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公开(公告)号：CN101220458B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
摘要： 本发明涉及一种Al-基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al-基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al-基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
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公开(公告)号：CN101353779A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
摘要： 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al－Ni－La－Si体系Al－基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni－La－Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni－La－Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号：CN101220458A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
摘要： 本发明涉及一种Al－基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al－基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al－基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
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公开(公告)号：CN103298767B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280005106.X
申请日：2012-02-09
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/453 , C04B35/457
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/086
摘要： 提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)[A/(A+B+C+D)]×100≥70···(1)。
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公开(公告)号：CN103415488A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280011369.1
申请日：2012-03-01
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，其兼具较高的导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法制造也能长时间稳定地进行放电。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和从由A1、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，将利用高斯分布来模拟面内方向及深度方向的电阻率时，所述电阻率的分散系数σ为0.02以下。
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公开(公告)号：CN103380099A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280007841.4
申请日：2012-02-09
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C04B35/00 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/604 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C23C14/3414
摘要： 本发明提供一种氧化物烧结体以及溅射标靶，适用于显示装置用氧化物半导体膜的制造的氧化物烧结体兼备高的导电性和相对密度，能够成膜具有高的载流子迁移率的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，当对所述氧化物烧结体进行基于EPMA的面内组成映射时，在测定面积中所占的、Sn浓度为10～50质量％的区域的比率是70面积％以上。
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公开(公告)号：CN103415488B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201280011369.1
申请日：2012-03-01
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，其兼具较高的导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法制造也能长时间稳定地进行放电。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和从由A1、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，将利用高斯分布来模拟面内方向及深度方向的电阻率时，所述电阻率的分散系数σ为0.02以下。
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公开(公告)号：CN104471102A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380036833.7
申请日：2013-07-24
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/165 , H01L23/53233 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种Cu合金薄膜形成用溅射靶及其制造方法，其是作为液晶显示器等显示设备用电极膜等有用的Cu—Mn合金薄膜的制膜所用的溅射靶，溅射时，可减少异常粗大化的团簇粒子，微粒或飞溅的发生少。本发明的Cu合金薄膜形成用溅射靶是至少含有Mn，Mn的含量为2原子％以上且20原子％以下的Cu合金溅射靶，溅射靶的厚度方向的t/2截面的维氏硬度控制在50HV以上且100HV以下。
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公开(公告)号：CN103201232A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180054499.9
申请日：2011-11-11
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/00 , C04B35/457 , C23C14/34
CPC分类号： H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要： 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。
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公开(公告)号：CN103201232B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201180054499.9
申请日：2011-11-11
申请人： 株式会社钢臂功科研
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453 , C04B35/00 , C04B35/457
CPC分类号： H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要： 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。
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