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公开(公告)号：CN106463408A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022448.6
申请日：2015-04-24
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有实用的迁移率的具备树脂基材的有机半导体元件、尤其提供一种有机薄膜晶体管。通过在形成有下述(A)或(B)的薄膜的树脂基材上设置有机半导体层，能够得到目标有机半导体元件。(A)含有以下的a)和b)的有机无机复合薄膜：a)式(I)RnSiX4-n···(I)表示的有机硅化合物的缩合物(式中，R表示碳原子与式中的Si直接键合的有机基团，X表示羟基或水解性基团。n表示1或2，n为2时，各R可以相同也可以不同，(4-n)为2以上时，各X可以相同也可以不同。)、b)热固化性化合物的固化物或电磁射线固化性化合物的固化物；(B)含有以下的d)、e)以及f)的有机硅烷薄膜：d)含环氧基的三烷氧基硅烷的水解缩合物、e)聚胺类或咪唑类、f)f-1)正戊醇、或者f-2)25℃时的pKa为2.0～6.0的范围的有机酸、具有全氟烷基或全氟亚烷基的碳原子数2～5的醇类。
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公开(公告)号：CN104093560B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380007697.9
申请日：2013-01-25
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C08J7/18 , C08J2483/00
Abstract: 本发明的薄膜层叠体特征在于，在树脂基体上以第1层、第2层的顺序依次形成的薄膜层叠体中，第1层是有机无机复合薄膜，膜厚为500nm以上，其含有a)RnSiX4－n表示的有机硅化合物的缩合物及b)有机高分子化合物；第2层是下述a)金属氧化物薄膜或b)气体阻隔膜：a)金属氧化物薄膜，其利用溶胶凝胶法形成，膜厚为200nm以下，并且，以式{膜厚的偏差[％]＝100×(膜厚的标准偏差)/(膜厚的平均值)}表示的膜厚的偏差小于10％，b)气体阻隔膜，膜厚为500nm以下；并且，第1层在与第2层的界面侧具有上述有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，该浓缩层的碳原子的浓度与距第1层与第2层的界面深300nm处的第1层的碳原子的浓度相比少20％以上。
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公开(公告)号：CN104380150B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380032030.4
申请日：2013-07-01
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: G02B1/11
CPC classification number: G02B1/11
Abstract: 本发明提供在有机无机复合薄膜表面上层叠像透明导电性膜或气体阻隔性的薄膜这种具有高折射率且光的透射率低的无机薄膜时不仅呈现高透射率，而且与无机薄膜的密合性也优异的功能性防反射膜。本发明的功能性防反射层叠体是在树脂基体上依次形成了第1层、第2层的薄膜层叠体，其特征在于，第1层是含有a)式(I)RnSiX4－n(I)表示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物的、膜厚为500nm以上的有机无机复合薄膜，第2层是膜厚为10～300nm的透明导电性膜或气体阻隔膜，第2层的表面形成了高度为40～500nm、间距为50～400nm的微细凸凹结构，该功能性防反射层叠体在波长500～700nm的入射角12°的表面正反射率为3％以下。
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公开(公告)号：CN104114622A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280069083.9
申请日：2012-07-10
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C08J7/18 , C08J2483/00
Abstract: 本发明的课题在于：对表面具有比内部高的硬度的由聚硅氧烷系的有机无机复合体构成的膜的表面进一步进行无机质化。本发明的有机无机复合薄膜为具有含有a)式(I)所示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物的层的有机无机复合薄膜，在该膜的表面形成式(I)所示的有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，距离表面10nm的深度的碳原子的浓度与距离表面100nm的深度的碳原子的浓度相比，少20％以上，并且，距离膜的表面2nm的深度的O/Si元素比为18～2.5。RnSiX4-n (I)(式中，R表示碳原子与Si直接结合的有机基，X表示羟基或水解性基。n表示1或2，n为2时，各R相同或不同，(4-n)为2以上时，各X相同或不同)。
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公开(公告)号：CN101679923B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200880020586.0
申请日：2008-07-04
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C11D7/5027 , C11D7/247
Abstract: 本发明提供一种能形成膜成分脱落少的薄膜的清洗用溶剂。该有机薄膜的清洗用溶剂的特征为，通过KOH使正十八烷基三甲氧基硅烷水解缩聚而得到的聚合物在25℃的溶解度为100～400mg/g。该溶剂优选是含有至少1种式(I)所示化合物的芳香族烃系溶剂，特别优选是二乙基苯、Solvesso(注册商标)。(式中，各R可以相同或不同，表示C1-C18烷基；n表示2、3或4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112366A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580072575.7
