公开(公告)号：CN101447789B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200810190207.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中顺一 ,  稻垣善嗣 ,  樱裕司 ,  生驹平治 ,  冈浩二 ,  冈本阳一 ,  野间崎大辅

IPC: H03M1/36

CPC classification number: H03M1/002 ,  H03M1/007 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明提供一种A/D转换器和A/D转换方法，其中A/D转换器包括：决定分解度的控制部件；根据所述控制部件的信号来变更电流的放大器；由在一端输入所述放大器的输出而在另一端输入相互不同的电压的多个比较器所构成的电压比较器列；通过把所述电压比较器列的比较结果输入到所述控制部件中来修正分解度。

公开(公告)号：CN1828892A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006651.7

申请日：2002-07-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫田美模 ,  村田健治 ,  野间崎大辅

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器，为提高集成电路的电容精确度。在半导体集成电路上配置复数个电容单元，这些电容单元联有上方电极及下方电极，在这些电极上联接了各自的配线时，在不导致半导体集成电路的面积增大的情况下，可有效地控制电容单元的上方电极、下方电极以及各电容单元配线之间的电容耦合。在电容单元1A的上方电极3A上联接了上方电极配线5A，电容单元1C、1D的上方电极3C、3D由共同上方电极配线5C联接。上述电极配线5A，其侧方的电容单元1B、1D、1A的下方电极2B、2D、2A及联接这些电极的下方配线4之间配置屏蔽线6。另外，在上述共同电极配线5C的周围也配置屏蔽线6。

公开(公告)号：CN1471235A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03147420.9

申请日：2003-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田健治 ,  野间崎大辅

IPC: H03M1/46 ,  H03M1/80

CPC classification number: H03M1/148 ,  H03M1/362

Abstract: 本发明公开了一种串并联型A/D转换器，设置用初始化电压(Vrc23)初始化低位参照电压的低位参照电压初始化电路(8)，从模拟输入电压的采样开始到开始下位参照电压的比较动作的任意期间内，产生初始化电压(Vrc23)作为所述低位参照电压，使所述低位参照电压从该初始化电压的电压值迁移到根据来自高位符号选择电路(14)的高位符号选择信号(P0C～P3C)而选择的电压值，比较根据该高位符号选择信号(P0C～P3C)而选择的低位参照电压和所述模拟输入电压的电压值。当把输入的模拟输入电压(Vin)转换为数字值时，从保持以前的模拟输入电压的采样期间到下一采样期间之间，即使在所述模拟输入电压(Vin)大幅度变化时也能实现高速、高精度的动作。

公开(公告)号：CN101669282A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880012777.2

申请日：2008-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野间崎大辅 ,  冈浩二

IPC: H03F3/45 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H03M1/14 ,  H01L21/822

CPC classification number: H03F3/45183 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0811 ,  H01L27/088 ,  H03F2203/45352 ,  H03F2203/45371 ,  H03F2203/45486 ,  H03M1/0682 ,  H03M1/0695 ,  H03M1/442

Abstract: 本发明提供一种运算放大器及管线型AD转换器。差动电压布线(W101a)将差动晶体管(T101a、T101a、…)之中使用的晶体管的栅极电极电连接在接受输入电压(Vinn)的输入节点上，差动电压布线(W101b)将差动晶体管(T101b、T101b、…)之中使用的晶体管的栅极电极电连接在接受输入电压(Vinp)的输入节点上。偏置电压布线(W102)将电流源晶体管(T102、T102、…)之中使用的晶体管的栅极电极电连接在接受偏置电压(WBN)的偏置节点上，偏置电压布线(W103)将负载晶体管(T103a、T103a、…、T103b、T103b…)之中使用的晶体管的栅极电极电连接在接受偏置电压(VBP)的偏置节点上。

公开(公告)号：CN101447789A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810190207.4

申请日：2002-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中顺一 ,  稻垣善嗣 ,  樱裕司 ,  生驹平治 ,  冈浩二 ,  冈本阳一 ,  野间崎大辅

IPC: H03M1/36

CPC classification number: H03M1/002 ,  H03M1/007 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明提供一种A/D转换器和A/D转换方法，其中A/D转换器包括：决定分解度的控制部件；根据所述控制部件的信号来变更电流的放大器；由在一端输入所述放大器的输出而在另一端输入相互不同的电压的多个比较器所构成的电压比较器列；通过把所述电压比较器列的比较结果输入到所述控制部件中来修正分解度。

公开(公告)号：CN1242479C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN02140262.0

申请日：2002-07-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫田美模 ,  村田健治 ,  野间崎大辅

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器，为提高集成电路的电容精确度。在半导体集成电路上配置复数个电容单元，这些电容单元联有上方电极及下方电极，在这些电极上联接了各自的配线时，在不导致半导体集成电路的面积增大的情况下，可有效地控制电容单元的上方电极、下方电极以及各电容单元配线之间的电容耦合。在电容单元1A的上方电极3A上联接了上方电极配线5A，电容单元1C、1D的上方电极3C、3D由共同上方电极配线5C联接。上述电极配线5A，其侧方的电容单元1B、1D、1A的下方电极2B、2D、2A及联接这些电极的下方配线4之间配置屏蔽线6。另外，在上述共同电极配线5C的周围也配置屏蔽线6。