公开(公告)号：CN115602754A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211090939.2

申请日：2022-09-07

申请人： 英利能源发展有限公司(CN)

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郞芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明提供了一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括以下步骤；N型硅片双面制绒、背光面抛光；背光面制备第一隧穿氧化层及掺磷多晶硅层，掺磷多晶硅层外表面制备一层磷硅层；在背光面设置多个预设区域，并去除预设区域上的磷硅玻璃层、掺磷多晶硅层及第一隧穿氧化层，在预设区域上制备贯穿硅片的通孔；在背光面及通孔内壁制备第二隧穿氧化层及本征多晶硅层；对硅片实行硼扩散工艺处理；对硅片化学清洗；在硅片双面沉积钝化减反层；在背光面和通孔内丝网印刷金属栅线；烘干、烧结。本发明提供的一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，简化了生产工艺步骤，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN118248786A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410385373.9

申请日：2024-04-01

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  王平 ,  郎芳 ,  翟金叶 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  史金超 ,  于波 ,  麻超 ,  刘莹 ,  邵海涛 ,  张伟 ,  赵亮 ,  李晨曦 ,  李永康 ,  闫美楠 ,  邢博

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明提供了一种低金属接触复合隧穿钝化接触太阳能电池制备方法及隧穿钝化接触太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括在N型硅片背面交替制备多层隧穿氧化硅层和多层磷掺杂多晶硅层，构成多叠层结构层；利用激光对磷掺杂多晶硅层上的指定区域进行热处理，去除指定区域内最外层的隧穿氧化硅层，同时保持预制备金属栅线接触区域完整的多叠层结构层。本发明制备的隧穿钝化接触太阳能电池能够适配更薄的磷掺杂多晶硅层厚度，而不会导致背面金属接触复合的上升，能够大幅度降低背面多晶硅层厚度，适用于厚度＜80nm的磷掺杂多晶硅层上的低金属接触复合，提升设备产能，减少背面多晶硅层光寄生吸收，提升电池效率。

公开(公告)号：CN116093205A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310130113.2

申请日：2023-02-17

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 马红娜 ,  史金超 ,  张文辉 ,  王平 ,  孟庆超 ,  王子谦 ,  赵学玲 ,  翟金叶 ,  郎芳 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  赵亮

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种隧穿氧化钝化层的制备方法、TOPCOn电池及制备方法。所述方法包括如下步骤：S1、提供硅衬底，将所述硅衬底置于工艺腔室内；S2、向所述工艺腔室内通入第一氧化气体，通过PECVD在硅衬底表面制得隧穿氧化层；S3、向所述工艺腔室内通入硅烷，在所述隧穿氧化层上沉积非晶硅层，制得隧穿氧化钝化层；S4、向所述工艺腔室内依次通入第二氧化气体和含氟气体，降温，完成隧穿氧化钝化层的制备。本发明创造性地将石墨舟清洗步骤与镀膜工艺结合，通过严格控制气体流量，有效避免陶瓷管沉积多晶硅后石墨片正负极提前导通的情况发生，提高了石墨舟的使用稳定性，同时大大缩短了工艺流程时间。

公开(公告)号：CN115621139A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211413561.5

申请日：2022-11-11

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 翟金叶 ,  王红芳 ,  潘明翠 ,  郎芳 ,  赵学玲 ,  王平 ,  王子谦 ,  张文辉 ,  徐卓 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，属于光伏技术领域，包括以下步骤：S1、在硅片背面边缘位置喷涂粘附剂硅凝胶，并将任意两个硅片背相粘附；S2、对粘附后的硅片放入待处理工艺装置中进行工艺处理；S3、通过氟离子酸性溶液去除工艺处理后的硅片上的粘附剂硅凝胶。本发明提供的晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，可防止绕扩(绕镀)产生，减少了因为去除绕扩(绕镀)的工艺步骤，减少了设备、材料和人工等，节约了成本；同时也减少了因为绕扩绕镀带来的硅片寿命降低、表面色差、漏电等问题，制备的电池效率文档，提高了成品率。

公开(公告)号：CN115377252B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司(CN) ,  英利能源发展有限公司(CN) ,  英利能源(中国)有限公司(CN)

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。

公开(公告)号：CN115274928A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210923601.4

申请日：2022-08-02

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司

发明人： 翟金叶 ,  王子谦 ,  王红芳 ,  郎芳 ,  潘明翠 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  王平 ,  徐卓 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明提供了一种MWT太阳能电池的制备方法，属于光伏电池的制备技术领域，包括在n型基底正面的制绒面上进行磷掺杂形成一层n+掺杂层；在n型基底背面进行硼掺杂形成一层p+掺杂层；利用激光在完成掺杂后的硅片上设置贯穿孔；利用激光在贯穿孔周围刻划形成一个去除p+掺杂层的闭合环形槽；采用化学清洗去除制备过程中的损伤层并进行钝化处理；将完成减反钝化层制备后的硅片上进行贯穿孔的金属化、背面金属化电极和正面金属化电极制备。本发明制备的电池能够解决常规n型MWT电池正面栅线导引至背面过程中pn结导通漏电，并随着时间延长和测试次数增加，漏电逐渐增大，最终电池衰减速度快，使用寿命短的问题。

公开(公告)号：CN115020507A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210680656.7

申请日：2022-06-15

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 徐卓 ,  王红芳 ,  王平 ,  张文辉 ,  李锋 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种选择性钝化接触电池及其制备方法。所述电池包括N型硅片，所述N型硅片的正表面上设有硼发射极，在所述硼发射极上设有金属栅线区和非栅线区，在所述正表面的栅线区域内由下往上依次为氧化硅/硼掺杂多晶硅叠层和正电极；在所述正表面的非栅线区域内由下往上依次为氧化铝层和第二氮化硅层；在所述N型硅片的背表面上设有氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层，在所述氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层上设有金属栅线区和非栅线区，在所述背表面的栅线区域内为背电极，非栅线区域内为第一氮化硅层。本发明提供的选择性钝化接触电池，其正表面仅栅线区域下存在钝化接触结构，背表面整面预设钝化接触结构，显著降低吸光效应。

公开(公告)号：CN114823991A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210737855.7

申请日：2022-06-28

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郎芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  吝占胜 ,  张雷 ,  吴萌萌 ,  王钰蕾 ,  张任远 ,  张莉沫 ,  李英叶 ,  张丽娜 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明提供了一种背接触电池的制备方法及背接触电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和硼硅玻璃层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼硅玻璃层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种背接触电池的制备方法及背接触电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。

公开(公告)号：CN117096201A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311068765.4

申请日：2023-08-24

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 翟金叶 ,  王红芳 ,  郎芳 ,  潘明翠 ,  王子谦 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  王平 ,  徐泽林 ,  史金超 ,  于波 ,  程立威

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开一种正面选择性钝化接触TOPCon电池及其制备方法，其中电池包括N型硅基底，沿所述N型硅基底正面方向依次设置正面选择性发射极、正面P型选择性钝化接触结构、正面钝化减反层；沿所述N型硅基底背面方向依次设置背面N型钝化接触结构、背面钝化减反层；还包括与所述正面P型选择性钝化接触结构中的P++多晶硅层形成欧姆接触的正面金属电极，以及与所述背面N型钝化接触结构中的N+多晶硅层成欧姆接触的背面金属电极。本发明电池利用TOPCon结构特点，应用于栅线底部降低复合提升效率，同时利用氧化硅阻挡硼扩散的特点，降低非栅线位置的硼掺杂浓度，形成低浓度浅结的受光面结构，大大提升了电池短路电流。提升了电池转换效率，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN115377252A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源发展有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。