-
公开(公告)号：CN102010183A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010277435.2
申请日：2010-09-03
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/50 , H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M12/06
CPC classification number: C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C04B35/486 , C04B2235/3203 , C04B2235/3217 , C04B2235/322 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/764 , C04B2235/77 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M2300/0071 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 本发明提供能够显示可作为锂二次电池的固体电解质材料等使用的程度的致密度或Li离子电导率的陶瓷材料。使用含有Li、La、Zr、Nb及/或Ta以及O、具有石榴石型或类似于石榴石型的结晶结构的陶瓷材料。
-
公开(公告)号：CN105636920B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201580002212.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C04B35/185 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/008 , C04B37/02 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/34 , C04B2237/55 , C04B2237/72
Abstract: 本发明的莫来石烧结体是杂质元素的含量为1质量％以下的莫来石烧结体，莫来石烧结粒的平均粒径为8μm以下，存在于经研磨精加工的表面的气孔的最大部分长度的平均值为0.4μm以下。前述表面的中心线平均表面粗糙度(Ra)优选为3nm以下。前述表面的最大峰高(Rp)优选为30nm以下。在前述表面存在的气孔数在每4μm×4μm的面积中优选为10个以下。
-
公开(公告)号：CN105679663A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610080984.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , C04B35/581 , C04B35/04
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942 , H01L21/3065 , C04B35/04 , H01L21/31
Abstract: 本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相。
-
公开(公告)号：CN105636920A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201580002212.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C04B35/185 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/008 , C04B37/02 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/34 , C04B2237/55 , C04B2237/72
Abstract: 本发明的莫来石烧结体是杂质元素的含量为1质量％以下的莫来石烧结体，莫来石烧结粒的平均粒径为8μm以下，存在于经研磨精加工的表面的气孔的最大部分长度的平均值为0.4μm以下。前述表面的中心线平均表面粗糙度(Ra)优选为3nm以下。前述表面的最大峰高(Rp)优选为30nm以下。在前述表面存在的气孔数在每4μm×4μm的面积中优选为10个以下。
-
公开(公告)号：CN102639464B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180004702.1
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , C04B35/581 , C04B35/04
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103857643B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201280049986.0
申请日：2012-10-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/04 , C04B35/58
CPC classification number: H01L21/6831 , C04B35/053 , C04B35/58 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , H01L21/6833
Abstract: 本发明的陶瓷构件30包含有：以Al、N成分固溶于氧化镁中形成的Mg（Al）O（N）为主相的陶瓷基体32和配置在部分陶瓷基体32上、作为电极成分含有氮化物、碳化物、碳氮化物及金属中的任意1个以上的电极34。该陶瓷基体32也可以是使用CuKα射线时的所述Mg（Al）O（N）的（111）面、（200）面、（220）面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°，42.9～44.8°，62.3～65.2°。
-
公开(公告)号：CN103201235B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201180050721.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414
Abstract: 静电卡盘（1A）～（1F）包括具有吸附半导体的吸附面（11a）的基座（11A）～（11F）、埋设在基座内的静电卡盘电极（4）。基座包括板状主体部（3）、面对吸附面的表面耐腐蚀层（2）。表面耐腐蚀层（2）为以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料，由以在氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的结晶相作为主相的陶瓷材料构成。
-
公开(公告)号：CN102639463B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201180004701.7
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，主相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的晶相。MgO-AlN固溶体，优选使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°，更优选(111)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝36.9～39°。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.025 seconds)
