公开(公告)号：CN1821339A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610058544.9

申请日：1998-12-18

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦沢寅之助 ,  寺崎裕樹 ,  大槻裕人 ,  仓田靖 ,  松沢纯 ,  丹野清仁

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 在本发明中，为了进行高速研磨又不伤及SiO2绝缘膜等的被研磨面，提供含有把具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈子、或者是体积密度为6.5g/cm3以下的氧化铈粒子、或者是具有气孔的磨粒中的至少一种分散到介质中去的浆液的研磨剂、使用该研磨剂的基片的研磨方法和半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN1795543A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014467.6

申请日：2004-05-28

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 小山直之 ,  町井洋一 ,  吉田诚人 ,  深泽正人 ,  芦泽寅之助

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1454

Abstract: 本发明涉及一种研磨剂，其包含在介质中分散有4价金属氢氧化物粒子的研浆和添加剂，所述添加剂为含有从由通式(I)以及通式(II)所表示的单体中选出的至少一种单体成分的聚合物。通式(I)中R1表示氢、甲基、苯基、苯甲基、氯基、二氟甲基、三氟甲基、氰基，R2、R3分别表示独立的氢或C2～C18的烷基链、羟甲基、乙酰基、双丙酮基，但不包括两个均为氢的情况。通式(II)中，R1与通式(I)一样，R4表示吗啉基、硫化吗啉基、吡咯烷基、哌啶基。本发明提供的研磨剂，由粒子与被研磨膜形成化学反应层，由于粒子非常小的机械作用和研磨垫的机械除去而不产生研磨损伤，并通过添加剂来实现高平坦化。

公开(公告)号：CN1457506A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN02800353.5

申请日：2002-02-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  小山直之 ,  西山雅也 ,  吉田诚人

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09K3/1454 ,  C01F17/0043 ,  C01G25/00 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。

公开(公告)号：CN104900724B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510193638.6

申请日：2011-01-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  青柳拓也

IPC: H01L31/0224 ,  C03C12/00 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种用于形成n型扩散层的组合物和方法，以及制备广泛电池的方法。所述组合物能够在使用硅基板的光伏电池的制造工艺中，在基板的某个部分上形成n型扩散层，而且不形成不必要的n型扩散层。根据本发明的用于形成n型扩散层的组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。n型扩散层和具有n型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成n型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。

公开(公告)号：CN102194672B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110030986.3

申请日：2011-01-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  青柳拓也

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种用于形成n型扩散层的组合物和方法，以及制备广泛电池的方法。所述组合物能够在使用硅基板的光伏电池的制造工艺中，在基板的某个部分上形成n型扩散层，而且不形成不必要的n型扩散层。根据本发明的用于形成n型扩散层的组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。n型扩散层和具有n型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成n型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。

公开(公告)号：CN104835723A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510193563.1

申请日：2011-01-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎

IPC: H01L21/22 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C03C12/00 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。

公开(公告)号：CN102934205A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180027116.9

申请日：2011-07-05

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  C03C8/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: C03C8/18 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种杂质扩散层形成组合物，其含有：含供体元素或受体元素的玻璃粉末、重均分子量为5000以上且500000以下的粘结剂、以及溶剂。在杂质扩散层形成组合物为n型扩散层形成组合物时，上述玻璃粉末含有供体元素，在杂质扩散层形成组合物为p型扩散层形成组合物时，上述玻璃粉末含有受体元素。通过涂布该杂质扩散层形成组合物并进行热扩散处理，从而制造n型扩散层或p型扩散层，并且制造具有n型扩散层或p型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN102470438A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034392.3

申请日：2010-08-02

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 加藤隆彦 ,  内藤孝 ,  青柳拓也 ,  山本浩贵 ,  吉田诚人 ,  片寄光雄 ,  武田信司 ,  田中直敬 ,  足立修一郎

IPC: B22F1/02 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01J11/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L31/04 ,  H05K1/09

CPC classification number: H01L23/49883 ,  B22F1/0055 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/02 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/05 ,  H01B1/026 ,  H01J11/12 ,  H01J11/22 ,  H01J2211/225 ,  H01L21/4867 ,  H01L31/022425 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/092 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2203/0315 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供：在布线或电极从糊膏焙烧、制造的电子部件，以及具有与玻璃或玻璃陶瓷构件接合的布线的电子部件中，可以抑制氧化所致的电阻增大，可以抑制玻璃或玻璃陶瓷的气泡发生，耐迁移性优良的采用Cu系布线材料的电子部件。本发明涉及的Cu-Al合金粉末，其包含Cu与优选50重量％以下的Al的Cu-Al合金粉末，其特征在于，上述Cu-Al合金粉末的表面以厚度80nm以下的Al氧化被膜被覆。该粉末与玻璃或玻璃陶瓷材料进行配合，制成糊膏，用于形成布线、电极及/或接点构件。

公开(公告)号：CN1746255B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200510108259.9

申请日：2002-02-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  小山直之 ,  西山雅也 ,  吉田诚人

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1454 ,  C01F17/0043 ,  C01G25/00 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/12 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。

公开(公告)号：CN101649182A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200810184455.8

申请日：1997-09-30

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 吉田诚人 ,  芦泽寅之助 ,  寺崎裕树 ,  仓田靖 ,  松泽纯 ,  丹野清仁 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO 2 绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。