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公开(公告)号：CN103792787A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310532695.3
申请日：2013-10-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·P·普罗科普维茨 , G·珀勒斯 , 刘骢 , C·吴 , C-B·徐
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/40
Abstract: 提供了新的光刻胶组合物，其包含一种组分，该组分包含热致酸生成剂和遏制剂。本发明优选的光刻胶可以包含：具有对光致酸不稳定的基团的树脂；光致酸生成剂化合物；以及至少一种热致酸生成剂和至少一种遏制剂，所述遏制剂用来改进线宽粗糙度和光刻速度。
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公开(公告)号：CN102998904A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210478565.1
申请日：2012-09-10
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/20
Abstract: 包含多酰胺组分的光致抗蚀剂。提供了一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括：(a)一种或多种树脂；(b)一种或多种光致产酸剂化合物；和(c)一种或多种下式所示的多酰胺化合物：其中R1、R2、R3和R4独立选自H、(C1-C30)烷基、和酰胺取代(C1-C30)烷基；R1和R2，或R1和R3或R3和R4可与连接其上的原子一起形成5到12元杂环；和L是在羰基之间提供3到8个原子间隔的连接基团；其中多酰胺化合物没有羟基。
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公开(公告)号：CN102225924A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201010625286.4
申请日：2010-12-10
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C07D333/46 , C07D493/18 , C07C309/12 , C07C303/32 , C07C381/12 , C07J31/00 , G03F7/004 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C303/32 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C321/30 , C07C381/12 , C07C2603/74 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D337/04 , C07D493/20 , C07J31/006 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397
Abstract: 光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂。本发明提供光酸发生剂化合物(“PAGs”)新的合成方法，新的光酸发生剂化合物以及包含这种PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。一个特别的方面，提供含锍(S+)光酸发生剂以及锍类光酸发生剂的合成方法。提供了一种含锍化合物的制备方法，所述制备方法包括环合烷基硫代化合物。
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公开(公告)号：CN103913946B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201310757477.X
申请日：2013-12-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。该方法特别适用于半导体装置的制造中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103823331B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310526492.3
申请日：2013-10-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 提供了一种新颖的光刻胶组合物，该组合物包含一种组分，所述组分包含对辐射不敏感的离子性化合物。本发明优选的光刻胶可以包含：具有对光致酸不稳定的基团的树脂；光致酸生成剂化合物；以及对辐射不敏感的离子性化合物，该化合物可以用来减少光致生成的酸扩散到光刻胶涂层的未曝光区域以外的不利现象。
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公开(公告)号：CN103936641B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310757482.0
申请日：2013-12-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C07C381/12 , C07C309/12 , C07C303/32 , C08G83/00 , G03F7/004 , G03F7/00
Abstract: 树枝状化合物，光刻胶组合物和制备电子设备的方法。提供一种树枝状化合物，所述树枝状化合物包括：含有包括阴离子基团和连接基团的焦点的树枝状阴离子；以及光活性阳离子。
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公开(公告)号：CN106125506A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610596762.1
申请日：2011-03-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , C08F220/38 , C08F220/18 , C08F220/32 , C08F220/28
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 新聚合物和光致抗蚀剂组合物。提供了一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括：树脂，所述树脂具有(ⅰ)一个或多个共价连接于树脂上的光酸产生剂基团，和(ⅱ)一个或多个光酸不稳定基团，其中一个或多个光酸产生剂部分为一个或多个光酸不稳定基团的成分。本发明优选的聚合物适用于在短波长，如200nm以下，特别是193nm成像的光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN103186038B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210599257.4
申请日：2012-12-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： C-B·徐
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/31138
Abstract: 修整光刻胶图案的方法。方法包括：在光刻胶图案上涂覆光刻胶修整复合物，其中修整复合物包含基质聚合物、具有氟取代基的自由酸和溶剂，修整复合物没有交联剂。加热被涂覆的半导体衬底以导致在光刻胶图案的表面区域中的抗蚀剂基质聚合物的极性的改变；采用显影溶液接触光刻胶图案以去除光刻胶图案的表面区域。方法在半导体器件的制造中形成非常精细的光刻特征中有特别的应用。
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公开(公告)号：CN104570601A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410577026.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , C07D317/24 , C07C303/32 , C07C309/12 , C07C309/17
Abstract: 一种具有通式(1)的光致酸生成剂化合物：其中a,b,c,d,e,x,L1,L2,L3,L4,R1,R2,X和Z-如文中所定义。所述光致酸生成剂化合物在通常用于配制光刻胶组合物的溶剂和负性色调显影剂中具有良好的溶解性。本发明还描述了一种包括光致酸生成剂化合物的光刻胶组合物，包括所述光刻胶组合物的经涂覆的基材，以及使用该光刻胶组合物形成器件的方法。
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