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公开(公告)号：CN103748699A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280039901.0
申请日：2012-08-30
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： H01L33/22 , C30B29/38 , G03F7/24 , H01L21/027
CPC分类号： H01L33/22 , B29C43/46 , B29C2043/464 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/2006 , G03F7/24 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L51/5268 , Y10T428/24479 , H01L33/20
摘要： 本发明提供一种具有通过减少导体层中的错位缺陷数改善内量子效率IQE、并提高LED的发光效率的微细结构体的光学用基材。光学用基材（1）具有微细结构层（12），所述微细结构层（12）包含由从基材（11）主面向面外方向延伸的多个凸部（13）构成的点，微细结构层（12）在基材（11）主面内的第一方向上具有多个点构成以间距Py排列而成的多个点列（13-1～13-N），在基材（11）主面内的与第一方向正交的第二方向上具有多个点以间距Px排列而成的多个点列，间距Py以及间距Px中的任意一方为纳米尺度的固定间隔，另一方为纳米尺度的不固定间隔，或者两者均为纳米尺度的不固定间隔。
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公开(公告)号：CN104221180A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380019616.7
申请日：2013-04-11
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： H01L51/52 , G02B5/18 , H01L21/027
CPC分类号： H01L51/5275 , B32B37/025 , B32B37/24 , B32B38/10 , B32B2037/243 , B32B2551/08 , G02B1/118 , G02B1/16 , G02B5/0294 , G02B5/18 , G02B5/1809 , G02B5/1814 , G02B5/1847 , G02F1/133502 , H01L33/58 , H01L2251/5369 , H01L2251/55 , H01L2251/558 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091 , Y10T156/10
摘要： 半导体发光元件用光提取体(1)包括：凹凸构造层(11)，其在表面设置有凹凸构造(11a)，且具有第一折射率(n1)；及第一光提取层(12a)，其设置于凹凸构造(11a)的凸部上；对于第一光提取层(12a)，凸部顶部平均位置Sh与第一光提取层(12a)的凸部上界面平均位置Scv之间的距离Lcv满足式(1)10nm≦Lcv≦5000nm，凹凸构造(11a)在平均高度H满足式(2)10nm≦H≦5000nm，并且平均间距P满足式(3)50nm≦P≦5000nm，且距离Lcv、及凸部平均高度H满足式(4)50nm≦Lcv+H≦6000nm。本发明可改善来自使用有光提取体(1)的半导体发光元件的光取出效率，而且可提高半导体发光元件的长期可靠性。
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公开(公告)号：CN104210046A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410446835.X
申请日：2012-06-18
申请人： 旭化成电子材料株式会社
CPC分类号： H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要： 本发明的目的在于为了在被处理体上形成高纵横比的微细图案，提供可容易地形成残留膜薄或无残留膜的微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法。本发明的微细图案形成用积层体(1)是用于在被处理体(200)上介由第1掩模层(103)形成微细图案(220)的微细图案形成用积层体(1)，其特征在于，具备在表面上具有凹凸结构(101a)的模具(101)和在凹凸结构(101a)上设置的第2掩模层(102)，第2掩模层(102)的距离(lcc)及凹凸结构(101a)的高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)和高度(h)满足下述式(2)。式(1)0
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公开(公告)号：CN104024894A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065274.8
申请日：2012-12-25
申请人： 旭化成电子材料株式会社
CPC分类号： G02B5/1861 , G02B5/1809 , H01L51/0096 , H01L51/5262 , H05B33/02 , Y02E10/549
摘要： 本发明提供一种可以减轻光的衍射所引起的色偏的光学用基材。光学用基材(12)具备有含有由从基材的主面向面外方向延伸的、多个凸部或凹部构成的点(31)的微细结构层，所述微细结构层在所述基材主面内的第1方向上，具有多个点以间距(Py)排列的多个点列，与基材主面内的所述第1方向正交的第2方向上，具有多个点以间距(Px)排列的多个点列，间距(Py)及间距(Px)均为可变间隔，各自为纳米尺度。
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公开(公告)号：CN104271332B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201380024210.8
申请日：2013-04-30
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： B29C59/04 , B29C65/02 , H01L21/027 , B29L7/00
CPC分类号： B29C59/022 , B29C59/026 , B29C59/046 , B29C59/16 , B29K2033/08 , B29K2105/0005 , G03F7/0002 , Y10T428/24628
摘要： 使用微细图案形成用膜(II)，在被处理体(20)上转印赋予以下第1掩模层(13)及第2掩模层(12)，所述微细图案形成用膜(II)具有在一侧的表面上形成有纳米尺度的凹凸结构(儿)的覆盖膜(10)、设置于所述凹凸结构(11)的凹部内部的第2掩模层(12)、覆盖所述凹凸结构(11)及所述第2掩模层(12)而设置的第1掩模层(13)；此处，使设置有第1掩模层(13)的表面朝向所述被处理体(20)的表面，按压微细图案形成用膜(II)，对第1掩模层(13)照射能量射线，接着，将覆盖膜(10)从第2掩模层(12)及第1掩模层(13)上分离。此处，按压和能量射线照射分别独立进行。使用第2掩模层(12)及第1掩模层(13)，蚀刻被处理体(20)。
