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公开(公告)号：CN1854353A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610058336.9
申请日：1998-04-09
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要： 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括控制(i)生长速度v，(ii)在从结晶温度到不低于约1325℃的温度范围内晶体恒定直径段生长期间的平均轴向温度梯度G0；以及(iii)为形成该基本不含聚集本征点缺陷轴对称区而使晶体从结晶温度到约1050℃的冷却速度。这个轴对称区从晶棒圆周边向内扩延，从硅棒的圆周边径向朝中心轴测得的宽度至少约为晶棒半径长度的十分之三，沿中心轴测得的长度至少约为晶棒恒定直径段长度的十分之二。
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公开(公告)号：CN1280454C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN98805003.X
申请日：1998-04-09
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要： 本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅，它含有第一轴对称区域，该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚，其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度，还涉及其制备方法。
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公开(公告)号：CN1260405C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN01815935.4
申请日：2001-08-30
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及锭状或片状单晶硅，及一种用于制备单晶硅的方法，上述单晶硅含有一个其中空位是主要本征点缺陷的轴向对称区域，并且基本上没有氧化诱生堆垛层错和掺入氮以便使其中氧沉淀核稳定。
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公开(公告)号：CN1243854C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN01821538.6
申请日：2001-12-28
申请人： 埃伯乐太阳能公司
发明人： 希尔顿·F·格拉维施 , 矶崎秀之 , 舞惠治 , 藤田健太郎
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/007 , C30B15/206 , C30B15/305 , Y10T117/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 本发明公开了一种用于制造例如网带状晶体的半导体衬底的设备和方法。该设备包括室和封装在室内的生长器皿组件。磁场系统在室内产生一个垂直的磁场。
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公开(公告)号：CN1668786A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816590.2
申请日：2003-07-08
申请人： 信越半导体株式会社
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B25/20 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及外延生长用硅晶片，将通过柴克劳斯基法(CZochralski method－CZ法)掺杂氮，在至少晶片中心成为会发生空隙型缺陷的V区域的区域内培育的硅单晶加以切削，而制作成的硅晶片，是特征是在晶片表面出现的上述空隙型缺陷中，开口部尺寸是20nm以下的缺陷数目是0.02个/cm2以下的外延生长用硅晶片，及特征是在此外延生长用硅晶片的表面形成有外延层的外延晶片。由此，能够容易地以高生产性且低成本制成具有高吸杂能力、且在外延层上极少有对器件特性有不良影响的SF的高品质的外延晶片。
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公开(公告)号：CN1208265C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN01821381.2
申请日：2001-12-07
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/206
摘要： 公开了一种用于生产具有降低了铁污染的硅单晶的方法和装置。所述装置包含至少一个由石墨衬底和碳化硅保护层构成的结构元件，所述碳化硅保护层覆盖暴露在生长室气氛中的衬底表面。石墨衬底具有不高于约1.5×1012原子/cm3的铁浓度，而碳化硅保护层具有不高于约1.0×1012原子/cm3的铁浓度。
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公开(公告)号：CN1484715A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN01821538.6
申请日：2001-12-28
申请人： 埃伯乐太阳能公司
发明人： 希尔顿·F·格拉维施 , 矶崎秀之 , 舞惠治 , 藤田健太郎
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/007 , C30B15/206 , C30B15/305 , Y10T117/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 本发明公开了一种用于制造例如蹼状晶体的半导体衬底的设备和方法。该设备包括室和封装在室内的生长器皿组件。磁场系统在室内产生一个垂直的磁场。
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公开(公告)号：CN1461360A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN01815935.4
申请日：2001-08-30
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及锭状或片状单晶硅，及一种用于制备单晶硅的方法，上述单晶硅含有一个其中空位是主要本征点缺陷的轴向对称区域，并且基本上没有氧化诱生堆垛层错和掺入氮以便使其中氧沉淀核稳定。
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公开(公告)号：CN1265712A
公开(公告)日：2000-09-06
申请号：CN98807859.7
申请日：1998-07-29
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068
摘要： 在直接法拉晶机中采用热屏蔽组件,用于有选择地保护半导体材料的单晶锭料,以便控制锭料单晶结构中聚集的缺陷类型和数据密度。热屏蔽组件具有一个上热屏蔽,该上热屏蔽连接到一个下热屏蔽上。上热屏蔽和下热屏蔽相互连接,并滑动式连接到一个中间热屏蔽上。下热屏蔽能够向上伸入中间热屏蔽,以便使位于拉晶机单晶生长室内部的热屏蔽组件的外形减至最小。然而,当必须控制单晶锭料的形成时,下热屏蔽可以从中间热屏蔽延伸,并向下伸入拉晶机坩埚中,以便非常靠近坩埚中熔化的半导体原材料的上表面。还公开了应用热屏蔽组件的方法。
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公开(公告)号：CN109023511A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810994702.4
申请日：2018-08-29
申请人： 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
CPC分类号： C30B15/206 , C30B29/06
摘要： 本发明提供一种直拉单晶大尺寸热场快速稳温的工艺方法，包括以下步骤：步骤一：对硅溶液液面温度进行校准；步骤二：收集多炉单晶首次引晶功率数据；步骤三：设定过冷温度，通过闭环控制进行温度微调。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，对直拉单晶过程中的稳温工步温度进行调节，并进行程序化，实现全自动稳温，节约稳温工时，降低对拉晶操作技能的要求，实现一人轻松看多台单晶炉设备。
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