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公开(公告)号:CN108007367A
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201711430850.5
申请日:2017-12-26
Applicant: 天津良益科技有限公司
Inventor: 王传龙
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0641
Abstract: 本发明提供一种椭圆偏振测厚仪,包括实验底座,所述实验底座上设有转轴,所述转轴的上端连接工作台,所述工作台上依次设有激光器、起偏器、样品台、检偏器、光电探测器,所述激光器的前端设有准直镜,所述起偏器的前端设有分束器,所述检偏器的下方设有光电倍增管,所述实验底座上设有开关和USB外接口。本发明的有益效果是光电倍增管有效增强微弱光信号转化成电信号,使得光电探测器可以准确的读取信号数据,避免数据读取的误差,另外,准直镜校准光束的准直性,增强入射光束准确度;并且通过A/D转化模块可以快速的得出测得的模拟信号转化为数字信号传输进行数据处理,得到准确的测量结果。
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公开(公告)号:CN104501738B
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201410855944.7
申请日:2014-12-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B11/24
CPC classification number: G03F7/00 , G01B11/0641 , G01B11/24 , G01B2210/56 , G01N2021/214 , G03F7/70625
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度下快速大面积海量散射场测量的装置,包括:起偏端,用于将光束进行调制得到一定偏振态的光束;检偏端,用于将偏振态光束进行解调以获得样品信息;还包括物镜和第一透镜,待测样品位于物镜的前焦面上,偏振态光束经过该第一透镜聚焦在物镜的后焦面,待测样品散射光被物镜收集并成像于其后焦面,进而成像于图像采集装置上;以及扫描振镜,用于使得所述物镜出射到样品上的光束角度改变,获得待测样品不同入射角下的散射场分布图像,实现对待测样品纳米尺度下的快速精确的形貌测量。本发明还公开了相应的测量方法。本发明可以实现对待测样品多入射角下散射场快速采集,获得待测样品散射场在物镜后焦面上分布。
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公开(公告)号:CN104155313B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201410437602.3
申请日:2010-09-01
Applicant: 克拉-坦科股份有限公司
Inventor: D·坎戴尔 , V·列文斯基 , A·斯维泽 , J·塞利格松 , A·希尔 , O·巴卡尔 , A·马纳森 , Y-H·A·庄 , I·塞拉 , M·马克维兹 , D·纳格利 , E·罗特姆
IPC: G01N21/956
CPC classification number: G01N21/47 , G01B11/02 , G01B11/0641 , G01B2210/56 , G01N21/211 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/4792 , G01N2201/06113 , G01N2201/105 , G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供了计量系统以及方法。所述计量系统包括:被配置成产生衍射受限光束的光源;变迹器,所述变迹器被配置成在照射光学器件的入射光瞳中使所述光束成形;光学元件,所述光学元件被配置成将所述衍射受限光束从所述变迹器定向到晶片上的光栅靶上的所述照射斑并且收集来自所述光栅靶的散射光;被配置成拒绝一部分所收集散射光的视场光阑;检测器,所述检测器被配置成检测穿过所述视场光阑的散射光并且响应于检测到的散射光生成输出以使所述光栅靶由所述计量系统使用散射计量来测量;以及被配置成使用所述输出来确定所述光栅靶的特性的计算机系统。
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公开(公告)号:CN103608484A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201280030459.5
申请日:2012-04-16
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: C23C14/54
CPC classification number: H01L22/12 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/543 , C23C14/545 , C23C14/546 , C23C14/547 , C23C14/56 , C23C14/562 , C23C16/45565 , G01B11/0625 , G01B11/0641 , H01L22/26 , H01L51/001 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在其中有必要在特定公差内测量和/或控制蒸发源的沉积速率的气相沉积应用中,特别是OLED大规模生产中,测量系统被适配成在高和低的速率源处使用鲁棒且准确的光学厚度测量方法,以便沉积在衬底上的层的厚度能够被测量和控制。第一蒸发源(11)将材料的层沉积在衬底(20)上。移动元件(41)被提供,在所述移动元件(41)上,薄膜从第二蒸发源(12b)被沉积在沉积位置(D1)中。随后,所述移动元件被输送到测量位置(D2),其中所述薄膜的厚度被厚度检测器(45)测量。所述测量设备被布置成依赖于沉积在所述移动元件上的所述薄膜的厚度来控制所述第一蒸发源的沉积。
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公开(公告)号:CN102954765A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201210285463.8
申请日:2012-08-10
Applicant: 大塚电子株式会社
CPC classification number: G01B11/06 , G01B11/0625 , G01B11/0641 , G01N21/211 , G01N2021/213
