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公开(公告)号：CN110635008B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910932154.7
申请日：2019-09-29
申请人： 电子科技大学 , 四川晶辉半导体有限公司 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。
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公开(公告)号：CN210110771U
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201921445555.1
申请日：2019-09-02
申请人： 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 广安职业技术学院 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要： 本实用新型公开了一种基于异质结薄膜光源的全集成光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本实用新型还公开了上述基于异质结薄膜光源的全集成光电耦合器的集成电路。本实用新型中基于异质结薄膜光源的全集成光电耦合器的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本实用新型的基于异质结薄膜光源的全集成光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗，适用于光电耦合器集成技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN110098131A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910310859.5
申请日：2019-04-18
申请人： 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L25/18 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种功率MOS型器件与集成电路晶圆级重构封装方法，包括依次进行的以下步骤：一、制作正面保护层；二、晶圆蓝膜切片；三、制作背面及侧面保护层；四、器件分割。本发明为功率MOS型器件以及集成电路芯片的正面、侧面及背面添加环氧树脂钝化立体保护层，避免了切片过程以及后期封装流程中对半导体芯片四周暴露部份的损伤，且该方法无需考虑封装步骤以前的工艺流程；确保无引线裸芯片封装工艺不会对产品电学参数、芯片良率及可靠性产生影响，有极强的市场需求适用性。本发明适用于阳极短路的IGBT器件以及管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装技术领域，同样适用于所有管脚位于同一平面内的集成电路封装技术领域。
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公开(公告)号：CN110061722A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910310814.8
申请日：2019-04-18
申请人： 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
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公开(公告)号：CN210325840U
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201921640968.5
申请日：2019-09-29
申请人： 广安职业技术学院 , 四川晶辉半导体有限公司 , 电子科技大学 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种全集成硅显示器中的反向发光器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本实用新型采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本实用新型适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN110061722B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910310814.8
申请日：2019-04-18
申请人： 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
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公开(公告)号：CN109052403B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811095356.2
申请日：2018-09-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C01B32/921 , C01B6/24 , C01B3/00
摘要： 本发明公开了一种二维碳化钛掺杂氢化铝锂储氢材料，由氢化铝锂和二维碳化钛Ti3C2混合机械球磨制得，二维碳化钛Ti3C2由Ti3AlC2和氢氟酸反应制得。其制备方法包括：步骤1，二维Ti3C2的制备和步骤2，二维碳化钛掺杂氢化铝锂储氢材料制备。本发明的储氢材料在二维Ti3C2催化作用下，初始脱氢温度为43‑68℃，比纯氢化铝锂降低了129‑154℃，其总放氢量达到4.6‑7.2 wt%，其初始脱氢温度比原氢化铝锂降低了148.2℃；在150℃时，15分钟能放出3.7 wt%氢气；在200℃时，15分钟能放出5.3 wt%氢气。因此，本发明的储氢材料具有优异的储放氢性能，制得的二维Ti3C2能显著改善氢化铝锂的放氢性能，使得其在较低温度下表现出优异的放氢性能。
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公开(公告)号：CN109052403A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811095356.2
申请日：2018-09-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C01B32/921 , C01B6/24 , C01B3/00
CPC分类号： C01B32/921 , C01B3/0084 , C01B6/243 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/20
摘要： 本发明公开了一种二维碳化钛掺杂氢化铝锂储氢材料，由氢化铝锂和二维碳化钛Ti3C2混合机械球磨制得，二维碳化钛Ti3C2由Ti3AlC2和氢氟酸反应制得。其制备方法包括：步骤1，二维Ti3C2的制备和步骤2，二维碳化钛掺杂氢化铝锂储氢材料制备。本发明的储氢材料在二维Ti3C2催化作用下，初始脱氢温度为43‑68℃，比纯氢化铝锂降低了129‑154℃，其总放氢量达到4.6‑7.2 wt%，其初始脱氢温度比原氢化铝锂降低了148.2℃；在150℃时，15分钟能放出3.7 wt%氢气；在200℃时，15分钟能放出5.3 wt%氢气。因此，本发明的储氢材料具有优异的储放氢性能，制得的二维Ti3C2能显著改善氢化铝锂的放氢性能，使得其在较低温度下表现出优异的放氢性能。
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公开(公告)号：CN108624296A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810756679.5
申请日：2018-07-11
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： C09K5/06
摘要： 本发明公开了一种氮化硼增强导热的复合固-固相变材料及其制备方法。本发明材料主要成分包括聚乙二醇，交联剂，羟基化碳纳米管和氮化硼，其制备方法包括：1）采用氢氧化钠溶液对氮化硼进行表面改性；2）采用交联剂对聚乙二醇进行末端功能化改性；3）加入羟基化碳纳米管和改性氮化硼自组装和接枝聚合聚乙二醇。本发明通过分子链末端功能化改性实现了羟基化碳纳米管和改性氮化硼自组装和接枝聚合聚乙二醇，形成具有互穿网络的三维结构复合相变材料，具有相变过程中保持固态、相变潜热较高和导热性能明显提高的优点。因此，本发明在相变储热和电子材料散热领域具有广阔的应用前景。
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