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公开(公告)号:CN107868982A
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201610862880.2
申请日:2016-09-28
申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号: C30B9/06 , C01B19/007 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/01 , C01P2004/60 , C30B25/00 , C30B29/46 , C30B9/08
摘要: 本发明涉及一种金属铂的半金属化合物的制备方法,该方法包括:将铂单质和硒单质放入反应容器作为反应原料;将装有反应原料的反应容器抽真空至气强
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公开(公告)号:CN107532329A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201680027101.5
申请日:2016-03-16
申请人: 丰田自动车株式会社
IPC分类号: C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
CPC分类号: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
摘要: 提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中,将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中,使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80%。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中,在晶体生长温度下使SiC单晶生长。
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公开(公告)号:CN106795648A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201580054987.8
申请日:2015-10-07
IPC分类号: C30B29/36 , C30B19/10 , C30B30/04 , H01L21/208
CPC分类号: C30B15/14 , C30B9/06 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/36 , C30B30/04
摘要: 本发明提供能够使台阶流动的方向和SiC溶液在晶体生长界面的附近流动的方向为相反方向的SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法。坩埚由石墨形成,用于容纳SiC溶液。第1感应加热线圈和第2感应加热线圈卷绕在坩埚的周围。第1感应加热线圈配置于比SiC溶液的表面靠上方的位置。第2感应加热线圈配置于第1感应加热线圈的下方。电源用于向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流,该第2交变电流具有与第1交变电流相同的频率且向与第1交变电流相反的方向流动。自坩埚所具有的侧壁中的与SiC溶液相接触的部分的、因电源向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流而产生的磁场的强度达到最大的位置到SiC溶液的表面为止的距离满足预定的式子。
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公开(公告)号:CN103243389B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201310048487.6
申请日:2013-02-06
申请人: 丰田合成株式会社
CPC分类号: C30B19/12 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02645 , H01L21/02647 , H01L21/7806
摘要: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法,所述方法包括控制回熔。具体地,在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后,通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解,沟槽的尺寸增加,以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。
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公开(公告)号:CN104603336A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201380045663.9
申请日:2013-08-12
CPC分类号: H01L21/02628 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02598
摘要: 在溶液法中,提供能够比以往大幅提高生长速度的SiC单晶体的制造方法。一种SiC单晶体的制造方法,使晶种基板接触被放入到坩埚内且具有温度从内部朝向液面降低的温度梯度的Si-C溶液,而晶体生长SiC单晶体,其中,所述坩埚的深度/内径小于1.71,从Si-C溶液的液面至液面下10mm的范围的温度梯度大于42℃/cm。
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公开(公告)号:CN104471118A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201380037691.6
申请日:2013-05-08
CPC分类号: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1008 , Y10T428/21 , Y10T428/24488 , C30B15/32
摘要: 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭,其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭,其中,所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。
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公开(公告)号:CN102036917B
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN200980118865.5
申请日:2009-03-09
申请人: 深光子学公司
发明人: 西奥多·阿列凯尔
CPC分类号: C30B9/12 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3409 , C09K11/778 , C30B9/06 , C30B11/00 , C30B29/22 , G02F1/3551
摘要: 提供一种化学式为YiLajAlkB16O48的非线性光学晶体,其中2.8≤i≤3.2,0.8≤j≤1.2,i和j之和为约4并且k为约12。该非线性光学晶体可用于包括变频的非线性光学应用。在特定实施方案中,非线性光学晶体的特征在于UV抑制杂质(例如某些过渡金属和镧系元素)的浓度低于1000ppm,以提供在部分UV谱(例如175-360nm)中的高透射率。
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公开(公告)号:CN103243389A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201310048487.6
申请日:2013-02-06
申请人: 丰田合成株式会社
CPC分类号: C30B19/12 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L21/02645 , H01L21/02647 , H01L21/7806
摘要: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法,所述方法包括控制回熔。具体地,在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后,通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解,沟槽的尺寸增加,以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。
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公开(公告)号:CN102264955A
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN201080003461.4
申请日:2010-03-11
申请人: 丰田自动车株式会社
CPC分类号: C30B29/36 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/04
摘要: 在制造SiC单晶的方法中,通过使SiC晶种与溶液接触从而在所述SiC晶种上生长SiC单晶,所述SiC晶种被固定至可旋转的晶种固定轴,所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得。所述方法包括:开始晶种固定轴的旋转,并在预定的延迟时间(Td)之后开始坩埚的旋转;然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转;然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间(Ts);并重复旋转/停止循环。
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