公开(公告)号：CN110824851A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810915785.3

申请日：2018-08-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李宗彦 ,  傅中其 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  郭爵旗 ,  郑介任

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/52

摘要： 一种光刻设备的洁净度的检测方法，包括：放置一反射式光掩模至一曝光腔内的一光掩模座上，且放置一晶片至曝光腔内的一晶片座上；通过反射式光掩模实施一曝光工艺至晶片上；将反射式光掩模由曝光腔移动至一光学检测机台；以及通过光学检测机台检测反射式光掩模上的污染物。

公开(公告)号：CN110058487A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910121990.7

申请日：2015-02-04

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 河泰中

IPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/38 ,  G03F1/26 ,  G03F1/52

摘要： 一种光掩模基板和/或光掩模，包括：透光衬底；被设置在所述透光衬底上的高反射材料层；以及被设置在所述高反射材料层上的转移图案层。所述高反射材料层以预设的反射率反射光，以透过所述透光衬底。

公开(公告)号：CN109839800A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811248680.3

申请日：2018-10-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张世明 ,  陈铭锋 ,  杨民安 ,  魏绍琦

IPC分类号： G03F1/54 ,  G03F1/52

摘要： 本发明实施例提供形成掩模的方法。此方法包括在透明基板之上形成遮光层。此方法包括在遮光层之上形成遮罩层。遮罩层覆盖遮光层的第一部分，且第一部分位于透明基板的第二部分之上。此方法包括去除没有被遮罩层覆盖的遮光层。此方法包括去除遮罩层。在去除遮罩层期间，去除遮光层的第一部分。此方法包括去除透明基板的第二部分，以在透明基板中形成第一凹槽。此方法包括在第一凹槽中形成第一遮光结构。

公开(公告)号：CN108693696A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810325025.7

申请日：2018-04-12

申请人： 格芯公司

发明人： 许杰安·希恩 ,  尚尼尔·K·辛 ,  索汉·S·米塔

IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/46 ,  G03F1/52

摘要： 本发明涉及极紫外光微影(EUVL)反射型掩膜，其提供一种有埋藏吸收剂图案的反射型掩膜。该反射型掩膜可包括一低热膨胀材料(LTEM)衬底。可包括一对反射型堆叠，各反射型堆叠各自具有从该LTEM衬底延伸到一第一限度的一第一顶面。一填充堆叠在该对反射型堆叠之间，该填充堆叠具有从该LTEM衬底延伸到一第二限度的一第二顶面，该第二限度低于该对反射型堆叠的该第一限度。该对反射型堆叠中的每一者的一延伸部高于该填充堆叠藉此在该对反射型堆叠之间形成一凹井，该凹井具有被该填充堆叠的该第二顶面分离的实质垂直壁。衬里该凹井的一吸收剂层。

公开(公告)号：CN102770806B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080064274.7

申请日：2010-12-17

申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： V.卡梅诺夫 ,  S.米古拉

IPC分类号： G03F1/52 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70316 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F7/70216

摘要： 为针对EUV光刻设备的掩模的高反射率而改进EUV光刻设备的掩模，提出了用于EUV光刻的反射掩模，所述反射多层系被构造用于EUV范围内的工作波长且具有在所述工作波长处具有不同折射率实部的至少两种材料的层的层堆，其中所述多层系（V）被构造为使得当所述多层系被固定波长的EUV辐射照射且最小和最大入射角之间的角度区间高至21°时，切趾小于30％。

公开(公告)号：CN103034046B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210537158.3

申请日：2012-12-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 陈珍霞 ,  李凡 ,  姜妮

IPC分类号： G03F1/52 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/50 ,  G03F1/52 ,  G03F1/54 ,  G03F7/70433

摘要： 本发明提供一种掩模板、曝光系统和曝光方法，属于显示技术领域。曝光系统包括掩膜板和主反射结构，掩膜板包括透光区域和不透光区域，透光区域的图形与第一基板的待曝光区域的图形相对应，不透光区域上设置有用于反射曝光光线的反射区域，反射区域的图形与第二基板的待曝光区域的图形相对应；在曝光光线照射掩膜板，穿过掩膜板的透光区域对第一基板进行曝光时，掩膜板的反射区域反射曝光光线至主反射结构，主反射结构将反射区域反射来的光线再反射至第二基板的待曝光区域对第二基板进行曝光。本发明能够解决对具有不同构图图案的基板，需要用不同的掩膜板进行曝光；并且每次曝光过程中，照射在掩模板不透光区域的曝光光线没有被利用的问题。

公开(公告)号：CN118550151A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410832390.2

申请日：2024-06-26

申请人： 武汉帝尔激光科技股份有限公司

发明人： 李志刚 ,  蒋一鸣 ,  朱凡

IPC分类号： G03F1/60 ,  G03F1/52 ,  G03F1/68 ,  B23K26/066 ,  B23K26/00

摘要： 提供一种掩模板、其制备方法及激光加工装置，掩模板包括基板及阵列设置的通孔，第一表面上非通孔处设反射层；通孔为矩形孔，宽度为10μm～1000μm，长度为20μm～2000μm，长宽比大于等于1:1，小于等于10:1；具有倒角，倒角半径不超过10μm且不超过5％通孔宽度。方法步骤为，S1激光从基板的第一表面入射，形成从第一表面向第二表面延伸的改质线，沿待加工轮廓线形成多个间隔设置的多个改质线；S2基板置于腐蚀液中腐蚀形成通孔；S3基板第一表面制备反光层。含掩模板的激光加工设备，用以进行巨量转移或焊接，使用时激光可以直接透过通孔加工，避免了透过基板导致的损失、折射问题，也避免了激光长期作用在基板上导致基板的寿命低的问题，且不容易附着污渍，提升加工效果。

公开(公告)号：CN116382027A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211728938.6

申请日：2022-12-30

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金泰熙 ,  郑智训 ,  金泰信 ,  郑映大 ,  全瑛恩

IPC分类号： G03F1/52 ,  G03F7/20

摘要： 本发明构思提供一种掩模处理装置及基板处理装置。该掩模处理装置可以包括：支承单元，其支承该掩模；及光辐照单元，该光辐照单元通过光辐照该掩模以调整形成于该掩模中图案的关键尺度，其中该光辐照单元包括产生该光的光源及光调制组件，该光调制组件调制由该光源产生的该光且形成辐照图案。

公开(公告)号：CN115485616A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032270.9

申请日：2021-04-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 刘树围 ,  维布什·金达尔

IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/52 ,  C23C14/06

摘要： 公开了远紫外(EUV)掩模坯料、远紫外掩模坯料制造方法和生产系统。EUV掩模坯料包括基板；基板上的反射层的多层堆叠物；反射层的多层堆叠物上的覆盖层；和覆盖层上的吸收剂层，吸收剂层由碳和锑制成。

公开(公告)号：CN110824853B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201910319701.4

申请日：2019-04-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖啟宏 ,  廖主玮

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/38 ,  G03F1/52 ,  G03F1/54

摘要： 一种遮罩及其制造方法和使用方法。遮罩的使用方法方法包括将遮罩夹持在遮罩台上，其中遮罩包括多层磁膜；通过使用遮罩来执行第一微影制程；使遮罩移动远离遮罩台；以及确认多层薄膜的表面层的表面状况是否可接受；以及当表面层的表面状况被确认为不可接受时自多层磁膜剥离多层磁膜的表面层。