场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法

    公开(公告)号:CN102375015A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110226985.6

    申请日:2011-08-09

    IPC分类号: G01N27/414

    CPC分类号: G01N27/4141

    摘要: 本发明涉及场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法。提出了一种场效应气体传感器(100,200,250,300,400,500,600,1020),其具有对于至少一种预先确定的气体可透过的多孔电极层(110,310,410,510,610)。此外,该场效应气体传感器包括至少一个与电极层邻接的介电体层(120、210、220、230、240、320、430、520、540、620、660),所述介电体层具有不同于SiO2的材料。最后,该场效应气体传感器包括由金属或半导体材料构成的后部电极(150,330,420,440,530,640),其中后部电极在与电极层对置的那侧上与所述介电体层邻接。

    场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法

    公开(公告)号:CN102375015B

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201110226985.6

    申请日:2011-08-09

    IPC分类号: G01N27/414

    CPC分类号: G01N27/4141

    摘要: 本发明涉及场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法。提出了一种场效应气体传感器(100,200,250,300,400,500,600,1020),其具有对于至少一种预先确定的气体可透过的多孔电极层(110,310,410,510,610)。此外,该场效应气体传感器包括至少一个与电极层邻接的介电体层(120、210、220、230、240、320、430、520、540、620、660),所述介电体层具有不同于SiO2的材料。最后,该场效应气体传感器包括由金属或半导体材料构成的后部电极(150,330,420,440,530,640),其中后部电极在与电极层对置的那侧上与所述介电体层邻接。

    用于探测气体混合物的成分的传感器

    公开(公告)号:CN104185788A

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201080049517.X

    申请日:2010-09-20

    发明人: P.内夫 A.马丁

    IPC分类号: G01N27/414 G01N33/00

    CPC分类号: G01N33/0013 G01N27/4141

    摘要: 用于探测气体混合物(3)中的第一成分(4)的传感器(2)具有气体敏感的电极(8)和催化剂(16),所述催化剂(16)与电极(8)相间隔地设置在多孔载体陶瓷(18)上和/或中。催化剂(16)引起,以化学的方式改变在气体混合物中的第二成分(6),使得该第二成分(6)基本上不对电极的电势的改变作出贡献。

    传感器装置
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103109173A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201180045518.1

    申请日:2011-07-29

    IPC分类号: G01N1/02 F01N13/00

    摘要: 本发明涉及一种传感器装置,尤其用于探测带内燃机的机动车的废气中的气体排放物,包括气体管路(12)和由壳体(16)限定边界的以及与气体管路(12)的内部通过入口(18)和出口(20)流体连通的分析室(14),其中分析室(14)至少部分布置在气体管路(12)之外,并且其中在分析室(14)中这样布置传感器(28),使该传感器处在气体管路(12)之外。按照本发明设置了至少一个冷却元件(32),该冷却元件布置在气体管路(12)和传感器(28)之间的区域中。传感器(28)由此可以在处在废气温度之下的温度下运行。