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公开(公告)号：CN113878489A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110672653.4
申请日：2021-06-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34
Abstract: 一种研磨装置及记录介质，即使研磨的状况变化也能推定研磨中的对象时刻的参数。研磨装置具有：生成部，该生成部使用与研磨中的对象时刻的研磨部件和对象基板之间的摩擦力有关的数据、或者研磨部件或对象基板的温度的测定数据生成特征量；以及推定部，该推定部对使用学习用数据组完成学习的机器学习模型至少输入通过该生成部生成的特征量，输出对象基板的研磨中的对象时刻的研磨量或残余膜量的推定值，该学习用数据组在输入中包括基于与研磨中的各时刻的研磨部件和基板之间的摩擦力有关的数据的特征量、或基于研磨部件或基板的温度的测定数据的特征量，将至少使用研磨后测定出的膜厚推定的研磨中的各时刻的研磨量或残余膜量作为输出。
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公开(公告)号：CN107877356B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201710908822.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/10 , B24B53/017
Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。
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公开(公告)号：CN119526257A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411212017.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/013 , B24B49/10 , B24B49/12 , B24B37/10 , B24B7/22
Abstract: 本发明提供一种改善了测定范围内的膜厚分布的精度的膜厚信号处理装置、研磨装置及膜厚信号处理方法。膜厚信号处理装置具有接收部和校正部。接收部接收从电涡流传感器输出的传感器数据来生成第一膜厚数据(168)和第二膜厚数据(172)。校正部校正由接收部生成的第一膜厚数据和第二膜厚数据。校正部基于在电涡流传感器的一次测定中作为测定对象的研磨对象物上的测定范围(174、176)的尺寸、在研磨对象物上的第一测定点(146)测定出的第一膜厚数据和在研磨对象物上的第二测定点(148)测定出的第二膜厚数据来求出校正后的膜厚数据(166)。第一测定点和第二测定点之间的距离为测定范围的尺寸以下。
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公开(公告)号：CN117501414A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042683.X
申请日：2022-05-24
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：在基板的研磨中和/或清洗中和/或干燥中对对象的物理量进行检测的至少一个传感器；对于已学习的机器学习模型，将由所述传感器检测到的研磨中和/或清洗中和/或干燥中的传感器值按照每个处理步骤转换为特征量的转换部；以及通过将包含所述特征量的对象数据输入已学习的机器学习模型而输出对象的基板中的缺陷的数量、缺陷的尺寸、缺陷的位置中的至少一个的预测值的推论部，所述已学习的机器学习模型使用学习数据组进行学习，该学习数据组的输入数据包含将在对象的生产线或与该对象的生产线同种的生产线中由传感器检测到的研磨中和/或清洗中的传感器值按照每个处理步骤转换而得到的特征量，且该学习数据组的输出数据是基板中的缺陷的数量、缺陷的尺寸、缺陷的位置中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109719612B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201811288557.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种减少电流传感器的计量结果在多个研磨装置间的差异的研磨装置、研磨系统、基板处理装置以及研磨方法。电流检测部检测摆动轴马达(14)的电流值而生成第一输出。第一处理部使用表示由顶环施加于半导体晶片的面压与第一输出之间的对应关系的第一数据，根据第一输出求出与第一输出相对应的面压。第二处理部使用表示由第一处理部获得的面压与第二输出之间的对应关系的第二数据，而求出与由第一处理部获得的面压相对应的第二输出。
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公开(公告)号：CN111604809A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010106480.5
申请日：2020-02-21
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B57/02 , B24B49/10 , H01L21/67 , H01L21/321
Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。
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公开(公告)号：CN110026883A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811481671.9
申请日：2018-12-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B37/27 , B24B37/34
Abstract: 提供一种研磨装置、研磨方法以及计算机可读取记录介质。在将顶环保持于摆动臂的端部的研磨方式中，能够提高研磨终点检测的精度。通过研磨台保持研磨垫。通过第一电动机旋转驱动研磨台。通过顶环用电机旋转驱动顶环，该顶环用于保持半导体晶片并且将半导体晶片向研磨垫按压。通过摆动臂保持顶环。通过摆动轴电机使摆动臂绕摆动臂上的摆动中心摆动。检测摆动轴电机的电流值，并生成第一输出。在使半导体晶片绕摆动臂上的摆动中心摆动而对半导体晶片进行研磨时，使第一输出的变化量增加，并对研磨垫与半导体晶片之间的摩擦力的变化进行检测。
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公开(公告)号：CN109719612A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811288557.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67219 , B24B29/04 , B24B37/013 , B24B37/105 , B24B49/10 , H01L21/30625 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/67748 , H01L21/68728 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供一种减少电流传感器的计量结果在多个研磨装置间的差异的研磨装置、研磨系统、基板处理装置以及研磨方法。电流检测部检测摆动轴马达(14)的电流值而生成第一输出。第一处理部使用表示由顶环施加于半导体晶片的面压与第一输出之间的对应关系的第一数据，根据第一输出求出与第一输出相对应的面压。第二处理部使用表示由第一处理部获得的面压与第二输出之间的对应关系的第二数据，而求出与由第一处理部获得的面压相对应的第二输出。
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公开(公告)号：CN107877356A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710908822.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/10 , B24B53/017
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/32 , B24B37/105 , B24B37/005 , B24B37/042 , B24B37/34 , B24B37/345 , B24B49/10 , B24B49/105 , B24B49/12 , B24B53/017
Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。
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