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公开(公告)号：CN102763192B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180008801.7
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , C30B33/04 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02686 , H01L21/02691
Abstract: 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。
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公开(公告)号：CN101165877A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181938.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 古田健次
IPC: H01L21/78 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/16 , B23K26/18 , B23K26/40 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供一种砷化镓晶片的激光加工方法，在通过沿着砷化镓(GaAs)晶片的间隔道照射激光光线进行烧蚀加工，来沿着间隔道切断砷化镓(GaAs)晶片时，能够使由于照射激光光线而产生的碎屑附着在切断面上。所述加工方法是沿着在砷化镓基板的表面上形成为格子状的间隔道照射激光光线，从而沿着间隔道切断砷化镓晶片的方法，其包括：晶片支承工序，将砷化镓基板的背面粘贴在保护部件上；碎屑屏蔽膜覆盖工序，在砷化镓基板的表面上覆盖碎屑屏蔽膜；激光加工槽形成工序，在砷化镓基板上从碎屑屏蔽膜侧，沿着间隔道照射激光光线，形成不到达背面的激光加工槽；以及切断工序，在砷化镓基板上沿着激光加工槽照射激光光线，形成到达背面的切断槽。
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公开(公告)号：CN114823504A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210020043.0
申请日：2022-01-10
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 古田健次
IPC: H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/268
Abstract: 本发明提供晶片的分割方法和分割装置，即使在将晶片朝下保持而进行分割的情况下，也能够确认是否在晶片中适当地形成有改质层。晶片的分割方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而进行照射，形成成为分割起点的改质层；框架配设工序，利用划片带将环状框架与晶片粘贴成一体；分割工序，使晶片朝下而将划片带扩展，沿着形成于分割预定线的改质层将晶片分割成各个器件芯片；以及判断工序，在实施该分割工序时，利用配设于晶片的正下方所设置的集尘路径上的微粒计数器对分割晶片时飞散的微粒进行计数，根据微粒的数量来判断改质层是否适当地形成。
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公开(公告)号：CN105679709B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201510882928.1
申请日：2015-12-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，将在背面装配了加固用绝缘密封件的晶片高效地分割成各个器件。晶片的加工方法将在正面的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，包含：背面磨削工序，在晶片的正面粘贴保护带并对晶片的背面进行磨削而形成为规定厚度；加固用绝缘密封件装配工序，剥离保护带并且在晶片的背面装配能够透过红外线的加固用绝缘密封件；加固用绝缘密封件硬化工序，对加固用绝缘密封件进行加热使其硬化。还包含：改质层形成工序，沿着分割预定线照射激光光线而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片分割工序，对晶片施加外力而沿着形成有改质层的分割预定线将在背面装配有加固用绝缘密封件的晶片分割成各个器件芯片。
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公开(公告)号：CN111745313A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010185530.3
申请日：2020-03-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 古田健次
IPC: B23K26/70
Abstract: 提供检查用基板和检查方法，用于对激光束的漏光进行检查，以便定量地评价漏光所到达的区域。该检查用基板用于对激光束的漏光进行检查，其中，该检查用基板具有：供具有透过检查用基板的波长的激光束照射的一个面；与一个面相反的一侧的另一个面；设置于另一个面上的间隔道；多条第1检查用布线，它们在另一个面上分别沿着间隔道配置于距离间隔道不同的距离处；以及多个第1电极垫，它们在另一个面上在多条第1检查用布线上分别设置两个以上，并在多条第1检查用布线上分别在沿着间隔道的方向上分开而配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108723584A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810341730.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 古田健次
CPC classification number: B23K26/03 , B23K26/046 , B23K26/083 , B23K26/53 , B23K2103/56 , G01B7/02 , G01B11/0608 , B23K26/04 , B23K26/705
Abstract: 提供高度位置检测单元的评价用治具和评价方法。评价用治具(1)是激光加工装置(10)的高度位置检测单元的评价用治具，该激光加工装置(10)具有：对晶片进行保持的卡盘工作台(20)；照射加工用激光光线的激光光线照射单元(30)；使加工用激光光线的聚光点位置移位的聚光点位置调整单元；对晶片照射检测用激光光线而对背面的Z轴方向的位置进行检测的高度位置检测单元；以及对聚光点位置调整单元进行控制的控制单元(100)。评价用治具(1)具有：被照射检测用激光光线的被照射面(2-1)；使被照射面(2-1)在Z轴方向上移动的致动器；对致动器进行支承并载置于保持面(21)的基台部(4)；以及对致动器的移动进行控制的控制部(120)。
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公开(公告)号：CN107611074A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710555572.X
申请日：2017-07-10
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/683 , B23K26/53
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/359 , H01L21/268 , H01L21/67092 , H01L21/6831 , H01L21/6833
Abstract: 提供静电卡盘工作台、激光加工装置和被加工物的加工方法，在使形成有金属层和器件的被加工物的正面侧露出而利用保持面对背面侧进行保持的状态下从保持面侧进行激光加工。静电卡盘工作台(1)包含：板状的基座部(2)，其对于规定波长的激光光线(L)具有透过性并具有第一面(2a)和与第一面相反一侧的第二面(2b)，规定波长的激光光线对于被加工物具有透过性；静电吸附用的电极部(3)，其对于规定波长的激光光线具有透过性并层叠于基座部的第一面；和PET膜(4)，其对于规定波长的激光光线具有透过性，覆盖电极部并构成对被加工物(W)进行保持的保持面(1a)。在从基座部的第二面侧照射激光光线而在保持面所保持的被加工物内部形成改质层(K)时使用静电卡盘工作台。
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公开(公告)号：CN102753737B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180009519.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/268
CPC classification number: C30B33/04 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2103/56 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L31/184 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供具有任意的翘曲形状和/或翘曲量的外延生长用内部改性衬底、使用该外延生长用内部改性衬底的带多层膜的内部改性衬底、半导体器件及半导体块状衬底、以及它们的制造方法；该外延生长用内部改性衬底包含单晶衬底和通过对单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底的内部的热改性层而构成。
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公开(公告)号：CN104517899A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410521267.5
申请日：2014-09-30
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法。包括：保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削而形成规定的厚度；改质层形成工序，从晶片的背面侧使对晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在与分割预定线对应的内部并沿着分割预定线进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片支撑工序，在晶片的背面安装具有绝缘功能的加强片，并在加强片侧粘贴切割带，利用环状框架支撑该切割带的外周部；加强片加热工序，通过对晶片进行加热并对安装在晶片的背面的加强片进行加热来使加强片固化；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片分割成一个个器件，并将加强片沿着一个个器件进行破断。
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公开(公告)号：CN102792420A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011562.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/20 , C30B29/20 , C30B33/02 , H01L21/268
CPC classification number: C30B33/04 , H01L21/268 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供的单晶衬底、单晶衬底的制造方法、使用该单晶衬底的带多层膜的单晶衬底的制造方法以及利用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；在由第一区域(10D)和第二区域(10U)构成的两个区域中的任意一个区域内设有热改性层，并且，设有热改性层的区域的面侧翘曲成凸状，其中，第一区域(10D)和第二区域(10U)是在衬底的厚度方向上进行二等分而得到的。
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