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公开(公告)号：CN1226448C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03178764.9
申请日：2003-07-18
申请人： LG电子株式会社
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/543 , H01L51/56
摘要： 本发明提供了可以补偿加热装置与蒸镀材料表面之间的间隔变化的、用于形成有机场致发光膜的蒸镀源。包括：容器，由上部板、侧壁和底构件构成；加热装置，对蒸镀材料提供热量；以及移动装置，根据探测装置的信号进行工作，移动加热装置，加热装置借助于移动装置向下移动，使得加热装置与蒸镀材料表面之间的间隔维持初始设定值。探测装置和加热装置设置在上部板上，移动装置包括：多个缸筒，使上部板上下移动；以及控制装置，接收探测装置的信号，当上部板与蒸镀材料表面之间的间隔比设定的间隔大时，使缸筒工作，沿侧壁向下移动上部板。
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公开(公告)号：CN107604313A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710550629.7
申请日：2017-07-07
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/52 , C23C14/54 , C23C14/543 , C23C14/56 , C23C14/564 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L51/56
摘要： 公开了一种沉积设备，该沉积设备包括：腔室；第一级和第二级，用于在腔室内支承衬底；蒸发源组件，在与第一级对应的第一级区和与第二级对应的第二级区之间移动，并且包括多个喷嘴，其中，源材料通过该多个喷嘴被喷射；以及拍照组件，设置在第一级与第二级之间，并为多个喷嘴拍照。
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公开(公告)号：CN106906445A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710200249.0
申请日：2017-03-29
申请人： 武汉华星光电技术有限公司
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/543
摘要： 本发明提供了一种蒸发源。蒸发源包括壳体、用于放置蒸发材料的坩埚、喷嘴、用于对加热面加热第一加热丝和升降机构，壳体包括相对设置的第一端、第二端及位于第一端和第二端之间的传输腔；当蒸发材料放置于坩埚内时，蒸发材料在坩埚内的表面形成一加热面，坩埚设置在壳体内，且位于第二端，坩埚和传输腔连通；喷嘴设置在第一端，喷嘴和传输腔连通；第一加热丝直接固定在壳体内，且第一加热丝位于坩埚和喷嘴之间；升降机构可活动的连接在壳体上，升降机构和坩埚固定连接，升降机构通过和壳体的可活动连接控制坩埚运动，使得第一加热丝和加热面两者的位置产生变化，以改变第一加热丝对蒸发材料加热而产生的蒸发速率。提高OLED器件的产量和良率。
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公开(公告)号：CN106065464A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610245080.6
申请日：2016-04-19
CPC分类号： C23C14/54 , C03C17/245 , C03C2217/213 , C03C2218/154 , C23C14/0042 , C23C14/352 , C23C14/56 , H01J37/32449 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01J37/3405 , H01J37/342 , C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/3407 , C23C14/543
摘要： 本公开内容涉及膜沉积装置和膜沉积方法。膜沉积装置包括：真空室；圆柱靶，该靶的圆周面与基板相对，并且该靶在真空室中被设置为与基板的传送方向相交；驱动单元，其被配置为旋转地驱动靶；磁场产生器，其设置在靶的内侧；反应性气体流出单元，其被配置为流出反应性气体，该反应性气体流出单元设置在靶的附近；光发射监视器，其被配置为监视在基板和靶之间的位置处且在靶附近的等离子体的光发射强度；以及控制单元，其被配置为控制由驱动单元驱动的靶的旋转速度，以使得由光发射监视器监视的光发射强度接近预设的目标光发射强度。
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公开(公告)号：CN105765101A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480061371.9
申请日：2014-10-16
申请人： 纽升股份有限公司
CPC分类号： C23C14/546 , C23C14/0623 , C23C14/243 , C23C14/543
摘要： 揭示用于监测真空反应器设备中的蒸气的方法和系统。一种系统具有：(a)真空腔室；(b)容纳在所述真空腔室中的蒸气源，其中所述蒸气源经配置以产生蒸气；(c)容纳在所述真空腔室中且耦合到所述蒸气源的反应容器，其中所述反应容器具有通往所述真空腔室的出口，且其中所述反应容器经配置以从所述蒸气源接收所述蒸气且经由所述出口将所述所接收蒸气的一部分排放到所述真空腔室中；以及(d)容纳在所述真空腔室中的一个或多个传感器，其中所述一个或多个传感器经配置以检测经由所述出口排放的所述蒸气。
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公开(公告)号：CN103757590B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310753996.9
