公开(公告)号：CN1979860A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610166739.5

申请日：2006-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡濑和美 ,  滨谷毅

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法，通过在半导体衬底(11)的至少1个角部(16)设置与缓冲镀层膜(14)电连接的导电区(15－1)，使组件封固树脂或缓冲镀层膜(14)表面积存的电荷利用导电通路流入到导电区(15－1)，从而能降低组件封固树脂或缓冲镀层膜(14)表面积存的电荷密度，抑制放电。其结果，通过抑制放电，不对外部输入输出端子施加高压，IC电路不用说，连接IC电路的电路用金属布线也能防止熔断，还能防止层间绝缘膜(18)破坏。

公开(公告)号：CN1909215A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610110947.3

申请日：2006-08-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨谷毅 ,  太田行俊

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，密封环沿半导体元件区与划线区的边界连续形成，沿密封环配置的辅助部分断续排列，密封环由金属层构成。

公开(公告)号：CN1909215B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200610110947.3

申请日：2006-08-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 滨谷毅 ,  太田行俊

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，密封环沿半导体元件区与划线区的边界连续形成，沿密封环配置的辅助部分断续排列，密封环由金属层构成。

公开(公告)号：CN1905180A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610108514.4

申请日：2006-07-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 永井纪行 ,  滨谷毅 ,  三村忠昭

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L23/5225 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，通过加厚层间膜(22)，并将电极焊盘(11)的一部分或全部引出到有源区(16)且形成于该区，能使输入输出区(15)缩小，因而能缩小半导体器件的面积。

公开(公告)号：CN1652329A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510009184.9

申请日：2005-02-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三村忠昭 ,  滨谷毅 ,  水谷笃人 ,  植田贤治

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L22/32 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部，由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71)，电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成，配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部，使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构，可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力，能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。