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公开(公告)号：CN105247693A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031293.8
申请日：2014-05-28
申请人： 旭化成电子材料株式会社
发明人： 古池润
IPC分类号： H01L33/22 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L22/12 , H01L33/005 , H01L33/007
摘要： LED用图案晶片(10)在主面的至少一部分上具备具有实质上n次对称的排列的凹凸结构A(20)，对于凹凸结构A(20)的至少一部分，相对于其主面内的晶轴方向的、凹凸结构A(20)的排列轴A的旋转位移角θ满足0°＜θ≤(180/n)°，且凹凸结构A(20)的凸部顶部为曲率半径超过0的角部。在凹凸结构A(20)上按以下顺序层叠有第一半导体层(30)、发光半导体层(40)以及第二半导体层(50)，构成LED用外延片(100)。能够提供改善了裂缝以及内量子效率IQE的LED用图案晶片以及LED用外延片。
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公开(公告)号：CN103249562B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180059183.9
申请日：2011-12-08
申请人： 旭化成电子材料株式会社
CPC分类号： G02B1/14 , C23C18/1216 , C23C18/122 , C23C18/1233 , C23C18/1245 , G02B1/10 , G02B1/105 , H01L31/02366 , Y02E10/50 , Y10T428/24537
摘要： 本发明可以提供大面积并且高生产率地形成耐环境性、耐气候性、长期稳定性优异的微细凹凸结构的微细结构积层体以及使用该微细结构积层体制作微细结构积层体的方法，同时提供可以高生产率并大面积化地制造微细结构体的方法。本发明的微细结构积层体，其特征在于，具有基材，与所述基材的一个主要表面上设置的表面上具有微细凹凸结构的树脂层，与所述树脂层的所述微细凹凸结构上设置的包含具有与所述树脂层的所述微细凹凸结构对应形状的微细凹凸结构的溶胶凝胶材料的无机层，所述树脂层的所述固化物层侧区域中氟浓度(Es)高于所述树脂层中的平均氟浓度(Eb)。
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公开(公告)号：CN102791452B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180012708.3
申请日：2011-03-09
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： B29C33/38 , B29C33/58 , H01L21/027
CPC分类号： B29C33/58 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： 提供与基材的密合性优异、与转印材料树脂之间的脱模性优异、且树脂模具本身的耐久性优异、能经受对转印材料树脂的重复转印的树脂模具。本发明的树脂模具是表面具有微细凹凸结构的树脂模具，其特征在于，树脂模具表面部的氟元素浓度（Es）在构成树脂模具的树脂中的平均氟元素浓度（Eb）以上。
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公开(公告)号：CN104271332A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380024210.8
申请日：2013-04-30
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： B29C59/04 , B29C65/02 , H01L21/027 , B29L7/00
CPC分类号： B29C59/022 , B29C59/026 , B29C59/046 , B29C59/16 , B29K2033/08 , B29K2105/0005 , G03F7/0002 , Y10T428/24628
摘要： 使用微细图案形成用膜(II)，在被处理体(20)上转印赋予以下第1掩模层(13)及第2掩模层(12)，所述微细图案形成用膜(II)具有在一侧的表面上形成有纳米尺度的凹凸结构(儿)的覆盖膜(10)、设置于所述凹凸结构(11)的凹部内部的第2掩模层(12)、覆盖所述凹凸结构(11)及所述第2掩模层(12)而设置的第1掩模层(13)；此处，使设置有第1掩模层(13)的表面朝向所述被处理体(20)的表面，按压微细图案形成用膜(II)，对第1掩模层(13)照射能量射线，接着，将覆盖膜(10)从第2掩模层(12)及第1掩模层(13)上分离。此处，按压和能量射线照射分别独立进行。使用第2掩模层(12)及第1掩模层(13)，蚀刻被处理体(20)。
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公开(公告)号：CN103764385A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201380002892.2
申请日：2013-06-10
申请人： 旭化成电子材料株式会社
IPC分类号： B32B3/30 , B29C59/02 , B29C59/04 , H01L21/027
CPC分类号： B32B3/30 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B37/025 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2307/536 , B32B2307/538 , B32B2457/00 , B32B2457/18 , B32B2457/206 , B32B2551/00 , G03F7/0002 , H01L2933/0083 , Y10T428/1352 , Y10T428/24355
摘要： 功能转印体(14)具备具有纳米结构的凹凸结构(11)的载体(10)和设置于凹凸结构(11)上的功能层(12)。在凹凸结构(11)的表面预先设置功能层(12)，使功能层(12)直接对接于被处理体(20)的一主面上，然后从功能层(12)除去载体(10)，在被处理体(20)上转印功能层(12)。凹凸结构(11)的平均间距在1nm以上1500nm以下，功能层(12)包含树脂，且功能层(12)的露出面侧的表面粗糙度(Ra)，与凹凸结构(11)的凸部顶端位置和所述功能层的露出表面的距离(lor)的比例(Ra/lor)在1.2以下。进一步地，功能层(12)配置于凹部(1la)的内部，其露出面在温度20℃且遮光下是非液体状态。可以在被处理体(20)上高精度地赋予功能。
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