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公开(公告)号：CN110416250A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910823552.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 气派科技股份有限公司 , 广安职业技术学院 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110416250B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910823552.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要： 本发明公开了一种基于异质结薄膜光源的光耦，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本发明还公开了上述基于异质结薄膜光源的光耦的制作方法、基于异质结薄膜光源的光耦的放大集成电路以及该放大集成电路的制作方法。本发明中基于异质结薄膜光源的光耦的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本发明的基于异质结薄膜光源的光耦，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗。本发明适用于光电耦合器集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110517966A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910823778.5
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/78 , H01L23/485
摘要： 本发明公开了一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，包括依次进行的以下步骤：一、制作正面保护层；二、蓝膜切割和裂片；三、制作背面及侧面保护层；四、形成扇出结构。本发明为高密度集成电路芯片的正面、侧面及背面添加环氧树脂钝，在环氧树脂层上形成扇出结构，避免了切片过程以及后期封装流程中对半导体芯片四周暴露部份的损伤，且该方法无需考虑封装步骤以前的工艺流程。本发明适用于半导体器件封装技术领域。
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公开(公告)号：CN110635008B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910932154.7
申请日：2019-09-29
申请人： 电子科技大学 , 四川晶辉半导体有限公司 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。
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公开(公告)号：CN110473792B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910823826.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法，包括如下步骤：（1）原芯片重新布局布线工艺；（2）重新布局布线层表面做钝化处理；（3）芯片倒置后填涂第一塑封层；（4）芯片外接引脚淀积金属外延层；（5）执行第一次切割工艺；（6）填充第二塑封层；（7）进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面；（8）在金属外延层焊接表面生成金属焊球；（9）执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题，无须使用高成本模具，大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN110635008A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910932154.7
申请日：2019-09-29
申请人： 电子科技大学 , 四川晶辉半导体有限公司 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东气派科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。
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公开(公告)号：CN110473792A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910823826.0
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广东气派科技有限公司 , 广安职业技术学院 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川上特科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法，包括如下步骤：（1）原芯片重新布局布线工艺；（2）重新布局布线层表面做钝化处理；（3）芯片倒置后填涂第一塑封层；（4）芯片外接引脚淀积金属外延层；（5）执行第一次切割工艺；（6）填充第二塑封层；（7）进行化学机械抛光工艺至金属外延层露出焊接表面；（8）在金属外延层焊接表面生成金属焊球；（9）执行第二次切割工艺。本发明可以解决现有技术中需要使用高成本的模具导致成本高的技术问题，无须使用高成本模具，大大降低了生产成本。本发明属于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN110518087A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910823539.X
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L31/173 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上，相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊，其器件集成度高、封装尺寸减小，降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，进一步降低制作成本，提高电路的集成度，适用于光电耦合器的集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110518087B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910823539.X
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 广安职业技术学院 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L31/173 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种单芯片LED光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅光探测器、第一介质层和LED光源。本发明还公开了上述单芯片LED光电耦合器的制作方法。本发明进一步公开了一种单芯片LED光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的光源探测器和LED光源制作在同一个衬底上，相比传统的使用点胶工艺制作平面结构的光电耦合器或者制作轴向结构的光电耦合器时需要对光源与光探测器进行电焊，其器件集成度高、封装尺寸减小，降低了制作难度和成本。本发明的单芯片LED光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，进一步降低制作成本，提高电路(56)对比文件Sun，Hongliang，et.al.“A novelpolysilicon light source and its on-chipoptical interconnection structuredesign”《.SPIE》.2019,第1102342-1至1102342-6页.
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公开(公告)号：CN210110771U
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201921445555.1
申请日：2019-09-02
申请人： 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 广安职业技术学院 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/105 , H01L33/26 , H01L33/42 , H01L21/82
摘要： 本实用新型公开了一种基于异质结薄膜光源的全集成光电耦合器，包括使用集成电路工艺制作在第一衬底上的自下而上轴向排布的硅基TiO2薄膜光源、第一介质层和硅光探测器。本实用新型还公开了上述基于异质结薄膜光源的全集成光电耦合器的集成电路。本实用新型中基于异质结薄膜光源的全集成光电耦合器的硅光探测器和硅基TiO2薄膜光源制作在同一个衬底上，器件集成度高、封装尺寸减小、降低了制造难度和成本；本实用新型的基于异质结薄膜光源的全集成光电耦合器，能够与电路集成在同一个衬底上，同时光源与光探测器轴向堆叠，不仅缩短了光的传输距离，还能在提高集成度的同时减少光在传播过程中的损耗，适用于光电耦合器集成技术领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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