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公开(公告)号：CN101611351B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200780046056.9
申请日：2007-11-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·C·瓦森克 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊娃诺夫 , K·N·科什烈夫 , T·P·M·卡迪 , V·M·克里夫塔森 , D·J·W·克伦德尔 , M·M·J·W·范赫彭 , P·P·A·A·布洛姆 , W·A·索尔 , D·克拉什科夫
CPC classification number: G03F7/70933 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/005
Abstract: 本发明公开了一种辐射系统，用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提供放电。辐射系统还包括用于捕获来自电极的碎片的碎片捕获遮蔽件。碎片捕获遮蔽件构造并配置成将电极和以相对于光学轴线的预定球面角提供的光的路线遮挡分开，并且在该光的路线中电极之间的中心区域提供孔。
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公开(公告)号：CN101689030B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200880024373.5
申请日：2008-07-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔 , K·杰里森
CPC classification number: G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70883 , G03F7/70983
Abstract: 一种碎片防止系统，其构造并布置成防止从辐射源(2)发射的碎片与来自辐射源(2)的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播。碎片防止系统包括：孔(3)，其限定来自所述辐射源(2)的所述辐射的最大发射角(α)；和第一碎片阻挡件(4、4’)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、41)包括可旋转翼片阱。碎片防止系统还包括第二碎片阻挡件(5)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、4’)配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件(5)配置成覆盖所述发射角(θ)的另一部分。
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公开(公告)号：CN101755239A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880025020.7
申请日：2008-07-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , M·M·J·W·范赫彭
CPC classification number: G03F7/70925 , B08B1/00 , B82Y10/00 , G03F7/70166 , G03F7/70916
Abstract: 一种碎片防止系统被构造和布置以防止从辐射源(7)发射出的碎片与来自辐射源的辐射一起传播进入到光刻设备中或在光刻设备内传播。碎片防止系统包括围绕旋转轴线(3)可旋转的第一翼片阱(2)和至少部分地包围第一翼片阱的第二翼片阱(4)。第二翼片阱包括分别相对于用于放置辐射源的中心位置光学开放的和分别相对于垂直于旋转轴线的方向光学封闭的多个翼片(6)。
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公开(公告)号：CN102132214B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200980133185.0
申请日：2009-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
CPC classification number: G03F7/70958 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70191 , G03F7/70308 , G03F7/70575 , G21K1/062
Abstract: 一种光谱纯度滤光片(30)配置成反射极紫外辐射。所述光谱纯度滤光片(30)包括：基底(31)；和抗反射涂层(32)，所述抗反射涂层在所述基底(31)的顶表面上。所述抗反射涂层(32)配置成透射红外辐射。滤光片还包括多层堆叠体(33)，所述多层堆叠体(33)配置成反射极紫外辐射和基本上透射红外辐射。
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公开(公告)号：CN102177470A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980140120.9
申请日：2009-09-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70825 , G03F7/70175 , G21K2201/06
Abstract: 本发明公开了一种收集器组件(300)，其包括用于将来自辐射发射点(31)(诸如极紫外辐射发射点)的辐射反射至中间焦点(18)的第一收集器反射镜(33)，来自所述中间焦点的辐射用在用于器件制造的光刻设备中。在辐射发射点(31)前面的第二收集器反射镜(35)收集另外的辐射，将它反射回至第三反射镜(36)和从第三反射镜到达中间焦点(18)。反射镜(33、35、36)可以允许辐射被高效率地且没有增加展度地收集。收集器组件(300)可以减小或移除所收集的辐射的不均匀性，例如由通过激光束阻挡件(34)收集的辐射的遮蔽所引起，所述激光束阻挡件用于防止激光激励辐射进入到光刻设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102132214A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133185.0
申请日：2009-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
CPC classification number: G03F7/70958 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F7/70191 , G03F7/70308 , G03F7/70575 , G21K1/062
Abstract: 一种光谱纯度滤光片(30)配置成反射极紫外辐射。所述光谱纯度滤光片(30)包括：基底(31)；和抗反射涂层(32)，所述抗反射涂层在所述基底(31)的顶表面上。所述抗反射涂层(32)配置成透射红外辐射。滤光片还包括多层堆叠体(33)，所述多层堆叠体(33)配置成反射极紫外辐射和基本上透射红外辐射。
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公开(公告)号：CN102132213A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132826.0
申请日：2009-07-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·A·索尔 , M·M·J·W·范赫彭 , M·J·J·杰克
CPC classification number: G03F7/70941 , G02B5/208 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G21K1/10
Abstract: 一种光谱纯度滤光片包括孔阑。光谱纯度滤光片被配置成通过配置成吸收第一波长的辐射和允许第二波长的辐射的至少一部分透射通过所述孔阑，来提高辐射束的光谱纯度。所述第一波长大于所述第二波长。光谱纯度滤光片可以用于改善极紫外(EUV)辐射束的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN101960926A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106786.2
申请日：2009-02-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
IPC: H05G2/00
Abstract: 一种装置被构造和被布置成使用通过气体介质的放电来产生辐射。所述装置包括第一电极和第二电极(12a、12b)；和液体供给装置，其被布置成提供液体至所述装置中的位置上。所述装置被布置成电供给有电压，且将电压至少部分地供给至第一电极和第二电极，用于允许在由电压产生的电场中产生放电。放电产生辐射等离子体。所述装置还包括防护装置，其布置在放电位置(13)和连接至第一电极和/或第二电极的导电部件(11a)之间。
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公开(公告)号：CN101911839A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124729.2
申请日：2008-12-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： V·Y·班尼恩 , M·M·J·W·范赫彭 , W·A·索尔
IPC: H05G2/00
Abstract: 一种辐射源，配置用以产生辐射。辐射源包括第一电极(11；61)和第二电极(12；62)，配置成用以在使用期间产生放电，以由等离子体燃料产生用于发射辐射的等离子体。辐射源还包括：燃料供给装置，配置成将等离子体燃料供给到与所述第一电极(11；61)和第二电极(12；62)相关的燃料释放区域；和燃料释放装置，配置成引发从所述燃料释放区域的(由所述燃料供给装置供给的)燃料的释放。所述燃料释放区域与所述第一电极(11；61)和所述第二电极(12；62)间隔分开。
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公开(公告)号：CN101595430A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200780044727.8
申请日：2007-11-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70916 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , H05G2/003 , H05G2/005
Abstract: 本发明公开了一种具有自屏蔽电极(31、32)的辐射源(50)。降低来自所述电极(31、32)的碎片。从所述电极(31、32)至EUV光学元件(10)的路径被电极本身的一部分阻挡(被称为自屏蔽)。这可以显著地降低电极产生碎片的量。在一个实施例中，一个或两个污染阻挡件(12)可被用于防止碎片到达不在两个电极(31、32)的阴影中的光学元件(10)的部分(60、61)。
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