公告)号：CN110582465B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201880026476.9

申请日：2018-05-23

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 小松通郎 ,  西田广泰 ,  俵迫祐二 ,  碓田真也 ,  中山和洋

IPC: C01B33/12 ,  B24B37/00 ,  C01F17/235 ,  C01F17/10 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题在于提供即使对于二氧化硅膜、Si晶片、难加工材料也能够高速地进行研磨、同时能够实现高面精度的氧化铈系复合粒子分散液。通过氧化铈系复合微粒分散液，从而解决了上述课题，所述氧化铈系复合微粒分散液包含具备下述特征的平均粒径为50～350nm的氧化铈系复合微粒。氧化铈系复合微粒具有母粒、含有铈的二氧化硅层、子粒和包含易溶解性二氧化硅的层，母粒以非晶质二氧化硅作为主成分，子粒以结晶性氧化铈作为主成分。包含易溶解性二氧化硅的层的质量相对于氧化铈系复合微粒的质量而言的比例在特定范围内。就氧化铈系复合微粒而言，二氧化硅与氧化铈的质量比在特定范围内。氧化铈系复合微粒供于X射线衍射时，仅检测到氧化铈的结晶相。氧化铈系复合微粒供于X射线衍射而测得的结晶性氧化铈的平均微晶直径为10～25nm。

公开(公告)号：CN107428544B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201680019610.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 俵迫祐二 ,  若宫義宪 ,  柏田真吾 ,  井上一昭 ,  中山和洋 ,  小松通郎

IPC: C01B33/146 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题在于提供一种即便是二氧化硅膜、Si晶片、难以加工的材料也可以高速研磨，同时可以实现高表面精度(低划痕等)，进而由于不含杂质，因此能够在半导体基板、布线基板等的半导体器件的表面的研磨中优选使用的二氧化硅系复合微粒分散液。本发明通过一种二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述课题，其包含二氧化硅系复合微粒，该二氧化硅系复合微粒在以无定形二氧化硅为主要成分的母颗粒的表面上结合有以结晶性二氧化铈为主要成分的子颗粒，进而具有覆盖这些颗粒的二氧化硅覆膜，且具备下述特征。母颗粒与子颗粒的质量比为特定范围。当供于X射线衍射时，仅检测到二氧化铈的结晶相。结晶性二氧化铈的(111)面(2θ＝28度附近)的微晶直径为特定范围。Na等的含有率低。二氧化硅覆膜的Si原子数％相对于Ce原子数％的比为特定范围。

公开(公告)号：CN110177852A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201780083133.1

申请日：2017-12-28

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 小松通郎 ,  岩崎幸博 ,  西田广泰 ,  俵迫祐二 ,  中山和洋

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C01B33/18 ,  C01F17/00 ,  C08B15/04 ,  C08J5/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题为提供研磨组合物，通过针对形成有二氧化硅等覆膜的衬底使用不产生缺陷的磨粒而增加机械性摩擦效果，从而能够以高速进行研磨，同时能够实现低擦伤等高面精度。解决手段为研磨组合物，其包含磨粒、纤维素单元的C6位的羟基的至少一部分被氧化为羧基而得到的改性微纤维纤维素、以及分散介质，并且Na及K的各含量相对于固态成分重量而言为100ppm以下。

公开(公告)号：CN101397422B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200810215004.6

申请日：2008-08-29

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 村口良 ,  熊泽光章 ,  二神涉 ,  俵迫祐二 ,  松田政幸 ,  平井俊晴

IPC: C09D7/12 ,  B01J13/00 ,  C09D183/04 ,  G02B1/10

Abstract: 本发明涉及改性氧化锆微粒、带硬涂膜的基材及可形成该硬涂膜的涂布液。改性氧化锆微粒是表面被五氧化锑及/或二氧化硅覆盖的氧化锆微粒，在下述条件下测定该氧化锆微粒的表面电位时，其值在-120～-10mV的范围内，条件(1)：改性氧化锆微粒分散液的固形成分浓度为1重量％，条件(2)：改性氧化锆微粒分散液的pH在2～13的范围内。