公开(公告)号：CN100549202C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200580037265.8

申请日：2005-08-29

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： B·勒蒙 ,  J·希尔特 ,  T·威维林 ,  J·G·戴利三世 ,  D·米恩德林 ,  G·罗扎克 ,  J·奥格拉迪 ,  P·R·杰普森 ,  P·库马 ,  S·A·米勒 ,  吴荣祯 ,  D·G·施沃茨

IPC: C22C27/04 ,  B22F3/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/16 ,  B22F3/162 ,  B22F3/24 ,  B22F5/006 ,  B22F2003/248 ,  B22F2301/20 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C21D8/0221 ,  C21D8/0247 ,  C22C1/045 ,  C22C27/04 ,  C22F1/18 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3478 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46 ,  B22F3/172 ,  B22F3/20 ,  B22F3/04 ,  B22F3/10

Abstract: 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。

公开(公告)号：CN101522342A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036469.9

申请日：2007-10-03

Applicant: H.C.施塔克公司

Inventor： L·N·谢克特 ,  S·A·米勒 ,  L·F·哈维瑟 ,  R·-C·R·吴

IPC: B22F1/00

CPC classification number: B22F1/0088 ,  B05D1/12 ,  B05D2401/32 ,  B22F1/0085 ,  B22F2999/00 ,  C23C24/04 ,  B22F2201/10 ,  B22F2202/13 ,  B22F9/20

Abstract: 本发明涉及用于制备纯度至少高达起始粉末的纯度、氧含量等于或小于10ppm的金属粉末的方法，所述方法包括在惰性气氛中、在1－10－7巴的压力下加热以氧化物形式总共含有50－3000ppm氧的所述金属粉末至其中的氧化物变得热力学不稳定的温度，通过挥发除去产生的氧。所述金属粉末优选自钽、铌、钼、铪、锆、钛、钒、铼和钨。本发明还涉及通过所述方法生产的粉末以及这些粉末在冷喷涂工艺中的应用。

公开(公告)号：CN101368262A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810213705.6

申请日：2006-04-28

Applicant: H.C.施塔克有限公司 ,  H.C.施塔克公司

Inventor： S·齐默尔曼 ,  U·帕普 ,  H·凯勒 ,  S·A·米勒

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J35/108 ,  B22F7/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C24/04 ,  H01J35/08 ,  H01J2235/081 ,  H01J2235/083 ,  H01J2235/085 ,  Y10T29/4902

Abstract: 本发明公开了一种向表面施加涂层的方法，其中，气流与选自铌、钽、钨、钼、钛、锆、它们中的至少两种的混合物、或者它们中的至少两种的合金或它们与其它金属的合金的粉末材料形成气体－粉末混合物，所述粉末的粒度为0.5－150μm，其中，将超音速赋予所述气流，并将该超音速的喷射口导向物体的表面。