申请日：2015-12-16
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: H01L29/786 , C08L83/04 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管，具备由有机无机复合薄膜构成的绝缘层作为栅极绝缘膜，该有机无机复合薄膜含有a)下述式(I)(式中，R表示碳原子与Si直接键合的有机基团，X表示羟基或水解性基团。n表示1或2，n为2时各R可以相同也可以不同，(4‑n)为2以上时各X可以相同也可以不同)表示的有机硅化合物的缩合物，和b)电磁线固化性化合物的固化物。RnSiX4‑n(I)。
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公开(公告)号：CN104380150A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380032030.4
申请日：2013-07-01
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明提供在有机无机复合薄膜表面上层叠像透明导电性膜或气体阻隔性的薄膜这种具有高折射率且光的透射率低的无机薄膜时不仅呈现高透射率，而且与无机薄膜的密合性也优异的功能性防反射膜。本发明的功能性防反射层叠体是在树脂基体上依次形成了第1层、第2层的薄膜层叠体，其特征在于，第1层是含有a)式(I)RnSiX4－n(I)表示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物的、膜厚为500nm以上的有机无机复合薄膜，第2层是膜厚为10～300nm的透明导电性膜或气体阻隔膜，第2层的表面形成了高度为40～500nm、间距为50～400nm的微细凸凹结构，该功能性防反射层叠体在波长500～700nm的入射角12°的表面正反射率为3％以下。
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公开(公告)号：CN104093560A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007697.9
申请日：2013-01-25
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C08J7/18 , C08J2483/00
Abstract: 本发明的薄膜层叠体特征在于，在树脂基体上以第1层、第2层的顺序依次形成的薄膜层叠体中，第1层是有机无机复合薄膜，膜厚为500nm以上，其含有a)RnSiX4－n表示的有机硅化合物的缩合物及b)有机高分子化合物；第2层是下述a)金属氧化物薄膜或b)气体阻隔膜：a)金属氧化物薄膜，其利用溶胶凝胶法形成，膜厚为200nm以下，并且，以式{膜厚的偏差[％]＝100×(膜厚的标准偏差)/(膜厚的平均值)}表示的膜厚的偏差小于10％，b)气体阻隔膜，膜厚为500nm以下；并且，第1层在与第2层的界面侧具有上述有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，该浓缩层的碳原子的浓度与距第1层与第2层的界面深300nm处的第1层的碳原子的浓度相比少20％以上。
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公开(公告)号：CN101534967B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200780040995.2
申请日：2007-11-13
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C08K5/04 , B05D1/185 , B05D7/24 , B05D2202/00 , B05D2203/35 , C03C17/30 , C03C2217/76 , C03C2218/113 , C08K5/01 , C08K5/05 , C08K5/5419 , C09D7/63 , C09K3/18
Abstract: 本发明的课题在于提供能够迅速形成杂质少且致密的单分子膜的有机薄膜形成方法。该有机薄膜形成方法包含：1)制备含羟基溶液的工序，将下述a)、b)和c)以使得含羟基溶液中的(A)和(B)的合计量为0.1重量％～80重量％的方式混合、进行水解而生成含羟基化合物，a)在有机溶剂中含有具有至少1个以上水解性基团的金属系表面活性剂(A)和能与金属系表面活性剂相互作用的化合物(C)的有机薄膜形成用辅助剂，b)具有至少1个以上水解性基团的金属系表面活性剂(B)，和c)水；2)将上述1)的工序中得到的含羟基溶液与有机溶剂混合从而制备有机薄膜形成用溶液的工序；和3)使上述2)的工序中得到的有机薄膜形成用溶液与基板接触的工序。
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公开(公告)号：CN101945926A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105450.4
申请日：2009-02-23
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C08G77/06 , C07F7/18 , C07F7/21 , C08G77/14 , C08G79/00 , C09D183/00 , C09D185/00
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G79/00 , C08G79/12 , C09D185/00 , C23C2222/20
Abstract: 本发明提供能够迅速形成杂质少的致密单分子膜的有机金属薄膜形成溶液。所述有机薄膜形成用溶液是含有(A)下述式(I)所示的至少1种有机金属化合物(其中，至少1种有机金属化合物具有羟基)和(B)下述式(II)所示的至少1种有机金属化合物，且40≤[(A)/{(A)+(B)}]×100≤100(质量％)、和0≤[(B)/{(A)+(B)}]×100≤60(质量％)的有机薄膜形成用溶液，或者是含有式(I)所示的有机金属化合物中至少分别具有1个羟基和水解性基团的有机金属化合物的有机薄膜形成用溶液，或者是式(I)所示的有机金属化合物中三聚体与二聚体的质量比大于0.5的有机薄膜形成用溶液。R3mM2X54-m (II)。
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