静电吸盘
    11.
    发明公开
    静电吸盘 审中-实审

    公开(公告)号:CN113994462A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202080036383.1

    申请日:2020-08-24

    Abstract: 本发明提供一种静电吸盘,具备:导电性的基座板,具有第1部分和设置在所述第1部分的外周的第2部分,设置有导入冷却气体的气体导入路;第1静电吸盘部,设置在所述第1部分上,构成为可吸附晶片,具备具有连通于所述气体导入路的至少一个穿通孔的陶瓷电介体基板和内置于所述陶瓷电介体基板的第1吸附电极;及第2静电吸盘部,设置在所述第2部分上,构成为可吸附聚焦环,具备具有可导入冷却气体的至少一个穿通孔的陶瓷层,所述陶瓷层至少具有当所述聚焦环吸附于所述第2静电吸盘部时接触所述聚焦环的第1层,所述第1层的致密度构成为小于所述陶瓷电介体基板的致密度。由此,提供一种可提高设备的成品率的静电吸盘。

    静电吸盘
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110783162A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201910675335.6

    申请日:2019-07-25

    Abstract: 本发明提供一种静电吸盘,其能够在提高等离子体密度的面内均匀性的同时也提高RF敏感性。具备:第1电极层,设置在陶瓷电介体基板的内部,连接于高频电源;及第2电极层,设置在陶瓷电介体基板的内部,连接于吸附用电源,第1电极层在Z轴方向上设置于第1主面与第2主面之间,第2电极层在Z轴方向上设置于第1电极层与第1主面之间,第1电极层具有第1主面侧的第1面及第1面相反侧的第2面,且从第2面侧被供电,其特征为,第1面与第1主面之间的沿向Z轴方向的距离呈一定,在第1电极层的端部处的第2面与第1面之间的沿向Z轴方向的距离,小于在第1电极层的中央部处的第2面与第1面之间的沿向Z轴方向的距离。

    静电吸盘
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110277342A

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201910149338.6

    申请日:2019-02-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种静电吸盘,在设置有多孔质部的静电吸盘中,能够确保对电弧放电的抗性及流动的气体流量,同时能够提高多孔质部的机械强度(刚性)。提供一种静电吸盘,其特征为,第1多孔质部具有:疏松部分,具有多个孔;及紧密部分,具有比疏松部分的密度更高的密度,多个疏松部分分别在从基座板朝向陶瓷电介体基板的第1方向上延伸,紧密部分位于多个疏松部分的彼此之间,疏松部分具有设置在孔与孔之间的壁部,在与第1方向大致正交的第2方向上,壁部的尺寸的最小值比紧密部分的尺寸的最小值更小。

    静电吸盘
    19.
    发明公开
    静电吸盘 审中-公开

    公开(公告)号:CN119812083A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202410931585.2

    申请日:2024-07-12

    Abstract: 本发明提供一种静电吸盘,其能够抑制在接合层的附近处发生绝缘破坏。静电吸盘(10)具备:电介体基板(100);基座板(200),由金属材料形成;及接合层(300),对电介体基板(100)与基座板(200)之间进行接合。基座板(200)中的至少与接合层(300)相对的部分被陶瓷膜(231)所覆盖,该陶瓷膜(231)的表面成为被接合面(S)。被接合面(S)满足,第1条件:算术平均高度(Sa)≤1.5μm,第2条件:均方根高度(Sq)≤2.0μm中的至少一个,且满足,第3条件:最大谷深(Sv)≥20.0μm,第4条件:最大高度(Sz)≥20.0μm中的至少一个。

    静电吸盘
    20.
    发明公开
    静电吸盘 审中-公开

    公开(公告)号:CN118712115A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410172197.0

    申请日:2024-02-07

    Abstract: 静电吸盘具备:电介体基板,形成有穿通孔;RF电极,被埋入到电介体基板内部;及吸附电极,在比RF电极更靠载放面侧的位置上,被埋入到电介体基板内部。在从垂直于载放面的方向进行观察时,在吸附电极上形成有与上述穿通孔同心且包含上述穿通孔的圆形的第1开口,且在RF电极上形成有与上述穿通孔同心且包含上述穿通孔的圆形的第2开口。第2开口的半径比第1开口的半径更大。

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