Abstract: 本发明提供一种光学特性测量装置以及光学特性测量方法。光学特性测量装置(100)具备光源(10)、检测器(40)以及数据处理部(50)。数据处理部(50)具备建模部、分析部以及拟合部。将多个膜模型方程式联立,假设包含在多个膜模型方程式中的光学常数相同来进行规定的运算,通过进行将算出的膜的膜厚以及光学常数代入膜模型方程式而获得的波形与由检测器(40)获取的波长分布特性的波形的拟合来判定包含在多个膜模型方程式中的光学常数是否相同,由分析部算出的膜的膜厚以及光学常数是否为正确的值。
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公开(公告)号:CN102668052A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080039744.4
申请日:2010-09-01
Applicant: 克拉-坦科股份有限公司
Inventor: D·坎戴尔 , V·列文斯基 , A·斯维泽 , J·塞利格松 , A·希尔 , O·巴卡尔 , A·马纳森 , Y-H·A·庄 , I·塞拉 , M·马克维兹 , D·纳格利 , E·罗特姆
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/47 , G01B11/02 , G01B11/0641 , G01B2210/56 , G01N21/211 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/4792 , G01N2201/06113 , G01N2201/105 , G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 提供了各种计量系统以及方法。
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公开(公告)号:CN101076705A
公开(公告)日:2007-11-21
申请号:CN200580013467.9
申请日:2005-03-11
Applicant: ICOS视检系统有限公司
IPC: G01B9/02
CPC classification number: G01J9/02 , G01B9/02087 , G01B11/0625 , G01B11/0641 , G01B11/0675 , G01B11/24
Abstract: 执行波前分析,包括相位和振幅信息,与在光学系统中的3D测量的方法和装置,并且特别是那些基于分析光学系统的中间平面,例如一个图像平面的输出。描述了存在薄膜涂层的情况下,表面形貌,或一个多层结构的各层的测量。结合相位和振幅映射的多波长分析被使用。描述了使用有效波前传播,基于Maxwell方程的解,通过波前传播和重聚焦来改进相位和表面形貌测量的方法。通过这种相位控制方法,或通过使用宽带和相干光源结合的方法,实现了在光学成像系统中的相干噪声的减少。通过改进反差或通过3D成像,在单镜头成像中,这些方法适用于集成电路检查,以改进交叠测量技术。
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公开(公告)号:CN1630940A
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:CN03803614.2
申请日:2003-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 菊池俊彦
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/0641 , G01N21/211
Abstract: 在氧化膜(301)的下层,形成有:由金属布线(302)和层间绝缘膜(303)构成的B层,和由在与金属布线(302)正交方向形成的金属布线(304)和层间绝缘膜(305)所构成的D层的多层布线。入射光中的s偏振光成分由B层界面反射,p偏振光成分由D层界面反射,计算各个振幅反射率Rs、Rp,计算作为s偏振光成分和p偏振光成分的振幅比ψ和相位差Δ的函数的tanψ和cosΔ,得到基准数据,基于该基准数据来求出氧化膜(301)的膜厚(tA)。由此,能够非破坏且高生产率地进行在多层布线上形成的膜的膜厚测量和截面形状测量。
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公开(公告)号:CN104279970B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410328475.3
申请日:2014-07-10
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: G01B11/06 , G01B11/0641 , H05K1/185
Abstract: 本发明的电子元器件的厚度测定方法包括:在第1图像数据的多个第2基准线和第2图像数据的多个第2基准线中,仅提取出位于相同相同的位置且第2基准线彼此的强度峰值之差最小的第2基准线(210c),并形成包括第1基准线(220c)和所提取出的第2基准线(210c)的第3图像数据(200c)的工序;以及根据第3图像数据(200c)的第1基准线(220c)和第2基准线(210c)之间的间隔(Lc)来计算出电子元器件的厚度的工序。
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公开(公告)号:CN105403178A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510564718.8
申请日:2015-09-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: G01B15/02
CPC classification number: G01B11/0641
Abstract: 提供一种膜厚度测量装置和方法,膜厚度测量装置包括:太赫兹波发生器(19);棱镜(21),该棱镜具有入射面(69)、邻接面(70)和出射面(71),该邻接面(70)能够与包括第一膜(31a)的样品(3)的形成有第一膜(31a)的一侧上的表面邻接;太赫兹波检测器(23),该太赫兹波检测器(23)检测从棱镜(21)的出射面(71)出射的、样品(3)的反射波的S-偏振分量和P-偏振分量;以及控制部(6),该控制部(6)构造成基于反射波的S-偏振分量的时间波形与反射波的P-偏振分量的时间波形之间的差来确定形成在样品(3)中的第一膜(31a)的厚度。
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