公开(公告)号：CN102651375A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210035631.8

申请日：2012-02-16

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L21/76898

Abstract: 本发明公开了固体摄像元件、固体摄像元件的制造方法和电子装置。所述固体摄像元件包括：基板，所述基板是由半导体形成的，并且所述基板包括面对着相反侧的第一表面和第二表面；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在形成于所述基板中的沟槽上，所述沟槽贯穿所述第一表面和所述第二表面；以及栅极电极，所述栅极电极埋入在所述沟槽中且所述栅极电极与所述沟槽之间隔着所述栅极绝缘膜，所述栅极电极露出于所述基板的所述第二表面侧，从所述基板的所述第二表面到所述栅极电极的所述第二表面侧的末端面形成有台阶差。所述电子装置包含有所述固体摄像元件。根据本发明，能够提供优良的像素特性。

公开(公告)号：CN112385042B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201980045788.9

申请日：2019-07-01

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  竹尾萌枝 ,  西田翔 ,  山元纯平 ,  福冈慎平 ,  重歳卓志

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10K39/32 ,  H01L21/3205 ,  H04N25/76 ,  H04N25/77 ,  H04N25/78 ,  H04N25/779 ,  H04N25/79

Abstract: 本公开的实施例的摄像元件包括：半导体基板，其具有彼此相对的一个表面和另一个表面，并具有在一个表面和另一个表面之间贯通的通孔；第一光电转换单元，其设置在半导体基板的一个表面上方；贯通电极，其与第一光电转换单元电连接，并在通孔内贯通半导体基板；第一电介质膜，其设置在半导体基板的一个表面上并具有第一膜厚；以及第二电介质膜，其设置在通孔的侧面上，并具有小于第一膜厚的第二膜厚。

公开(公告)号：CN118099175A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410066957.X

申请日：2017-03-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  古闲史彦 ,  山口哲司 ,  平田晋太郎 ,  渡部泰一郎 ,  安藤良洋

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H10K39/32 ,  H10K30/30 ,  H10K30/60 ,  H10K30/82

Abstract: 本发明涉及光检测设备。该光检测设备可包括光电转换单元，所述光电转换单元包括：第一电极；第二电极；光电转换层，所述光电转换层位于所述第一电极和所述第二电极之间；第三电极；绝缘材料，其中，所述光电转换层位于所述第二电极和所述第三电极之间，所述绝缘材料的第一部分位于所述光电转换层和所述第三电极之间，所述绝缘材料的第二部分位于所述第一电极和所述第三电极之间，所述第一电极电连接到所述光电转换层，并且所述第三电极与所述第一电极位于相同的层中。

公开(公告)号：CN113658965B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202110747459.8

申请日：2017-03-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  古闲史彦 ,  山口哲司 ,  平田晋太郎 ,  渡部泰一郎 ,  安藤良洋

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H10K39/32 ,  H10K39/38 ,  H10K30/87

Abstract: 本发明提供了光检测器件及其驱动方法以及电子装置。光检测器件包括：布置在基板中的第一光电转换区域；和布置在基板上方且位于基板的光入射侧的光电转换单元，光电转换单元包括：第一电极；层叠层结构，包括第一电极上方的多个层，其中，层叠层结构的第一层是氧化物半导体层，并且层叠层结构的第二层是光电转换层；位于层叠层结构上方的第二电极；第三电极，与第一电极被布置在相同的层；以及绝缘材料，位于第三电极与层叠层结构之间，其中，绝缘材料的一部分位于第一电极与第三电极之间，其中，层叠层结构的第二层布置在层叠层结构的第一层与第二电极之间，并且其中，在平面图中，第一光电转换区域的至少一部分与光电转换单元重叠。

公开(公告)号：CN108604592B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201680080729.1

申请日：2016-11-02

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  中西康辅

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/088 ,  H04N5/369

Abstract: 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在半导体基板的第一表面侧；贯通电极，其通过在半导体基板的厚度方向上贯通半导体基板而设置，并将在半导体元件中获得的电荷引入半导体基板的第二表面侧；以及放大晶体管，其基于由贯通电极如此引入的电荷而输出电信号，放大晶体管将贯通电极用作栅电极并包括贯通电极周围的源极区域和漏极区域。

