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公开(公告)号：CN102648064B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201080055626.2
申请日：2010-12-07
申请人： 贝克休斯公司
CPC分类号： B22F1/025 , B22F1/02 , B22F3/04 , B22F3/172 , B22F2999/00 , C22C1/04 , C22C32/00 , C23C16/00 , B22F2202/15
摘要： 公开了一种制备粉末金属压块的方法。该方法包括形成包含多个涂覆的金属性粉末颗粒的涂覆的金属性粉末，所述涂覆的金属性粉末颗粒具有颗粒芯部以及布置于其上的纳米级金属性涂覆层，其中金属性涂覆层具有一种化学组成，且颗粒芯部的化学组成不同于金属性涂覆材料的化学组成。该方法还包括对涂覆的粉末颗粒施加预定温度和预定压力，所述预定温度和预定压力足以通过如下方式形成粉末金属压块：固相烧结多个涂覆的粉末颗粒的纳米级金属性涂覆层以形成纳米基质材料的基本上连续的网状纳米基质、分散在网状纳米基质中的多个分散的颗粒以及遍及网状纳米基质扩展的固态结合层。
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公开(公告)号：CN100549202C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200580037265.8
申请日：2005-08-29
申请人： H.C.施塔克公司
发明人： B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
摘要： 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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公开(公告)号：CN102648064A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080055626.2
申请日：2010-12-07
申请人： 贝克休斯公司
CPC分类号： B22F1/025 , B22F1/02 , B22F3/04 , B22F3/172 , B22F2999/00 , C22C1/04 , C22C32/00 , C23C16/00 , B22F2202/15
摘要： 本发明公开了一种制备粉末金属压块的方法。该方法包括形成包含多个涂覆的金属粉末颗粒的涂覆的金属粉末，所述涂覆的金属粉末颗粒具有颗粒芯部以及布置于其上的纳米级金属涂覆层，其中金属涂覆层具有一种化学组成，且颗粒芯部的化学组成不同于金属涂覆材料的化学组成。该方法还包括对涂覆的粉末颗粒施加预定温度和预定压力，所述预定温度和预定压力足以通过如下方式形成粉末金属压块：固相烧结多个涂覆的粉末颗粒的纳米级金属涂覆层以形成纳米基质材料的基本上连续的网状纳米基质、分散在网状纳米基质中的多个分散的颗粒以及遍及网状纳米基质扩展的固态结合层。
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公开(公告)号：CN101057000A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580037265.8
申请日：2005-08-29
申请人： H.C.施塔克公司
发明人： B·勒蒙 , J·希尔特 , T·威维林 , J·G·戴利三世 , D·米恩德林 , G·罗扎克 , J·奥格拉迪 , P·R·杰普森 , P·库马 , S·A·米勒 , 吴荣祯 , D·G·施沃茨
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/16 , B22F3/162 , B22F3/24 , B22F5/006 , B22F2003/248 , B22F2301/20 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C21D8/0221 , C21D8/0247 , C22C1/045 , C22C27/04 , C22F1/18 , C23C14/14 , C23C14/3478 , C23C14/3485 , C23C14/35 , C23C14/46 , B22F3/172 , B22F3/20 , B22F3/04 , B22F3/10
摘要： 特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管－液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。
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