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公开(公告)号：CN111868632A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980018840.1
申请日：2019-02-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： T·J·胡伊斯曼 , S·F·伍伊斯特 , H·A·迪伦 , D·M·C·奥尔斯霍特
Abstract: 描述了一种检查半导体样本的方法，样本包括具有多个开口的结构，这些开口位于结构的顶层，方法包括以下步骤：‑使用SEM生成结构的图像；‑通过以下方式检查多个开口中的一个开口：‑基于图像确定开口的尺寸；并且‑基于图像的对比度来确定开口的打开状态；‑基于开口的所确定的尺寸和所确定的打开状态两者来确定开口的质量。
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公开(公告)号：CN115066657B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202180013688.5
申请日：2021-01-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于控制在衬底上制造半导体器件的过程的方法和关联设备。所述方法包括：获得与所述过程相关的过程数据，以及基于所述过程数据和与所述衬底上的所述器件相关联的第一控制目标来确定所述过程的校正。所述第一控制目标可实现的第一概率被确定，并且所述校正基于所述概率和至少第二控制目标来调整，所述第二控制目标与所述第一控制目标相比具有可实现的第二概率。
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公开(公告)号：CN114514476B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202080070675.7
申请日：2020-09-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , H·A·迪伦 , 科恩·蒂斯 , 洛朗·米歇尔·马塞尔·德普雷 , C·普伦蒂斯
Abstract: 本文中披露一种确定用于具有可配置的视场FOV的检查工具的视场设定的方法，该方法包括：获得衬底的至少一部分上的特征的工艺裕度分布；获得阈值；依赖于所获得的工艺裕度分布和阈值来识别衬底的至少一部分上的一个或更多个区；以及依赖于识别的所述一个或更多个区来确定视场设定。
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公开(公告)号：CN117882011A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058444.3
申请日：2022-08-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： V·巴斯塔尼 , 张祎晨 , M·德阿赛德科斯塔易席尔瓦 , H·A·迪伦 , R·J·范维克
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种计算机实现方法，该计算机实现方法确定与一个或更多个特征在光刻过程中在衬底上的放置相关的放置度量。该方法包括：获得设置数据，该设置数据包括放置误差贡献项数据和良率数据，该放置误差贡献项数据与多个放置误差贡献项参数相关，该良率数据表示良率；以及限定用于预测良率度量的统计模型，该统计模型基于放置度量，该放置度量是所述放置误差贡献项参数和相关联的模型系数的函数。基于所述设置数据拟合模型系数；以及根据经拟合的所述模型系数确定放置度量。
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公开(公告)号：CN116635991A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180086366.3
申请日：2021-12-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·A·范拉霍文 , A·维尔马 , R·阿努恩西亚多 , H·A·迪伦 , S·C·T·范德山登
IPC: H01L21/66
Abstract: 披露了一种监测半导体制造过程的方法。所述方法包括获得能够进行操作以从高分辨率量测数据导出局部性能参数数据的至少一个第一经训练的模型，其中，所述局部性能参数数据描述一性能指标的局部分量或对所述局部分量的一个或更多个局部促成因素以及与已经受所述半导体制造过程的至少一部分的至少一个衬底相关的高分辨率量测数据。使用所述第一经训练的模型，根据所述高分辨率量测数据来确定局部性能参数数据。所述第一经训练的模型能够进行操作以基于仅包括在任何这种蚀刻步骤之前所执行的量测数据的所述高分辨率量测数据来确定所述局部性能参数数据，就如同所述局部性能参数数据已在至少紧接地先前暴露的层上经受蚀刻步骤那样。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114514476A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080070675.7
申请日：2020-09-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·T·特尔 , H·A·迪伦 , 科恩·蒂斯 , 洛朗·米歇尔·马塞尔·德普雷 , C·普伦蒂斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中披露一种确定用于具有可配置的视场FOV的检查工具的视场设定的方法，该方法包括：获得衬底的至少一部分上的特征的工艺裕度分布；获得阈值；依赖于所获得的工艺裕度分布和阈值来识别衬底的至少一部分上的一个或更多个区；以及依赖于识别的所述一个或更多个区来确定视场设定。
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公开(公告)号：CN113508338A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080015560.8
申请日：2020-02-06
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 该文档中提供了一种确定用于在衬底上制造特征的一个或多个工艺的特性的方法，该方法包括：获取衬底上的至少一个区域的至少部分上的多个特征的图像数据；使用图像数据以获取多个特征中的至少一些特征中的每个特征的一个或多个尺寸的测量数据；确定取决于多个特征中的至少一些特征中的每个特征的一个或多个尺寸的测量数据的变化的统计参数；根据图像数据中的缺陷特征的确定数目，确定特征的缺陷制造的概率；并且确定具有特征的缺陷制造的概率和统计参数的一个或多个工艺的特性。
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公开(公告)号：CN113228222A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980087240.0
申请日：2019-12-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 提供了一种用于校准诸如扫描电子显微镜(SEM)的扫描带电粒子显微镜的方法。该方法包括：将晶片划分为多个区域；在多个区域中的每个区域上制备包括与第二周期性结构交错的第一周期性结构的图案，第一周期性结构和第二周期性结构具有诱导偏移；确定第一周期性结构和第二周期性结构的实际节距，并且从而确定多个区域中的每个区域上的实际诱导偏移；从多个区域中选择多个区域；通过SEM测量多个区域中的每个区域上的第一周期性结构和第二周期性结构的节距；以及基于确定和测量来对SEM执行线性校准。
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公开(公告)号：CN112969971B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201980073797.9
申请日：2019-09-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文中公开了一种用于确定衬底上的特征的图像指标的方法，该方法包括：获取衬底上的多个特征的第一图像；获取衬底上的多个对应特征的一个或多个另外的图像，其中一个或多个另外的图像中的至少一个另外的图像与第一图像属于衬底的不同层；通过对第一图像和一个或多个另外的图像执行对准过程来生成第一图像和一个或多个另外的图像的对准版本；以及根据第一图像的对准版本中的特征与一个或多个另外的图像的对准版本中的对应特征的比较来计算图像指标。
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公开(公告)号：CN118235227A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075359.8
申请日：2022-10-14
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/22
Abstract: 本文公开了一种在其中存储有计算机程序的非暂态计算机可读介质，其中该计算机程序包括当由计算机系统执行时指示计算机系统执行确定SEM图像的充电诱导的失真的方法的代码。该方法包括：在样品的至少一部分的SEM图像中的多个位置中的每个位置处确定由样品在该位置处的充电诱导的照射带电粒子束的偏转；以及根据在SEM图像中的多个位置中的每个位置处所确定的偏转来确定SEM图像的充电诱导的失真。
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