公开(公告)号：CN101145532B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710166820.8

申请日：2003-12-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明 ,  丰田稻男 ,  渡边善文 ,  近藤市治 ,  真山惠次 ,  阿部吉次

IPC: H01L21/60 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L19/147 ,  B81B7/0012 ,  B81B2207/07 ,  G01F1/34 ,  G01F1/692 ,  G01F15/006 ,  G01L19/0645 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。

公开(公告)号：CN100456007C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200610094123.1

申请日：2006-06-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L19/0627

Abstract: 一种压力传感器，用于检测压力并基于传感器芯片的压电电阻效应输出信号，该压力传感器包括：衬底，其在一侧上具有传感器芯片和在另一侧上具有凹入部分；传感器芯片中的压电电阻；基座，其附装到衬底并具有通孔以在薄部分上将压力引入到传感器芯片；和填充在凹入部分和通孔中用于保护传感器芯片的凝胶材料。通孔的直径对基座的厚度的比值基本上在1至3的范围内。

公开(公告)号：CN1892198A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610094123.1

申请日：2006-06-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01L19/147 ,  G01L19/0627

Abstract: 一种压力传感器，用于检测压力并基于传感器芯片的压电电阻效应输出信号，该压力传感器包括：衬底，其在一侧上具有传感器芯片和在另一侧上具有凹入部分；传感器芯片中的压电电阻；基座，其附装到衬底并具有通孔以在薄部分上将压力引入到传感器芯片；和填充在凹入部分和通孔中用于保护传感器芯片的凝胶材料。通孔的直径对基座的厚度的比值基本上在1至3的范围内。

公开(公告)号：CN1808086A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610005464.7

申请日：2006-01-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  渡边善文 ,  田中宏明

IPC: G01L9/04

Abstract: 一种制造压力传感器的方法，包括如下步骤：制备半导体基底(21)；在基底(21)上形成绝缘膜(22)；在绝缘膜(22)上形成第一金属膜(23)；在第一金属膜(23)和绝缘膜(22)上形成第一保护膜(25)；在第一金属膜(23)和第一保护膜(25)上形成第二保护膜(26)；在第二保护膜(26)上进行附着力减小处理，附着力是在第二保护膜(26)和第二金属膜(24，27－29)之间；在第一金属膜(23)以及第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27－29)；以及去除一部分第二金属膜(24，27－29)。