公开(公告)号：CN108886347A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780017024.X

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  吉野隆史 ,  后藤万佐司 ,  滑川政彦

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 在将压电性单晶基板与包含陶瓷的支撑基板直接键合时，可进行常温下的接合，并且使接合强度提高。在包含陶瓷的支撑基板上形成接合层，该接合层包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面照射中性束，使接合层3A的表面4活化。将接合层的表面4与压电性单晶基板6直接键合。

公开(公告)号：CN101939699B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980104539.9

申请日：2009-02-03

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 吉野隆史

IPC: G02F1/377 ,  G02B6/122

CPC classification number: G02B6/262 ,  G02B6/4207 ,  G02F1/3775

Abstract: 本发明提供一种高次谐波发生器，其具有固体激光振荡器、将由该固体激光振荡器所激发的激光的波长进行转换从而发生高次谐波的调制用光波导、激光的入射侧端面、高次谐波的出射侧端面、一侧的侧面及另一侧的侧面。出射侧端面具有在一侧的侧面(1a)侧所形成的研磨面(6)和在另一侧的侧面(1b)侧所形成的光散射面(5)，该一侧的侧面(1a)和研磨面(6)所形成的角θ为钝角，该另一侧的侧面(1b)与光散射面(5)之间所成的角α为钝角或直角。

公开(公告)号：CN101535887A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780041570.3

申请日：2007-11-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 吉野隆史

IPC: G02F1/377

CPC classification number: G02F1/3775 ,  G02F1/3558 ,  G02F2201/066 ,  G02F2201/124

Abstract: 通过在单畴化的铁电体单晶基板的一个主面上所设置的梳形电极和另一个主面上所设的均匀电极之间施加电压，从而形成周期极化反转构造(9)，去除梳形电极。接着在基板(18)上形成光波导(20)。使光波导(20)的光强度中心(P1)离开梳形电极的前端位置(P0)。

公开(公告)号：CN100378567C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200480006413.5

申请日：2004-03-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野田宪一 ,  岩井真 ,  吉野隆史

IPC: G02F1/355

Abstract: 本发明的课题是在使用了非线形光学晶体的波长变换元件中，防止由波长变换元件产生的变换光输出功率的不稳定。本发明提供一种将基本光(A)变换为其他波长的光(B)的波长变换元件(1A、1B)。元件(1A、1B)具备：由非线形光学晶体的板状体构成的、具备一方的主面(2a)及另一方的主面(2b)的波长变换层(2)；以及接合在波长变换层(2)的一方的主面(2a)上的支撑体(3、3A)。可以将另一个支撑体(3b)接合在波长变换层(2)的另一方的主面(2B)上。

公开(公告)号：CN101026366A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710078706.X

申请日：2007-02-25

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK光陶瓷株式会社

Inventor： 吉野隆史 ,  山口省一郎 ,  岩田雄一 ,  浜岛章 ,  铃木健吾

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/15 ,  H01L41/18

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02023 ,  H03H9/02031 ,  H03H9/02039 ,  H03H9/02055 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/173 ,  H03H9/564 ,  H03H2003/021

Abstract: 本发明可提高压电薄膜器件的特性。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)包含不能单独承受自重的压电体薄膜(111)，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)。作为构成压电薄膜器件(111)的压电体材料，最好是从水晶、铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂、氧化锌、铌酸钾以及硅酸镓镧中选择的、不包含晶粒边界的单晶材料。

公开(公告)号：CN101026365A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710078708.9

申请日：2007-02-25

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK光陶瓷株式会社

Inventor： 吉野隆史 ,  山口省一郎 ,  岩田雄一 ,  浜岛章 ,  铃木健吾

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/15

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02023 ,  H03H9/02031 ,  H03H9/02039 ,  H03H9/02055 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/173 ,  H03H9/564 ,  H03H9/568 ,  H03H2003/021 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49005

Abstract: 本发明的压电薄膜器件可提高构成压电薄膜的压电材料或压电体薄膜中结晶方位的选择自由度。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，通过对压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但由去除加工得到的压电体薄膜(111)不能单独承受自重，所以在去除加工前预先将包含压电体基板的所定部件粘接在用作支撑体的底座基板(13)上。

公开(公告)号：CN111094637A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059294.1

申请日：2018-07-03

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  大上翔平 ,  后藤万佐司 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38

Abstract: 提供一种基底基板(6)，其具备支撑基板(1)、和设置在支撑基板(1)的主面(1a)上的基底结晶层(3)，其中该基底结晶层(3)由13族元素氮化物结晶构成、且具有结晶培养面(3a)。基底结晶层(3)具备隆起部(5)。在隆起部(5)与支撑基板(1)之间存在有支撑基板(1)的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、13族金属和/或空隙。

公开(公告)号：CN111052415A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880052347.7

申请日：2018-08-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: H01L33/16 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32

Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。

公开(公告)号：CN111052413A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880052333.5

申请日：2018-07-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: H01L33/16 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种13族元素氮化物结晶层，其包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶，且具有上表面及底面。在利用阴极发光观察上表面时，具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域。高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。上表面的算术平均粗糙度Ra为0.05nm以上1.0nm以下。

公开(公告)号：CN108291329B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201680068330.1

申请日：2016-08-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L33/32

Abstract: 结晶基板1包括：由13族元素氮化物结晶形成、具有第一主面2a和第二主面2b的基底层2、以及、设置在基底层的第一主面上的由13族元素氮化物形成的厚膜3。基底层2包含：在第一主面2a与第二主面2b之间贯穿的低载流子浓度区域5和高载流子浓度区域4，低载流子浓度区域5的载流子浓度为1017/cm3以下，低载流子浓度区域5的缺陷密度为107/cm2以下，高载流子浓度区域4的载流子浓度为1019/cm3以上，高载流子浓度区域4的缺陷密度为108/cm2以上。厚膜3的载流子浓度为1018/cm3～1019/cm3，厚膜3的缺陷密度为107/cm2以下。