公开(公告)号：CN106997887B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710092445.0

申请日：2012-07-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 城户英男 ,  榎本贵幸 ,  富樫秀晃

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法以及电子设备。其中，固体摄像器件包括：读出栅极，其隔着栅极绝缘膜嵌入在半导体基板中所形成的沟槽内；光电转换区，其在与所述栅极绝缘膜保持间隔的同时设置于所述半导体基板内部；浮动扩散部，其在与所述光电转换区保持间隔的同时而设置于所述半导体基板的表面层上；以及电势调整区，其布置为与所述光电转换区和所述栅极绝缘膜邻接，所述电势调整区与所述半导体基板和所述光电转换区为同一导电型，并且还是比该半导体基板和该光电转换区的所述导电型浓度低的杂质区。

公开(公告)号：CN107146850A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710116479.9

申请日：2017-03-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  古闲史彦 ,  山口哲司 ,  平田晋太郎 ,  渡部泰一郎 ,  安藤良洋

IPC: H01L51/44 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/307 ,  H01L51/4273 ,  H01L51/442 ,  H04N5/378 ,  Y02E10/549 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明提供了一种成像元件。所述成像元件可包括：基板，所述基板具有第一光电转换单元；以及第二光电转换单元，所述第二光电转换单元位于所述基板的光入射侧。所述第二光电转换单元可以包括：光电转换层；第一电极；位于所述光电转换层上方的第二电极；第三电极；以及位于所述第三电极与所述光电转换层之间的绝缘材料，其中，所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。

公开(公告)号：CN102446935B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110301401.7

申请日：2011-09-28

Applicant: 索尼公司

Inventor： 榎本贵幸 ,  富樫秀晃

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明公开了固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法和电子装置。该固体摄像器件包括：基板，其具有根据受光量产生信号电荷的光电转换单元；通孔，其形成得从所述基板的前表面侧贯穿所述基板的背面侧；垂直栅极电极，其形成在所述通孔中，所述垂直栅极电极与所述通孔之间形成有栅极绝缘膜，所述垂直栅极电极使读出部读出由所述光电转换单元产生的信号电荷；及电荷固定膜，其具有负的固定电荷，所述电荷固定膜被形成得在覆盖所述基板的背面侧的同时覆盖所述通孔的内周面的位于所述基板的背面侧的一部分。本发明能够抑制产生于所述基板界面处的暗电流，并减小了工艺的非均匀性，从而能够防止产生白点。

公开(公告)号：CN119092520A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411071073.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 索尼公司 ,  索尼半导体解决方案公司

Inventor： 富樫秀晃 ,  八木岩 ,  定荣正大 ,  古闲史彦 ,  村田贤一 ,  平田晋太郎 ,  齐藤阳介 ,  古川明

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32 ,  H10K39/38 ,  H10K71/00 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明提供了能够增强特性的固态成像元件、固态成像装置、电子设备以及固态成像元件的制造方法。本发明提供了一种固态成像元件(10)，包括：层叠结构，所述层叠结构具有：半导体基板(500)；第一光电转换部(PD 200)，所述第一光电转换部设置在所述半导体基板的上方，并将光转换为电荷；和第二光电转换部(PD 100)，所述第二光电转换部设置在所述第一光电转换部的上方，并将光转换为电荷。所述第一光电转换部和所述第二光电转换部具有光电转换层叠结构，在所述光电转换层叠结构中层叠有共通电极(102,202)、光电转换膜(104,204)和读出电极(108,208)，使得所述第一光电转换部和所述第二光电转换部以垂直于所述层叠结构的层叠方向的垂直面作为对称轴而彼此呈线对称关系。

公开(公告)号：CN110010549B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201910141497.1

申请日：2014-08-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 富樫秀晃

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H04N25/778 ,  H04N25/75 ,  H04N25/78

Abstract: 本发明提供了一种固态成像元件，所述固态成像元件包括：设置在半导体基板的第一面侧的至少一个光电转换元件；在所述半导体基板的第一面和第二面之间形成并且与所述至少一个光电转换元件连接的贯通电极；和设置在所述半导体基板的第二面上的放大晶体管和浮动扩散部。所述至少一个光电转换元件经由所述贯通电极与所述放大晶体管的栅极和所述浮动扩散部连接。