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公开(公告)号：CN118231224A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410215823.X
申请日：2024-02-27
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762 , H01L23/00
摘要： 本申请提供一种复合衬底、复合薄膜的加工方法及复合衬底、复合薄膜，所述复合衬底的加工方法包括：准备衬底晶圆；对所述衬底晶圆的表面进行热氧化处理，得到带有二氧化硅层的衬底晶圆；当所述二氧化硅层的厚度大于或等于500nm时，对所述二氧化硅层的表面进行抛光处理；抛光去除的所述二氧化硅层厚度范围为所述二氧化硅层厚度的0.1％至10％；以解决目前加工复合薄膜时硅片会产生氧化诱生缺陷，导致硅片不仅增加了复合薄膜的漏损电流，还严重影响了半导体材料的电学性能的问题。
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公开(公告)号：CN114295613A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111596921.5
申请日：2021-12-24
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： G01N21/84
摘要： 本申请公开了一种晶圆方向判定系统及方法，所述系统包括：光源控制器、工控机和视觉检测装置；所述光源控制器用于将光源打开并照射在位于黑色非反光背景台面上的晶圆；所述工控机与所述视觉检测装置电连接，所述工控机用于控制相机对所述晶圆拍摄，并将拍摄的晶圆图片传输至所述视觉检测装置；所述视觉检测装置用于自动识别所述晶圆图片中所述晶圆大切边的中垂线位置，从中垂线位置开始顺时针旋转计算与所述晶圆小切边中垂线之间的夹角角度，得到角度值；根据所述角度值与预设角度值比较，若等于则判定所述晶圆为正面；若不等于，则判定所述晶圆为反面。本申请实现了对晶圆正反面方向的快速判定，节省了检测时间，提高晶圆的成品良率。
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公开(公告)号：CN114122250A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111412421.1
申请日：2021-11-25
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L41/253 , H01L41/312 , H01L41/337 , H01L41/187
摘要： 本申请公开一种黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，包括：通过离子注入法向第一晶圆注入离子，将第一晶圆与衬底基板键合，得到键合体；对键合体热处理，得到单晶压电复合薄膜；在单晶压电复合薄膜的薄膜层上铺设第二晶圆或还原纸，得到预制备体；将预制备体掩埋于黑化粉末中；在还原炉内，对掩埋于黑化粉末中的单晶压电复合薄膜黑化还原热处理；去除第二晶圆或还原纸，得到黑化单晶压电复合薄膜。本申请通过对经过热处理后的单晶压电复合薄膜，再进行黑化还原热处理，这样，可以保证最终制备得到的黑化单晶压电复合薄膜中黑化的薄膜层具有较低的热释电系数和电阻率。
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公开(公告)号：CN118707758A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410769848.4
申请日：2024-06-14
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种低直流漂移薄膜、制备方法以及电光调制器。低直流漂移薄膜从下至上依次包括衬底层、隔离层以及通过外加电场极化法制备有导电畴壁的铌酸锂薄膜层；所述铌酸锂薄膜层为x切向的铌酸锂薄膜，所述导电畴壁包括成对出现的头对头型畴壁和尾对尾型畴壁。通过外加电场极化法在x切铌酸锂薄膜中制备导电的畴壁结构，由于畴壁结构的引入，使得铌酸锂晶体的纵向电阻大幅降低，同时保持横向电阻无明显下降，在不影响电光调制器其他性能以及不引入其他繁琐工艺的前提下，抑制铌酸锂薄膜波导调制器中的直流漂移现象，提高器件性能稳定性。
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公开(公告)号：CN118112860A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311867575.9
申请日：2023-12-29
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种非线性光学晶体薄膜及其制备方法，非线性光学晶体薄膜具体包括：依次层叠设置的衬底层、隔离层和功能薄膜层；其中，功能薄膜层包括并列键合连接的铌酸锂薄膜和钽酸锂薄膜。本申请提供的技术方案将铌酸锂薄膜与钽酸锂薄膜并列键合，使得倍频过程与和频过程集成在同一芯片上，结合铌酸锂晶体的高非线性光学特征与钽酸锂晶体的短紫外吸收边的优势，提高光的非线性转化效率，减小倍频晶体与和频晶体级联的体积。利用非线性光学晶体薄膜的周期极化波导结构，能够补偿由于材料色散造成的光波间的相位失配，并将光束严格束缚在波导内部传播，进而提高转化效率。
