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公开(公告)号：CN111330902A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811558307.8
申请日：2018-12-19
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开一种扫描喷嘴清洗槽及清洗方法。该扫描喷嘴清洗槽包括：槽体和上盖板，所述槽体和所述上盖板间利用耐腐密封圈密封，所述槽体设置至少四个试剂储槽，所述上盖板相应设置有相同数量的喷嘴进出口，每个所述试剂储槽配置有进液口，溢流口和液位传感器，底部设置有排液口，所述液位传感器用于检测试剂槽试剂的液位处于排空还是注满状态。本发明的槽体布局更加合理，结构更加紧凑，使用成本也更为低廉，同时能有效较少污染的发生，也提供一套合理的使用方法提高产能。
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公开(公告)号：CN111146335A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811298686.1
申请日：2018-11-02
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开一种磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室、以及真空传输腔室。本方法包括多次反应离子等离子体刻蚀、离子束刻蚀以及镀膜步骤，在上述过程需多次进出各腔室，各腔室间的传递均在真空状态下进行。本发明能够克服高密度的小器件生产的瓶颈，拓宽刻蚀反应气体的可选择范围，减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，同时能够大幅提高器件的良率、可靠性，制造方法简单、快捷。
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公开(公告)号：CN117790386A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211142642.6
申请日：2022-09-20
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种便于不同尺寸晶圆相互切换的载台结构及其方法。载台结构包括用于传输时支撑起晶圆或者载台的顶针，以及承载晶圆和限制环的载台，所述载台上以自身的中心为圆心同心设置有一个晶圆限制环；所述晶圆限制环的内径尺寸或者外径尺寸与待加工晶圆的外径尺寸匹配。由此可见，本发明可以用于不同尺寸的晶圆芯片的快速切换。
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公开(公告)号：CN111200060B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811378263.0
申请日：2018-11-19
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开一种高密度磁隧道结制造方法，包括以下步骤：形成包括下电极、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和上电极的磁隧道结结构；利用含研磨颗粒的可自我修复的柔性研磨体对所述磁隧道结的侧壁进行研磨，去除侧壁的黏附层和损伤层，获得陡直侧壁；利用有机溶液对磁性隧道结进行清洗去除表面颗粒及残留物。本发明能够实现无损、无盲区的去除磁性隧道结侧壁的黏附层和损伤层，获得形貌陡直的侧壁，有效提高器件性能。
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公开(公告)号：CN114752921A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110023354.8
申请日：2021-01-08
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/40 , H01L21/60
摘要： 本发明提供一种倒装芯片中的镀膜方法，本发明通过控制反应气体及高低频功率分配方式可实现低功率低温条件下进行低应力致密薄膜生成，同时提高薄膜侧壁覆盖和粘附性；相比现有工艺，本发明方法所制得的薄膜的致密性更好；同期应力对比基本无变化；应力稳定在压应力250Mpa；且在后续涂胶光刻工艺未出现薄膜脱落的问题。
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公开(公告)号：CN113737155A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010474933.X
申请日：2020-05-29
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/513
摘要： 本发明涉及一种提高PECVD清洗效率的腔体内衬装置，其安装于腔体内，该装置包括陶瓷环和内衬，陶瓷环嵌套于内衬上方，陶瓷环、内衬、腔壁三者之间形成环形抽气通道，其中，陶瓷环一周均匀分布若干个抽气小孔；内衬包括轴向抽气通道，轴向抽气通道设于内衬外侧，环形抽气通道与轴向抽气通道之间连通；本发明解决腔体内壁和腔体底部等离子体不能到达的位置无法清洗彻底问题，内衬装置可以缩小腔体空间，保证清洗等离子体覆盖腔体内壁和底部，在陶瓷环一圈设若干抽气小孔，保证了腔体形成均匀分布反应气体，且陶瓷环起到绝缘的作用，本发明对抽气小孔在腔体的相对高度的把控，保证了清洗效果及沉积薄膜质量。
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公开(公告)号：CN111195852B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201811376951.3
申请日：2018-11-19
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： B24B29/02
摘要： 本发明公开一种平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法。该平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置包括：晶圆托片装置，用于固定待抛光器件；研磨体，其为含研磨颗粒并且可自我修复的柔性或准流体；驱动装置，带动所述晶圆托片装置进行往复运动，使所述待抛光器件插入和离开所述研磨体对待抛光器件的侧壁进行抛光。本发明能够实现无损、无盲区地去除器件侧壁的黏附层和损伤层。
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公开(公告)号：CN111162164A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811325919.2
申请日：2018-11-08
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC分类号： H01L43/12
摘要： 本发明公开一种半导体器件制作方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子等离子体刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室。在不中断真空的情况下，首先利用反应离子刻蚀到达隔离层，然后离子束刻蚀到固定层中接近底电极金属层时停止，仅保留少量固定层，而后采用反应离子刻蚀到底电极金属层，最后进行离子束清洗去除金属残留物和样品表面处理，并进行镀膜保护。通过采用离子束刻蚀和反应离子刻蚀相互结合进行刻蚀、清洗步骤，不仅能有效减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤，提高刻蚀的效率，而且降低了过刻蚀风险，提高了器件性能和良率。
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公开(公告)号：CN111146336A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811298691.2
申请日：2018-11-02
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室，在不中断真空的情况下，在反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室依照特定的步骤对晶圆进行加工、处理。本发明能够有效改善高密度小器件生产过程中受掩蔽效应的影响。另外，离子束刻蚀腔室和反应离子刻蚀腔室结合使用，大幅度降低了磁性隧道结膜层结构的金属沾污及损伤，极大的提高了器件的性能和可靠性，并且克服了现有的单一刻蚀方法存在的技术问题，提高了生产效率和刻蚀工艺精度。
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公开(公告)号：CN117778998A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211142890.0
申请日：2022-09-20
申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司
摘要： 本发明公开了一种低温高深宽沟槽的填充方法，包括：步骤一：将带有沟槽的衬底清洗后传送至ICPCVD腔室，进行预加热；步骤二：通入填充物的反应气体和液态源并稳定腔压，打开射频电源开始沉积膜层，结束后关闭射频电源及反应气体和液态源，并通入N2进行吹扫；步骤三：对步骤二沉积的薄膜进行RPS清洗，以同时对腔室进行清洗，并减少已沉积的薄膜对衬底上沟槽的槽口附近的封口程度，槽口减小的厚度小于步骤一中薄膜沉积的厚度；步骤四：取出样品，清理ICPCVD腔室；重复步骤一至四，直至图形化衬底上的微米级沟槽完成填充。由此可见，本发明通过反复多次的沉积‑清洗步骤解决了微米级深沟槽填充容易形成孔洞的问题，提升了产品良率。
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