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公开(公告)号：CN101179179B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710186339.5
申请日：2007-11-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L25/0756 , H01L33/0095 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种能够精确检测解理位置的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。在与第一基板面对的第二基板的侧上形成的绝缘层上，第二发光器件具有分别与第一发光器件的各p侧电极相对布置且电连接到第一发光器件的p侧电极的带状对向电极、分别电连接到各对向电极的连接垫、电连接到p侧电极的连接垫、和布置有位于解理面S3或解理面S4的平面内的一个端部的标记。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101425659B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810135184.7
申请日：2008-08-13
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明公开了半导体激光器及其制造方法、光头、光盘装置、半导体装置及其制造方法及氮化物型III-V族化合物半导体层的生长方法，其中，通过在基板上生长包括含有至少包含In和Ga的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层来制造具有端面窗结构的半导体激光器。该半导体激光器的制造方法包括步骤：至少在形成端面窗结构的位置附近的基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在基板上没有被掩模覆盖的部分上生长包括活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层。通过本发明，可以非常容易地生长至少包含In和Ga并且具有带隙能量在至少一个方向上改变的部分的氮化物型III-V族化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN101895062A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010235391.7
申请日：2007-11-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2224 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件、具有该半导体发光器件的光学拾取单元及信息记录/再现装置。在半导体发光器件中，提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。第二发光器件具有形成在第二衬底上朝向第一衬底一侧上的条状半导体层，条状p侧电极向半导体层提供电流，条状相对电极分别在相对各自的第一发光器件的p侧电极布置且与第一发光器件的p侧电极电连接，连接衬垫分别与各自的相对电极电连接，且连接衬垫与p侧电极电连接。连接衬垫平行相对电极布置。
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公开(公告)号：CN100592588C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200510119275.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05644 , H01L2224/48091 , H01L2224/85444 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01S5/0224 , H01S5/02248 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器及其安装方法、安装的结构和光盘系统，所述半导体激光器特征在于，第二覆层的上部分和接触层提供有一对彼此平行且有预定间距的凹槽以在其间形成脊；在脊上形成所述第二导电型侧上的电极；绝缘层设置于脊的侧表面上、凹槽的内部上，以及凹槽的外侧的区域中的接触层上，且位于凹槽的外侧的区域中的接触层上的绝缘层的那些部分的厚度至少大于第二导电型侧上的电极的厚度；以及形成焊盘电极来覆盖第二导电型侧上的电极且延伸到凹槽的外侧的区域的上侧的绝缘层上，且位于凹槽的外侧的区域的上侧的焊盘电极的那些部分的上表面设置得高于位于脊的上侧的焊盘电极的部分的上表面。
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公开(公告)号：CN100376064C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1557042A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801074.7
申请日：2003-06-06
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01S5/02276 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/34333 , H01S5/4031
Abstract: 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III－V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III－V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。
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