申请日：2013-12-31
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/543
摘要： 本发明公开了一种镀膜机坩埚设备。所述镀膜机坩埚设备(100)包括桶状结构(112)、多个加热器(120)、坩埚(110)、多个温度传感器(160)及多个驱动机构(200)，所述多个加热器(120)纵向分布在所述桶状结构(112)内并用于对所述坩埚(110)内的材料进行加热，所述多个温度传感器(160)纵向分布在所述坩埚(110)内以测量所述坩埚(110)内的温度，所述多个驱动机构(200)用于使所述多个加热器(120)中的至少一个加热器(120)纵向移动以控制所述坩埚(110)内的温度分布，所述镀膜机坩埚设备可以通过改变加热器的纵向分布密度，控制坩埚的上下温度分布，进而控制蒸镀速率而使其稳定。
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公开(公告)号：CN103757590A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310753996.9
申请日：2013-12-31
申请人： 深圳市华星光电技术有限公司
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/543
摘要： 本发明公开了一种镀膜机坩埚设备。所述镀膜机坩埚设备(100)包括桶状结构(112)、多个加热器(120)、坩埚(110)、多个温度传感器(160)及多个驱动机构(200)，所述多个加热器(120)纵向分布在所述桶状结构(112)内并用于对所述坩埚(110)内的材料进行加热，所述多个温度传感器(160)纵向分布在所述坩埚(110)内以测量所述坩埚(110)内的温度，所述多个驱动机构(200)用于使所述多个加热器(120)中的至少一个加热器(120)纵向移动以控制所述坩埚(110)内的温度分布，所述镀膜机坩埚设备可以通过改变加热器的纵向分布密度，控制坩埚的上下温度分布，进而控制蒸镀速率而使其稳定。
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公开(公告)号：CN103608484A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280030459.5
申请日：2012-04-16
申请人： 皇家飞利浦有限公司
IPC分类号： C23C14/54
CPC分类号： H01L22/12 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/543 , C23C14/545 , C23C14/546 , C23C14/547 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C16/45565 , G01B11/0625 , G01B11/0641 , H01L22/26 , H01L51/001 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 在其中有必要在特定公差内测量和/或控制蒸发源的沉积速率的气相沉积应用中，特别是OLED大规模生产中，测量系统被适配成在高和低的速率源处使用鲁棒且准确的光学厚度测量方法，以便沉积在衬底上的层的厚度能够被测量和控制。第一蒸发源(11)将材料的层沉积在衬底(20)上。移动元件(41)被提供，在所述移动元件(41)上，薄膜从第二蒸发源(12b)被沉积在沉积位置(D1)中。随后，所述移动元件被输送到测量位置(D2)，其中所述薄膜的厚度被厚度检测器(45)测量。所述测量设备被布置成依赖于沉积在所述移动元件上的所述薄膜的厚度来控制所述第一蒸发源的沉积。
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公开(公告)号：CN101276603A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810089802.9
申请日：2008-03-28
申请人： 英特维公司
IPC分类号： G11B5/84
CPC分类号： G11B5/8408 , C23C14/12 , C23C14/543
摘要： 本发明提供了一种防止在润滑剂蒸汽的流动路径中的表面上凝结的方法和装置，其中润滑剂蒸汽将润滑剂涂层应用于流动路径中的磁盘。蒸汽通过加热在贮液器中的液体而得到。该流动路径包括贮液器和有孔扩散体之间的蒸汽腔室。蒸汽腔室具有沿与所述贮液器和所述磁盘之间的直线路径相同方向延伸的第一壁和在所述加热器和所述贮液器之间提供热传导路径的第二壁。控制所述第一壁和第二壁的相对温度以防止在流动路径的表面上的大量凝结。
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公开(公告)号：CN107190236A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710623729.8
申请日：2017-07-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 卜斌
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/543
摘要： 本公开提供一种坩埚、蒸镀装置及蒸镀方法，属于蒸镀技术领域，坩埚包括：坩埚本体、传感机构、控制机构和调节机构，坩埚本体具有多个蒸发口以及腔体，腔体用于容置蒸镀材料；传感机构设置在蒸发口周围，用于检测不同区域蒸镀材料的实际镀率；控制机构与传感机构连接，用于根据实际镀率与目标镀率计算调节参数，将调节参数发送给调节机构，调节参数为挡板的旋转角度；调节机构与控制机构连接，调节机构设置在腔体内，用于根据调节参数调节对应区域蒸镀材料的镀率。该坩埚采用对坩埚不同区域蒸发口处的实际镀率进行检测，并根据实际镀率与目标镀率计算调节参数以实现快速调整镀率，从而可以提高坩埚内材料的利用率。
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