公开(公告)号：CN1260778C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN01804554.5

申请日：2001-12-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 近藤文雄 ,  三岛浩二 ,  田中亮 ,  铃木庸子 ,  户川哲二 ,  井上裕章

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/245 ,  B24B37/345 ,  B24B41/061 ,  B24B49/16 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/67396 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种基片加工方法，包括在一个基片的表面上形成铜膜的步骤。这些步骤包括：通过电镀将第一金属填充到沟道中以便在基片的整个表面上形成一个第一金属的镀膜的步骤，其中通过虚阳极调节电磁场，以便基片的中心部分和周边部分之间的镀膜厚度的差被最小化，并且通过将基片压在抛光表面上抛光并去除镀膜，其中，在中心部分和周边部分处将基片压在抛光表面上的压力被调节。

公开(公告)号：CN1545728A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02815790.7

申请日：2002-08-12

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 井上裕章 ,  木村宪雄 ,  王新明 ,  松本守治 ,  金山真

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  C23C18/32

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/32 ,  C23C18/48 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法，其具有埋入布线结构，并利用保护膜来保护裸露布线的表面；上述埋入布线结构是通过在设于半导体基片等表面上的布线用的微细凹部中，埋入铜或银等导电体而构成的。本发明的半导体器件的特征在于，在具有埋入布线结构的半导体器件的裸露布线表面，形成表面平坦化的保护膜。

公开(公告)号：CN1527888A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN02811119.2

申请日：2002-05-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治

IPC: C23C18/34 ,  C23C18/50 ,  H01L23/532 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/76849 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1637 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/34 ,  C23C18/52 ,  H01L21/288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于形成保护膜的无电电镀液，该保护膜用于选择性保护半导体器件暴露互连的表面，而半导体器件具有如下的嵌入互连结构，其中电导体，如铜或银，嵌入在精细的凹槽内用于在半导体衬底表面上形成互连。本发明还涉及一种半导体器件，其中暴露互连的表面用保护膜选择性地加以保护。无电电镀液含有钴离子、配位剂和不含碱金属的还原剂。

公开(公告)号：CN106990909A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610139864.0

申请日：2016-03-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井上裕章

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0656 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0676 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0674

Abstract: 根据实施方式，提供盘装置、存储装置及控制方法。盘装置具有：盘介质、缓冲存储器和控制器。控制器具有用于与缓冲存储器连接的接口电路。控制器在指示使用缓冲存储器向盘介质访问的第一访问工作的来自主机的命令的执行时，在后台进行使用缓冲存储器向盘介质访问的第二访问工作的情况下，以与第二访问工作相应的时间进行第一等待处理。第一等待处理是使包括第一访问工作的命令的响应处理延迟的工作。

公开(公告)号：CN105278870A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510212991.4

申请日：2015-04-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井上裕章

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F12/0888 ,  G06F2212/1021 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/222 ,  G06F2212/608

Abstract: 本发明涉及存储装置及其控制方法。一种存储装置包括：磁存储单元，其存储数据；半导体存储单元；以及控制器，其被配置为基于数据的访问历史，判定是否控制所述半导体存储单元以存储一部分数据，以及根据所述判定，控制所述半导体存储单元以存储该部分数据。

公开(公告)号：CN106293503B9

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201510548694.7

申请日：2015-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川上和泉 ,  井上裕章 ,  水野晶夫

IPC: G06F3/06 ,  G11B5/02

CPC classification number: G06F3/0625 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0674 ,  G06F3/068

Abstract: 本发明提供磁盘装置以及控制方法，具备：具有第1区域及第2区域的盘；对上述盘写入写入数据的头；将从外部输入的上述写入数据存储到第1容量为止的缓冲器；控制器，其取得基于由上述头向上述第1区域转移保存上述写入数据的时间的第1处理量和通过从上述缓冲器向上述第1区域转移保存上述写入数据而改善的第2处理量，比较上述第1处理量和上述第2处理量，基于上述第1处理量和上述第2处理量的比较结果，判断是否将上述写入数据向上述第1区域转移保存。

公开(公告)号：CN106293503A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510548694.7

申请日：2015-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川上和泉 ,  井上裕章 ,  水野晶夫

IPC: G06F3/06 ,  G11B5/02

CPC classification number: G06F3/0625 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0665 ,  G06F3/0674 ,  G06F3/068

Abstract: 本发明提供磁盘装置以及控制方法，具备：具有第1区域及第2区域的盘；对上述盘写入写入数据的头；将从外部输入的上述写入数据存储到第1容量为止的缓冲器；控制器，其取得基于由上述头向上述第1区域转移保存上述写入数据的时间的第1处理量和通过从上述缓冲器向上述第1区域转移保存上述写入数据而改善的第2处理量，比较上述第1处理量和上述第2处理量，基于上述第1处理量和上述第2处理量的比较结果，判断是否将上述写入数据向上述第1区域转移保存。