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公开(公告)号：CN100353624C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN03805468.X
申请日：2003-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3072 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。
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公开(公告)号：CN1906819A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001659.8
申请日：2005-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02212 , H01L2224/48091 , H01S5/0222 , H01S5/02296 , H01S5/024 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开一种半导体激光器装置，具备：半导体激光器芯片(1)，其发射激光；主体(3、4)，其支撑半导体激光器芯片(1)；多个端子电极(7)，其被插入到设于主体(3、4)的贯通孔，用于对半导体激光器芯片进行供电；以及封盖(5)，其具有透射激光的光学窗(6)，并且以覆盖半导体激光器芯片(1的方式固接于主体(3、4)。该装置中，在主体(3、4)和端子电极(7)之间具备绝缘玻璃(8)，当被加热到700℃以上850℃以下的温度时不会放出氟化硅气体。
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公开(公告)号：CN1639934A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805468.X
申请日：2003-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3072 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。
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公开(公告)号：CN102484354A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080021734.8
申请日：2010-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0281 , H01S5/0283
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，具备：半导体层叠体(50)，其由III族氮化物半导体构成，且具有发光端面；和第一涂膜(23)，其形成为覆盖该半导体层叠体(50)中的发光端面。第一涂膜(23)是由含有铝的氮化物构成的结晶性膜。该结晶性膜是由结晶取向面处的倾斜角度和旋转角度彼此相同的多个晶畴的集合体构成的，每单位面积的各晶畴的边界长度为7μm-1以下。
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公开(公告)号：CN100454693C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580011771.X
申请日：2005-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01L21/0254 , H01S5/02
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40)，基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件(3)，解理引发构件(3)的与解理面平行的方向的尺寸小于基板(1)的上面的与解理面平行的方向的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100454597C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580013357.2
申请日：2005-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3216 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n-GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1：x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1：x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。
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公开(公告)号：CN1943084A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011771.X
申请日：2005-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01L21/0254 , H01S5/02
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40)，基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件(3)，解理引发构件(3)的与解理面平行的方向的尺寸小于基板(1)的上面的与解理面平行的方向的尺寸。
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公开(公告)号：CN1277339C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN02821679.2
申请日：2002-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1039 , H01S5/164 , H01S5/22 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：在基板(21)的主表面上生长第一氮化物系III-V族化合物半导体层(22)的工序；在第一氮化物系III-V族化合物半导体层上以在宽度方向上规定的周期重复的方式形成具有不同宽度的第一幅度部和第二幅度部的条纹状的掩膜(23)的工序；为覆盖在掩膜和第一氮化物系III-V族化合物半导体层的表面的掩膜之间露出的部分而从该露出部分选择性生长第二氮化物系III-V族化合物半导体层(25)的工序；以及在第二氮化物系III-V族化合物半导体层上实质上叠层包括在掩膜的延长方向上延长的有源层的半导体激光器结构(26～33)，由此，在掩膜的第一幅度部(条纹1)和第二幅度部(条纹2)的边界上的部位中获得具有对应于第一幅度部和第二幅度部的宽度差的叠层段差(301)的半导体激光器结构的工序。
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公开(公告)号：CN1707890A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510075140.6
申请日：2005-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，它包括：由氮化物半导体构成的基板；与上述基板的上表面相接连地形成、由含p型杂质的氮化物半导体构成的半导体层；在上述半导体层之上形成、由含第1导电型杂质的氮化物半导体构成的第1包层；在上述第1包层之上形成的活性层；在上述活性层之上形成、由含第2导电型杂质的氮化物半导体构成的第2导电型包层。
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公开(公告)号：CN102130424A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110025560.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2022 , H01S5/22
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光装置，其即便使激光束的功率高输出化，也能够使FFP(远视野图像)特性稳定且广角化。其具有：在n型复合层(2)之上形成的活性层(4)；形成在活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部(6a)和位于该脊形部的两侧方的平坦部(6b)的p型复合层(6)；形成在两平坦部之上，且具有比p型复合层大的光吸收系数的光吸收层(9)；在包含光吸收层的、p型复合层的上表面及脊形部的侧面形成的绝缘膜(8)。光吸收层具有设置在射出端面侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域、设置在射出端面的相反侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，其中Di1和Di2的关系满足Di1＜Di2。
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