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公开(公告)号：CN116682876A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310759478.1
申请日：2023-06-26
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/16
摘要： 本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括：依次层叠的衬底层、隔离层和有源层；其中，衬底层的材质为多晶材料，和/或非晶材料。首先，相较于现有技术的复合薄膜中硅材质的衬底层，本申请制备复合薄膜的过程中无需进行硅材质提纯、硅衬底多步清洗以及多晶硅生长工艺制作缺陷层等步骤，大大简化了复合薄膜的制备过程；其次，多晶材料或者非晶材料的衬底层中存在空位缺陷，其可以捕获载流子，从而能够避免复合薄膜中产生寄生导电效应，降低损耗；再者，多晶或者非晶材料的价格远低于硅材料的价格，约为其1/3；因此，具有多晶材料或非晶材料衬底层的复合薄膜，可以在保证性能的前提下，大大降低成本。
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公开(公告)号：CN114381808B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111610461.7
申请日：2021-12-27
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
摘要： 本申请公开微波加热制备复合薄膜的方法、复合薄膜及电子元器件，包括：对单晶晶圆执行离子注入处理，采用的注入离子为极性离子，获得包含余质层、极性注入层和薄膜层三层结构的单晶晶圆注入片；在与所述单晶晶圆预匹配的非同质衬底晶圆的其中一面制作绝缘层得到衬底晶圆；将所述单晶晶圆注入片与所述衬底晶圆的绝缘层键合，得到键合界面含有极性分子的键合体；对所述键合体使用微波发生器执行预设工艺参数的加热处理，直至所述极性注入层与所述薄膜层分离，得到剥离所述余质层后的单晶压电复合薄膜；所述预设工艺参数包括：加热所述键合体至预设温度，并保持预设时长。采用上述制备方法，避免复合薄膜某一层或整体断裂，降低复合薄膜的生产成本。
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公开(公告)号：CN115036201A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210971053.2
申请日：2022-08-15
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/30
摘要： 本申请公开了一种带电粒子束的偏移控制装置及方法，涉及离子注入技术领域，包括：粒子源、加速电压及偏转电压，其中：加速电压的正、负电压板上分别设置发射口，粒子源所射出的带电粒子束通过发射口穿过加速电压；偏转电压包括第一偏转单元和第二偏转单元，第一偏转单元和第二偏转单元场强方向均与加速电压的场强方向垂直，带电粒子束穿过加速电压后水平射入第一偏转单元和第二偏转单元，第一偏转单元和第二偏转单元的场强方向相反。本申请通过场强方向相反的偏转单元，抵消带电粒子束在偏转单元内所发生的偏转。离子束能够水平注入晶圆，于晶圆整个表面来说，所有射入晶圆内的离子束与晶圆表面的夹角均相同，提高晶圆内离子注入深度的均匀性。
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公开(公告)号：CN114975765A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210844224.5
申请日：2022-07-19
申请人： 济南晶正电子科技有限公司
IPC分类号： H01L41/37 , H01L41/335 , H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/18 , H01L21/683 , C30B33/04 , C30B29/06 , C30B29/30 , C30B29/36
摘要： 本申请公开了一种复合单晶压电薄膜及其制备方法，涉及离子注入技术领域，包括：控制离子注入设备将离子束扫描注入至单晶晶圆，得到单晶晶圆注入片，离子束的注入剂量由单晶晶圆的边缘位置到中心位置逐渐减少，或由单晶晶圆的一边到相对的另一边逐渐减少；将单晶晶圆注入片与衬底晶圆接触，得到键合体；对键合体执行热分离处理，以使单晶晶圆注入片在注入层由边缘位置到中心位置逐渐分离，或由单晶晶圆注入片的一边到相对的另一边逐渐分离，得到复合单晶压电薄膜。本申请中通过在单晶晶圆注入层所注入不均匀的离子剂量，在进行热分离时，使其由边缘位置到中心位置缓慢分离，或由一边到相对的另一边缓慢分离，以此减少分离过程中对晶片造成的缺陷。
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